国产电子元器件型号标识

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1、国产电子元器件型号标识1半导体集成电路（GB/T3430-1989《半导体集成电路型号命名方法》）1.1型号标识半导体集成电路的型号由五个部分组成，其五个组成部分的符号及意义如下：第0部分第一部分第二部分第三部分第四部分C×××××器件系列和品种代号中国制造器件类型工作温度范围器件封装符号(器件序号)TTTLC0～70℃W陶瓷扁平HHTTLE-40～85℃B塑料扁平EECLR-55～85℃F全密封扁平CCMOSM-55～125℃D陶瓷双列直插F线性放大器P塑料双列直插D音响、电视电路J黑陶瓷双列直插W稳压器K金属菱形J接口电路T金属圆形B非线

2、性电路M存储器µ微型机电路注：TTL中标准系列为CT1000系列；H系列为CT2000系列；S系列为CT3000系列；LS系列为CT4000系列1.2示例a）肖特基TTL双4输入与非门：CT3020ED陶瓷双列直插封装(第四部分)-40～85℃(第三部分)肖特基系列双4输入与非门(第二部分)TTL电路(第一部分)符合国家标准第(第O0部分部分))1b）CMOS8选1数据选择器(3S)：CC14512MF金密封扁平封装-55～125℃8选1数据选择器(3S)CMOS电路符合国家标准c）通用型运算放大器：CF0741CT金属圆形封装0～70℃通用

3、III型运算放大器线性放大器符合国家标准2厚膜、薄膜集成电路（GB2704-1981《厚膜、薄膜集成电路型号命名方法》）2.1型号标识厚膜、薄膜集成电路的型号由四个部分组成，其四个组成部分的符号及意义如下：第一部分第二部分第三部分第四部分封装形式用两个汉语拼音字母表示电路类型，电路品种，用一个汉语拼音字母表示用两位阿拉伯用两位(或三位)阿数字表示拉伯数字表示符号意义符号意义2BM薄膜集成电路A扁平陶瓷封装HM厚膜集成电路B扁平塑料封装BG薄膜、半导体集成电路E扁平灌封芯片二次集成电路G扁平涂覆HG厚膜、半导体集成电路H单列直插涂覆芯片二次集成

4、电路J立式绝缘子封装HB厚膜、薄膜混合二次集K立式灌封成电路M卧式绝缘子封装N卧式灌封P插件式Q开式封装R螺杆式封装2.2示例BM9101H单列直插涂覆(第四部分)电路序号(第三部分)电阻网络(第二部分)薄膜集成电路(第一部分)HM0121Q开式封装(第四部分)电路序号(第三部分)串联型功率电源(第二部分)厚膜集成电路(第一部分)3微波电路(SJ/T2406-1983《微波电路型号命名方法》)3.1型号标识微波电路型号由如下所示的两部分组成。第一部分第二部分电路主称工艺类别电路类别电路顺序号W符号意义符号意义3H混合集成电路Z振荡器B半导体集

5、成电路F放大器F非集成电路H混频器，变频器S衰减器L滤波器X限幅器Y移相器B倍频器K开关，双工器T调制器J检波器，鉴频器，鉴相器P频分器Q取样器G功分器，功合器U耦合器N多功能组件…注：电路顺序号是在申请型号时由型号主管部门确定。3.2示例a）微波混合集成电路双平衡混频器：WHH011顺序号混频器混合集成电路微波b）微波半导体集成电路宽带放大器：WBF001顺序号放大器半导体集成电路微波c）微波非集成电路电调谐振荡器：4WFZ002顺序号振荡器非集成电路微波4半导体分立器件（GB/T249-1989《半导体分立器件型号命名方法》）4.1一般的

6、型号标识半导体分立器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示器件的用字母表示器件的材料和用数字表示用汉语拼音字用字母表示器件的类型电极数目极性序号母表示规格号符号意义符号意义符号意义2二极管AN型，锗材料P普通管3三极管BP型，锗材料V微波管CN型，硅材料W稳压管DP型，硅材料C参量管APNP型，锗材料Z整流管BNPN型，锗材料L整流堆CPNP型，硅材料S隧道管DNPN型，硅材料N阻尼管E化合物材料U光电器件K开关管低频小功

7、率X(f＜3MHz，PC＜1W)高频小功率管G(f≥3MHz，Pc＜1W)低频大功率管D(f＜3MHz，PC＞1W)高频大功率管A(f≥3MHz，PC＞1W)半导体晶闸管T(可控整流器)Y体效应器件B雪崩管J阶跃恢复管CS场效应管BT半导体特殊器件FH复合管PINPIN型管JG激光器件4.2闸流晶体管(可控硅)5目前国产可控硅的型号有部颁新、旧标准两种。新型号将逐步取代旧型号。4.2.1新标准中的型号标识K××-××用字母表示元件的类型符号意义P普通反向阻断型用数字表示额定用数字表示正反用字母表示通态平均电表征闸流特K快速开关型通态平均电流系

8、向重复峰值电压压（小于100A时不作标性S双向可控硅列级数识）G可关断可控硅N逆导可控硅4.2.2旧标准中的型号标识3CT×/××用字母表示类型用数字或代号用数字或