集成电路技术发展简史

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1、集成电路技术发展简史·1940s-起步阶段-原创性的发明使得集成电路技术成为可能·1950s-集成电路雏形-集成电路出现·1960s-改进的产品和技术-MOS,CMOS和BiCMOS,Moore's定律·1970s-驱动市场的新产品和技术-EPROM,DSP,DRAMs和微处理器（Microprocessors）,MOS比例特性（scaling）.·1980s-先进的技术和产品-EEPROM和Flash·1990s-持续改进的技术-技术进一步深化·2000s-千禧年后的新世纪有什么变化?-请继续和我们一同关注.1940s起步阶段·1940-PN结（junct

2、ion）虽然早在1833年法拉第就已经发现化合物半导体的特性，1873年W.Smith使用硒制造出工业整理器和早期的光电器件，1874年德国物理学教授FeidinandBraun观察到金属丝-硫化铅的整流特性并在其后用作检测二极管。但是直到20世纪40年代，贝尔实验室（BellLabs）的RusselOhl才开发了第一个对集成电路来讲具有严格意义上的PN结（junction）：当该PN结暴露在光源下的时候，PN结两端产生0.5V的电压。顺便提一句，那个时代Bell实验室在材料研究上具有很强大的力量，正是这个领导力量开创了半导体技术的纪元。·1945-三极管（

3、Transistor）发明1945年，BellLabs建立了一个研究小组探索半导体替代真空管。该小组由WilliamShockley领导，成员包括JohnBardeen、WalterBrattain等人。1947年Bardeen和Brattain成功使用一个电接触型的“可变电阻”-即今天被称为三极管“Transistor”的器件得到放大倍数为100的放大电路，稍候还演示了振荡器。1948年，Bardeen和Brattain提交了一份专利申请并在1950年被授予BellLabs-这就是美国专利US2,524,035,"ThreeElectrodeCircuit

4、ElementUtilizingSemiconductiveMaterials".1950s集成电路雏形-集成电路出现·1951-发明结型三极管（JunctionTransistor）1951年，WilliamShockley推出了结型晶体管技术，这是一个实用的晶体管技术，从此难以加工的点接触型晶体管让位于结型晶体管，在20世纪50年代中期，点接触型晶体管基本被替代。1954年晶体管已经成为电话系统的必备元件，Bell实验室在生产晶体管的同时也向其他公司发放生产许可并从中提成（royalty），在这个时候，晶体管开始进入无线电和助听器领域。1956年，由于晶

5、体管发明的重要性，Bardeen、Brattain和Shockley被授予诺贝尔奖（NobelPrize）。·1952-单晶硅（Singlecrystalsilicon）制造技技术·1952-集成电路（IntegratedCircuit-IC）的概念提出1952年5月7日，英国的雷达科学家GeoffreyW.A.Dummer在华盛顿特区提出了集成电路的概念，即文章"Solidblock[with]layersofinsulatingmaterials".1956年的尝试以失败结束，但是作为提出IC概念的先驱，Dummer是IC史册不可缺的一页。·1954-第

6、一个商业化的晶体管1954年5月10日，德州仪器（TI）发布了第一款商用的晶体管-Grown-JunctionSiliconTransistors。晶体管通过在硅晶体表面切割一个矩形区域获得，硅晶体通过含杂质的熔化炉生长得到。硅晶体管和锗晶体管相比，具有廉价和高温特性好的优点。·1954-氧化、掩膜工艺（Oxidemasking）Bell实验室开发出氧化（oxidation）、光掩膜（photomasking）、刻蚀（etching）和扩散(diffusion）工艺，这些工艺在今天的IC制造中仍在使用。·1954-第一个晶体管收音机问世工业开发工程师协会（I

7、ndustrialDevelopmentEngineerAssociates）设计并生产了世界第一个晶体管收音机-RegencyTR-1，它使用4个德州仪器（TexasInstruments）制造的锗（Germanium）晶体管。·1955-第一个场效应晶体管问世又是Bell实验室的杰作。·1958-集成电路被发明1958年7月24日，德州仪器（TexasInstruments）的雇员JackKilby，在笔记本中写道：如果电路元件，比如电阻，电容可以使用同种材料制造，则有可能将整个电路加工在单个片子上“singlechip“。当时的真空条件很差的情况下，K

8、ilby于当年的9月12日制造了具有5个集成元件的简