物理第1-2章习题课

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1、第一章常用半导体器件掌握半导体基础知识：N型和P型半导体；自由电子和空穴；扩散和飘移运动；PN结的形成及其单向导电性。掌握半导体器件特性曲线及其主要参数。判断电路中二极管、稳压管、晶体管、场效应管的类型、工作状态及输出电压的计算。解：D导通，UO1≈1.3V；D截止，UO2＝0；D导通，UO3≈－1.3V，D截止，UO4≈2V；D导通，UO5≈1.3V；D截止，UO6≈－2V。自测题三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。自测题四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求所示电路中UO1和UO2各为多少伏。解

2、：UO1＝6V，UO2＝5V自测题五、电路如图所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。问：（1）Rb＝50kΩ时，uO＝？（2）若T临界饱和，则Rb≈？解：（1）Rb＝50kΩ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为输出电压UO＝UCE＝2V。（2）设临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V解：（a）可能；（b）可能；（c）不能（d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。（e）可能习题1.12分别判断图所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。习题1.16分别判断图示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。解：（a）可能（b）不能（c）不能（d）可能第二

3、章基本放大电路掌握放大电路的基本概念：放大、有源器件、直流和交流通路、静态工作点、截止和饱和失真、动态参数、电压放大倍数、输入和输出电阻、上限和下限截止频率、通频带等。掌握晶体管和场效应管的h参数低频小信号模型。掌握放大电路组成原则，正确判断能否放大动态信号。掌握各种放大电路的性能特点及其选用，放大电路基本接法的判断。掌握放大电路的直流和交流通路、交流等效电路的求解。共射、共集、共基、共源、共漏放大电路静态和动态计算。掌握复合管的构成原则及其判别。三种基本放大电路的比较接法共射共集共基Au大小于1大Aiβ1＋β近似1Ri中大小Ro大小大频带窄中宽用途一般放大输入

4、和输出级宽带放大习题2.3求Q、Au、Ri、Ro的表达式，判断是共射、共集还是共基放大电路。习题2.5已知＝80，rbe＝1kΩ，Ui＝20mV；静态时UBEQ＝0.7V，UCEQ＝4V，IBQ＝20μA。判断下列结论是否正确，凡对的在括号内打“”，否则打“×”。目的：输入交流信号不能与直流信号混淆；负载电阻不能包含在放大电路的输出电阻；放大器输入端有输入电阻，将减少输入信号的传输。习题2.6电路如图，已知晶体管＝120，UBE＝0.7V，饱和管压降UCES＝0.5V。在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？（1）正常情况（2）Rb1

5、短路（3）Rb1开路（4）Rb2开路（5）Rb2短路（6）RC短路（1）基极静态电流（2）UBE＝0V，T截止，UC＝15V。（3）临界饱和基极电流实际基极电流由于IB＞IBS，故T饱和，UC＝UCES＝0.5V。（4）UBE＝0V，T截止，UC＝15V。（5）由于集电极直接接直流电源，UC＝VCC＝15V习题2.7：电路如图所示，晶体管的＝80，rbb’=100Ω。分别计算RL＝∞和RL＝3kΩ时的Q点、Au、Ri和Ro。目的：熟练基本共射放大电路的直流分析和交流性能分析。讨论直接耦合放大电路加入负载电阻对电路直流静态Q和交流性能的影响。习题2.11：电路如

6、图所示，晶体管的＝100，rbb’=100Ω。（1）求电路的Q点、Au、Ri和Ro；（2）若改用＝200的晶体管，则Q点如何变化？（3）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？目的：熟练稳定静态工作点电路的直流分析和交流性能分析。讨论该电路改变对电路Q点的影响。讨论电容Ce的作用及其对电路交流性能的影响。习题2.12：电路如图所示，晶体管的＝80，rbe=1kΩ。（1）求出Q点；（2）分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的Au、Ri和Ro。目的：熟练共集放大电路（射极跟随器）的直流分析和交流性能分析。讨论放大电路加入负载电阻对电路交

7、流性能的影响。测验题：电路如图所示，＝100，rbe=1kΩ，UBEQ＝0.7V，Vcc=12V。求电路Q点；两个输出端的Au、Ri和Ro。