改良西门子法多晶硅生产中分离工艺的改进

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1、维普资讯http://www.cqvip.com2008年3月化学工业与下程第25卷第2期Mar.2008CHEMICALINDUSTRYANDENGINEERINGVo1.25NO.2‘}’夺一}。。}’、}⋯:⋯{。’’.!化工计算!文章编号:l004—9533(2008)02—0l54—06‘...-4-.夺.一{.‘.-4.改良西门子法多晶硅生产中分离工艺的改进温雅,胡仰栋,单廷亮(中国海洋大学化学化工学院,山东青岛266100)摘要:对改良西门子法多晶硅生产中尾气分离工艺进行了改进。应用Aspenplus软件,利用精馏、吸收和吸附等不同分离方法进行组合,

2、确定了尾气的分离序列,得到了操作条件温和的4个流程方案。用温焓图进一步分析各流程方案,发现各流程进行热匹配的意义不大,但分离过程所需的冷凝温度为250K,易于实现。通过对比流程设备、吸收剂加入量、主要设备的操作压力、需公用工程加热与冷却的负荷等参数,确定了尾气分离的最佳流程。该流程的操作条件温和,且分离效果较好。关键词:多晶硅;尾气分离;温焓图中图分类号:TQ018文献标识码:AImprovementsofSeparatingProcessinPolycrystallineSiProductionbyModifiedSiemensArtsandCraftsWENY

3、a,HUYang—dong,SHANTing—liang(OceanUniversityofChina,Qingdao266100,ShandongProvince,China)Abstract:Theseparationprocessaboutdeoxidizingstovetailgasinthemodifiedsiemensartsandcraftsinpolycrystallinesiliconproductionwasimproved.Aspenplussoftwarewasappliedtostudytheseparationprocessoftail

4、gasthroughcombinationofdifferentseparationmethodsuchasrectification,absorption,adsorption,etc,andtheseparationsequenceoftailgaswasfixedon,fourflowblueprintsundermoderateoperationconditionswasputforward.Temperature—enthalpydiagramwasusedtoanalyseeveryflowblueprintfurtherly,andfoundthat

5、therewaslittlesignificanceforheatmatchingofthefourflows,butthelowesttemperaturerequirementoftheseparationprocesswas250K,whichwaseasytoberealized.Throughcomparingflowequipmentandparameterssuchasaddingquantityofabsorbent,operationpressureofmajorequipments,publicworksheatingandcoolingloa

6、dsetc,theoptimalflowblueprintswasconfirmedfortheseparationoftailgas.Theflowwascharacterizedbymoderateoperationconditionandbetterseparationeffect.Keywords:polycrystallinesilicon;tailgasseparation;temperature—enthalpydiagram收稿日期:2007~05—14基金项目:国家自然科学基金资助项目(20376078)。作者简介:温雅(1980一),女,河北石

7、家庄人,硕士研究生。联系人:胡仰栋,电话:(0532)66782141,E-mail:ydhuhd@ouc.edu.cn。维普资讯http://www.cqvip.com第25卷第2期温雅等:改良西门子法多晶硅生产中分离工艺的改进155多晶硅的生产主要采用改良西门子的三氯氢硅这一序列将尾气的分离过程划为V步氢还原法工艺。。该法在还原生长多晶硅后,还原炉尾气中仍含有大量H、HC1、SiHC1和SIC14等有用(I)H2、HC1、SiHC13和sjC14一H2、HC1IHC1、SiHC1和物料,需进一步分离利用。(Ⅱ)第一代西门子工艺采用湿法技术回收还原炉尾H2IHC

8、1/(Ⅳ)

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