化学气相沉积两步异位退火制备MgB2超导薄膜

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时间:2019-05-21

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1、贵州大学硕士学位论文化学气相沉积两步异位退火制备MgB<,2>超导薄膜姓名:王殿生申请学位级别:硕士专业:微电子学与固体电子学指导教师:傅兴华20020301化学气相沉积两步鼽退火制各MgB2超导薄膜王殿生贵州大学物理与电子科学系,中国贵阳t550025导师傅兴华教授摘要2001年1月,超导转变温度高达39K的MgB2金属化合物超导体的发现,无论在科学研究还是实际威川方面都具有重要的意义。MgB2超导薄膜的制各,不仅在MgB2超导电性的基础理论研究上具有重要作用,而且是实现MgB2超导电子器件应用的关键。MgB2超导电性一发现,人f『'

2、就致

3、力于采用各种方法制备Mg吼超导薄膜。这些方法包括脉冲激光沉积、电子束共蒸发、热蒸发、悬浮液沉积、Mg扩散、磁控溅射等。根据制备过程,MgB2超导薄膜的制备方法可以分为三类:两步异位退火生长法、两步原位退火生长法和一步原位直接生捷法。在本论文的二l:作中,我们发展了一种化学气相沉积两步异位退火制备MgB2超导薄膜的新方法。这种新方法制备MgB2超导薄膜的基本过程为:先以B2H6为B源在衬底上化学气相沉积先驱B薄膜;然后先驱B薄膜在Mg蒸气中高温退火形成MgB2超导薄膜。采用这种新方法成功地在A1203多晶和单品衬底上制备了MgB2超导薄膜。在多

4、品A1203衬底上制备的典型MgB2超导薄膜,起始转变温度Tcon~35K,零电阻温度Tco~24K。在优化条件下制备在单晶A1203村底上的MgB2超导薄膜,起始转变温度和零电阻温度分别为Tcon~39K和Tco~37K;残余电阻比率RRR~1.8,正常态电阻呈现金属行为:根据扫描电子显微镜观察和x射线衍射分析.薄膜表面光滑平整,晶形完整;晶粒取向垂赢于利底袭面沿c轴方向排列。MgB2超导体化学组份少.晶体结构简单.各向异性小.相干跃度大.是一种非常有前途的制备超导电子器件的材料。电子器件应用需要制各高质量外延薄膜。对于生长高质量MgB2超

5、导外延薄膜,选择具有良好晶格匹配关系的村底非常重要,sic(001)和Si(111)是比较理想的衬底。化学气相沉积两步异位退火制备MgB2超导薄膜这种新方法的特点是,容易制备大面积MgB2超导薄膜,并且化学气相沉积方法与现有的半导体工艺技术相兼容,有利于实现MgB2超导薄腆在Jb子器件领域的应用。关铡!词:MgB2.超导电性,薄膜,化学气相沉积.乙硼烷Superconduc“ngMgB2thinfihnspreparedbyatwo—stepex-situsynthesisprocessbasedOnchemicaIvapordepositi

6、onByWangDian·shengDepanmentofPhysics,GuizhouUniversity’Guiyang550025,ChinaDepartmentofAppIiedP11ysics,uniVers.cyofPelroIeum(EastChina)’Shandong257061,ChinaUndertheSupervision0fPmfessorFuXing-huaABSTRACTThediscoVeryofsuperconductiVjtyat39KinbinarymetalljcMgB2was觚nouncedinJan

7、ua叫2001,andhasattractedgreatinterestinbothfundamentalphysicsandpotentialapplic8tions.SincetheavailabilityofthIn行lmsisimporcantforphysicalstudyandforappIicationinelectmnicdeVices,majoreffonshaVefocusedonthepreparationofMgB2thin刷ms.Up-to-dateV捌ousmethodshaVebeenpmposed,includ

8、ingpulsedIaserdeposition,e.beamcO·evaporation,thenllaleVaporatlon,depositionfromsuspension,magnesium(Mg)di仃usjon,andmagnetmnspunering.ThesemethodscanbemughlydiVidedinIothreecategoriesonthep巾cessofsynthesizingMgB2thinnlms:two-stepex-situsynthesis,two-stepin-s{tusynthesisandO

9、ne-stepas·grownsynthesis.Thislhesisisp“mar¨yaneffbrttodeVeIopanewtechniquetoprepar

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