微机原理与接口技术第4章

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1、第四章存储器§1半导体存储器一、概述1微机中的内存储器和外存储器。存储器用来存放程序和数据，它可以分为二大类：1）内存储器（亦称主存储器）特点：◆存取速度和CPU处理速度相当；◆存储器容量受到地址总线的限制；◆CPU可通过三总线（地址、数据、控制）直接对它进行访问；◆主要采用半导体存储器。2）外存储器（亦称辅助存储器）特点：◆存取速度比CPU处理速度慢；◆存储器容量不受地址总线的限制；◆CPU必须通过专用的I/O接口进行访问；◆主要采用光、磁介质存储器。2半导体存储器的分类速度快、功耗高、容量小双极型读/写存储

2、器静态RAMMOS动态掩膜ROM厂家一次写入数据半导PROM体只读存储器用户可一次写入数据存ROM储EPROM器用户可多次写入数据E2PROM快闪存储器FlashMemory3存储器的主要技术指标1）存储容量指存储器能够记忆的信息总量，它常用存储有多少个存储单元，每个存储单元又有多少个二进制位来表示，也就是说存储容量由二部分组成：存储容量=存储单元数*每单元位数如：256*41024*4（1K*4）4096*8（4K*8）65536*8（64K*8）2）存取时间将信息送入存储器或从存储器取出信息所需的时间。存储

3、器的工作速度越高，它的存取时间就越短。3）存取周期连续启动二次独立的存储器读/写操作所需的最小时间间隔。4半导体存储器的组成尽管半导体存储器的种类繁多，功能各异，但其内部组成一般都可分为存储体、地址译码器、读写控制电路三大部分。地地数AB址读DB址据码写译存储体寄寄电码存存路器器器控制电路RDWRCS§2静态RAM（SRAM）一、静态RAM存储单元电路静态RAM的特点：1）只要电源接通所存储的信息就不会丢失；2）不要刷新电路；3）容量较动态RAM为小。二、典型芯片16116（2KX8）6116的运行方式2626

4、4（8KX8）6264的运行方式/WE/CE/CE/OE方式I/O----I/O1207XHXX未选中高阻XXLX未选中高阻HLHH输出禁高阻止HLHL读OUTLLHH写INLLHL写IN§3动态RAM（DRAM）一、动态RAM存储单元电路14管DRAMEEDDQ7预充信号Q8选择线Q6Q5Q1Q2ESEESS23管DRAM预充信号Q4读选择线Q3Q1Q2ESES写选择线CD写数据线读数据线3单管DRAM行选择信号QC刷新放大器列选择信号数据输入/输出线动态RAM的特点：1）每隔大约2ms必须对数据进行刷新所存

5、储的信息就会丢失；2）要有刷新电路；3）容量较静态RAM为大。二、典型芯片12164（64KX1）28203动态RAM控制器38203和2164的连接§3只读存储器(ROM)一、掩膜ROM基本原理数据0110010110100000二、PROM基本原理字选线每一位三级管的发射极上串接一个熔丝，把字选线和位V线连通（表示0），编程时加CC入大电流把熔丝烧断（表示1）。熔丝位线三、EPROM基本原理V可多次编程，紫外线可檫除。CCDS浮栅-行线P+P-+++N衬底位线当浮栅上无电荷时，D、S间不导通，位线输出为1。

6、四、典型芯片12732（4KX8）2732A的方式选择引脚方式CEOE/vVO—OppCC07读LL+5V输出输出禁止LH+5V高阻待用HX+5V高阻编程VPP+5V输入编程HVPP+5V高阻禁止检验LVPP+5V输出待用:在待用方式下工作电流从125mA降为35mA。编程：在数据地址稳定后，/CE端加入宽度为50ms的脉冲。22764（8KX8）2764的方式选择引脚方式CEOEPGMVVO—OCCPP07读LLL+5V+5V输出输出禁HXX+5V+5V高阻止待用XXH+5V+5V高阻编程HH+5V+25输入

7、V检验LLL+5V+25输出V3E2PROM2864（8KX8）2864的方式选择引脚CEOEWER/BO—O07信号读LLH高阻输出待用HXX高阻高阻字节LHLL输入写入字节LHLL输入擦除字节擦除：字节写入前自动擦除，R/B（RDY/BUSY):用作状态信号，擦除时置为低电平，然后把数据写入；写入后再置为高电平，CPU可由此知道2864的状态。§4存储器与CPU的连接一、连接时要考虑的问题1总线的负载能力；2CPU与存储器的速度配合；3存储器容量、地址的分配和片选；4数据线和控制线的连接。二、存储器地址的分

8、配1线选法线选法即直接将某地址线高位接往某存贮芯片的片选端，当该地址线信息为1时，就选中该存贮器，然后再依地址低位对其进行片内寻址。线选法的优点是线路简单，选择芯片不须外加逻辑电路，故可用于较小的微机系统中。但是，线选法不能充分利用系统的存贮器空间，且把地址空间分成了相互隔离的区段，给编程带来了一定的困难oAAA121314A11A0AAAAAA110110110CSCSCS27322