世界集成电路发展简史

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1、世界集成电路发展历史WorldICIndustrialHistoryReviewSEMICONDUCTORINDUSTRYASSOCIATION前言历史上第一个晶体管于60年前—1947年12月16日诞生于美国新泽西州的贝尔实验室(BellLaboratories)。发明者威廉·肖克利(WilliamShockley)、约翰·巴丁(JohnBardeen)和沃尔特·布拉顿(WalterBrattain)为此获得了1956年的诺贝尔物理学奖。固态半导体(solid-state)的发明使得之后集成电

2、路的发明成为可能。这一杰出成就为世界半导体产业的发展奠定了基础。之后的60年里，半导体技术的发展极大地提升了劳动生产力，促进了世界经济的发展，改善了人们的生活水平。美国半导体协会(SIA)总裁乔治·斯卡利思(GeorgeScalise)曾经说过：“60年前晶体管的发明为这个不断发展的世界带来了巨大的变革，这一历史性的里程碑式的发明，意义不容小觑。晶体管是无数电子产品的关键组成部分，而这些电子产品几乎对人类生活的各个方面都带来了革命性的变化。2007年，全世界的微电子行业为地球上每一个男人、女人和

3、小孩各生产出9亿个晶体管—总计达6,000,000,000,000,000,000(六百亿亿)个,产业销售额超过2570亿美元”。回顾晶体管的发明和集成电路产业的发展历程,我们可以看到，60年前晶体管的发明并非一个偶然事件，它是在世界一流的专业技术人才的努力下，在鼓励大胆创新的环境中，在政府的鼓励投资研发的政策支持下产生的。同时，我们也可以看到集成电路产业从无到有并高速发展是整个业界相互合作和共同创新的结果。资料来源：美国半导体生产商协会（SIA）世界集成电路发展历史WorldICIndustr

4、ialHistoryReview发现和研究半导体效应1833年，英国物理学家迈克尔·法拉第(MichaelFaraday)在研究硫化银晶体的导电性1833-第一次记录了半导体效应时，发现了硫化银晶体的电导率随温度升高而增加这一特别的现象。这一特征1874-发现半导体点接触整流效应正好与铜和其他金属的情况相反。迈克尔·法拉第(MichaelFaraday)的这一发现使人1901-半导体整流器申请“触须”探测器专利们对半导体效应开始有了认识。1874年，德国物理学家费迪南·布劳恩(Ferdinand

5、1926-场效应半导体器件概念申请专利Braun)在研究晶体和电解液的导电性质时发现电流仅能单方向通过金属探头和方铅1931-出版《半导体电子理论》晶体的接触点。费迪南·布劳恩(FerdinandBraun)记录和描述了这一半导体二极管的1940-p-n结的发现触点式整流效应。基于这个发现，印度加尔各答大学总统学院物理学教授博斯爵士(JagadisChandraBose)提出了把半导体晶体整流器用作探测无线电波的应用并申请了专利(1901年)。波兰出生的美国物理学家朱利叶(JuliusLilie

6、nfeld)在研究硫化铜半导体特性时，设想了一个三极半导体器件场效应晶体管，并在1926年提交了一项基于硫化铜半导体特性的三极放大器专利。在以后的几十年中，人们一直尝试着去制作这样的器件。法拉第在公开演讲自然科学。物理教授费迪南·布劳恩在法国Credit:ContemporaryengravingStrasbourg大学半导体物理现象的发现，激发了人们对其理论上的研究。1931年，当时在德国做研ofFaradaylecturing.Credit:www.cathodique.net究的英国剑桥大

7、学物理学家艾伦·威尔逊(AlanWilson)发表了用量子力学解释半导体基本特性的观点并出版了《半导体电子理论》。七年后，鲍里斯(BorisDavydov)(苏联)，莫特(NevillMott)(英国)和沃尔特(WalterSchottky)(德国)也独立地解释了半导体整流这一特性。在20世纪30年代中期，美国贝尔实验室的电化学家拉塞尔(RussellOhl)在研究用硅整流器件探测雷达信号时，发现硅整流器探测信号的能力随着硅晶体纯度的提高而增强.并美国物理学家朱利叶申请的三美国贝尔实验室的电化学

8、家拉极场效应晶体管专利(1926)塞尔申请的光伏器件专利且，在1940年2月的一次实验中，拉塞尔(RussellOhl)在测试一块硅晶体的时候。惊奇地发U.S.PatentOfce(1941)U.S.PatentOfce.现当硅晶体暴露在强光下电流会增大。在此发现的基础上拉塞尔(RussellOhl)提出了p-n结的概念和硅的光电效应理论，这一发现带来了以后结型晶体管和太阳能电池的发展。资料来源：美国半导体生产商协会（SIA）世界集成电路发展历史WorldICIndustrialHistor