电子元器件型号命名规则.doc

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1、电子元器件型号命名规则1，常用电阻器、电位器第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分第六部分第七部分第八部分用字母表示主称用字母表示材料用数字或者字母表示分类用数字或者字母直接表示用数字或者字母直接表示用数字或者字母直接表示用数字或者字母直接表示用数字或者字母直接表示符号意义符号意义符号意义额定功率阻值允许误差精密等级封装R电阻器H合成膜1，2普通W电位器S有机实芯3超音频N无机实芯4高阻T碳膜5高温Y氧化膜7精密J金属膜（箔）8电阻器-高压I玻璃釉膜电位器-特殊X线绕9特殊G高功率T可调W微调

2、M敏感2，电容器第一部分（材料）第二部分分类（第三部分）（用数字或者字母直接表示）第四部分（用数字或者字母直接表示）第五部分（用数字或者字母直接表示）第六部分符号意义符号意义符号意义容值封装精密等级瓷介云母有机电解C电容器C高频瓷1圆片非密封非密封箔式T低频瓷2圆形非密封非密封箔式I玻璃釉3叠形密封密封烧结粉液体O玻璃膜4独石密封密封烧结粉固体Y云母5穿心穿心V云母纸6支柱等无极性Z纸介7J金属化纸8高压高压高压D铝电解9特殊特殊A钽电解G高功率N铌电解W微调Q漆膜G合金电解E其它电解材料B聚苯

3、乙烯等非极性有机薄膜L聚酯等极性有机薄膜H复合介质3，电感器第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分第六部分主称特征型式序号符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义L线圈G高频X小型AZL高频阻流圈B4，变压器第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分第六部分主称特征型式序号符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义DB电源变压器G高频X小型ACB音频输出变压器BRB音频输入变压器GB高压变压器HB灯丝变压器SB/ZB音频（阻尼）输送变压器SB/EB音频（定压或者自耦式）输送变压器5，半导体二、三极

4、管一、中国半导体器件型号命名方法　　半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分的意义分别如下：　　第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管　　第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。　　　　　　　表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。　　　　　　　表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、　　　　　　　　　　　　　　C-PN

5、P型硅材料、D-NPN型硅材料。　　第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。　　　　　　　P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、　　　　　　　N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、　　　　　　　G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、　　　　　　　A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、　　　　　　　Y-体效应

6、器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、　　　　　　　BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。　　第四部分：用数字表示序号　　第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。二、日本半导体分立器件型号命名方法　　日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。　　通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：　　第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。　　　　　　　0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、　　　　

7、　　　1-二极管、　　　　　　　2三极或具有两个pn结的其他器件、　　　　　　　3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、　　　　　　　　┄┄依此类推。　　第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。　　　　　　　S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。　　第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。　　　　　　　A-PNP型高频管、　　　　　　　B-PNP型低频管、　　　　　　　C-NPN型高频管、　　　　　　　D-NPN型低频管、　　　　　　　F-P控制极可控硅、

8、　　　　　　　G-N控制极可控硅、　　　　　　　H-N基极单结晶体管、　　　　　　　J-P沟道场效应管，如2SJ----　　　　　　　K-N沟道场效应管，如2SK----　　　　　　　M-双向可控硅。　　第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。　　　　　　　两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；　　　　　　　不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。　　第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。