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1、第39卷第11期硅酸盐学报VO1.39,No.112011年11月JOURNAL0FTHECHINESECERAMICS0CIETYNovember,2011生长温度对激光分子束外延A1N薄膜的影响赵丹,朱俊,李言荣(1.中国电子科技集团第三十八研究所,合肥230088;2.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,#2-i~610054)摘要:采用激光分子束外延法在Al2O,基片上制备AIN薄膜。用反射高能电子衍射、x射线衍射和原子力显微镜研究沉积温度对薄膜微结构的影响,通过光致发光谱和透射光
2、谱对六方AIN薄膜的光学性能进行研究。结果表明:沉积温度为450℃时,沉积的AIN薄膜为非晶态;沉积温度为650℃时,在AI:O3基片上得到c轴单一取向的的六方AlN薄膜,且AINglAI2O3之间的外延匹配关系为AIN[12101//A12O3[1T001,A1N[1Too]HA12O3[12101和A1N(0001)//A1203(OOO1),这种面内相对旋转30。,可以减小AIN薄膜与A1203基片之间的晶格失配度和界面能。此外,650℃沉积的A1N的透射率达到85%,禁带宽度为5,6eV。沉积
3、温度升高到750℃时,AIN薄膜的透射率和光学能隙变小。关键词:氮化铝薄膜;外延生长;氧化铝基片;激光分子束外延法中图分类号:0484.1文献标志~i-5:A文章编号:0454—5648(2011)11—1819—06网络出版时间:2011—102510:49:06DOI:CNKI:I1.2310/TQ.20111025.1049.018网络出版地址:http://www.cnki.net/kcms/detail/11.2310TQ.201110251049.018.htmlEffectofGrowt
4、hTemperatureonAINFilmsDepositedbyLaserMolecularBeamEpitaxyZHA0Dan,ZHUJun,LIYanrong2(1.No.38InstituteofChinaElectricsTechnologyGroupCorporation,Hefei230088;2.StateKeyLaboratoryofElectronicFilmsandIntegratedDevices,UniversityofElectronicScienceandTechnolo
5、gyofChina,Chengdu610054,China)Abstract:A1NfilmsweredepositedonA1,Osubstratebylasermolecularbeamepitaxy.TheefectofdepositingtemperatureonthemicrostructureofA1Nfilmswasinvestigatedbyreflectionhighenergyelectrondifraction.X—raydifraction.andatomicforcemicr
6、o—scope.TheopticalpropertiesofA1Nfilmswerecharacterizedbyphotoluminescenceandtransmittancespectra.TheresultsindicatethatAlNfilmsdepositedat450℃haveanamorphousstructure.TheepitaxialhexagonalAlNfilmsareobtainedwhenthetemperaturewasincreasedto650℃.Theepita
7、xialrelationshipbetweenA1NfilmandA1,OsubstrateisA1N『1210l//A1,0『l100],AIN『110O],/A1203n2101andA1N(0001)//A12O(ooo1)。respectively.The30。in—planerotationbetweenA1NfilmandA1,Osubstratecouldreducethelaticemismatchandtheinterfaceenergy.Inaddition,thetransmis
8、sivityis85%andthebandgaDis5.6eVfortheA1Nfilmsdepositedat650℃.ThetransmissivityandenergvbandofAlNfilmswoulddecreasewhenthedepositiontemperatureincreasesto750℃.Keywords:aluminumnitridefilms;epitaxialgrowing;aluminasubstrate;lasermo
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