电子类项目环评方法及典型案例分析

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1、电子类项目环评方法及典型案例分析曹大勇2011年7月电子工业简述电子行业涉及的范围十分广泛，包括照明、显示、集成电路等器件制造及计算机、通讯设备、家电等领域。目前主要有集成电路芯片制造、发光二极管(LED)电光源芯片制造、液晶显示器、等离子显示器制造。该类项目技术含量高，消耗的原辅材料品种多，但用量相对较少，纯度要求高。但是该类项目用水量大，水资源压力比较大。废水排放量大，且含污染物种类多，有时有一类污染物。此外，电子行业排放的污染物有很多没有排放标准和环境标准，给环评带来难度。清洗氧化硅片离子注入光刻芯片生产工艺流程图CVD沉积CMP抛光入库检测去

2、胶湿法刻蚀背面减薄溅射干法刻蚀玻璃基板基板清洗CVD溅射光刻刻蚀剥离清洗切割断屏模块组装液晶显示器生产工艺流程图案例基本情况项目名称：LED外延片、芯片项目建设单位：外资企业(产业政策，沟通方式)建设性质、地点：新建，位于开发区内。生产规模：拟建项目年产2英寸LED外延片48万片/年，外延片进一步通过激光切割生成两种不同规格的芯片（背光源应用芯片(10*23)以及大尺寸照明应用芯片(22*22,45*45)），平均一个外延片可切割成一万个芯片。产业政策产业结构调整指导目录（2011年本）外商投资产业指导目录2007产业政策一般没问题，但应注意和区域环保

3、政策的符合性。组成一览表设施内容主体工程生产主厂房一座，划分为外延片生产区和芯片生产区。动力设施原料气体供应站由专业公司建站制造，包括氨气供应系统、氮气供应系统、氢气供应系统。特殊气体房氯气等特种气体存放于气体房内进口的特气钢瓶柜内。综合动力站纯水制备设施：采用RO反渗透制备工艺，制纯水量30t/h。冷却水循环系统：用于工艺装置冷却水，循环水量500t/h。空压机组，厂区所需压缩空气量780m3／h。辅助工程原料库两座，主要存放衬底材料以及其他原料。化学品库一座，甲类化学品仓库，采用防腐蚀环氧树脂地面，主要存放盐酸、氢氟酸等化学品原料。成品库一座，主要

4、存放成品。危废仓库一座，存放各类酸碱废液和危险废物。公用工程供水依托城市供水管网，用水量约45t/h。供热依托集中供扫热热电厂，蒸汽用量1.5t/h。报告书编制—工程污染因素分析名称规格年耗量(t/a)名称重要组份、规格年耗量(t/a)蓝宝石衬底片三氧化二铝1.626（54万片）盐酸纯度35%0.233金纯度99.999%1.069氢氟酸40％4.293氢气纯度99.999%1.700光刻胶感光树脂、增感剂和溶剂（二甲苯，40%）1.458氨气纯度99.999%5.880显影液四甲基氢氧化铵，纯度2.38%29.165液氮*纯度99.999%97.21

5、6研磨液矿物油11.305氮化硅Si3N43.694抛光液纯度99.99%KOH3.090三甲基镓纯度99.9999%0.389异丙醇纯度99.99%78.745三甲基铝纯度99.9999%0.097丙酮纯度99.99%13.120三甲基铟纯度99.9999%0.097氧气/7.194氯气/2.138报告书编制—工程污染因素分析首先是将蓝宝石衬底放入外延炉（简称MOCVD），再通入三甲基镓、三甲基铝、三甲基铟蒸气与氨气，在高温下，发生热解反应，生长出一层厚度仅几微米（的化合物半导体外延层。长有外延层的基片也就是常称的外延片。CVD沉积过程中产生的CH4

6、、过量的NH3和微量的有机气体（未反应的残留的三甲基镓等烷烃类。固废主要是含有Ga、In等的固态沉积废渣以及检测出的不合格外延片。报告书编制—工程污染因素分析（1）金属镀膜：在GaN晶体的表面和侧面镀上对输出波长增透的增透膜。（2）图形光刻：涂胶是在芯片表面涂上光刻胶；曝光是使用光刻机，并透过光掩膜版对涂胶的芯片进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质；显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上形成了沟槽。（3）刻蚀：刻蚀的目的是将光刻后暴露的

7、氧化层去除，使基质暴露出来。干法离子刻蚀是指反应气体通过放电产生各种活性等离子体，靠射频溅射使活性离子作固定的定向运动，产生各间异性腐蚀。湿法刻蚀常用的是以盐酸或氢氟酸与纯水配成的刻蚀液，刻蚀完成后要用酸、纯水反复冲洗，以保证刻痕的清洁。（4）清洗：芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。在芯片的加工工艺中，往往首先采用异丙醇清洗去除表面附着的光刻胶以后，再送入清洗槽利用纯水清洗干净后进入下一道工序。报告书编制—工程污染因素分析（5）保护层制作——SiO2沉积，是指在芯片表面上通过沉积的方式添加一层氧化硅保护膜,反应气体（Si3N4）和携带气体（O

8、2）在高温下反应生成SiO2。（6）SiO2腐蚀：为了除去电极区域的SiO2薄层需要使用腐蚀工