生长温度对激光分子束外延A1N薄膜的影响

生长温度对激光分子束外延A1N薄膜的影响

ID:37118729

大小:1.20 MB

页数:6页

时间:2019-05-18

生长温度对激光分子束外延A1N薄膜的影响_第1页
生长温度对激光分子束外延A1N薄膜的影响_第2页
生长温度对激光分子束外延A1N薄膜的影响_第3页
生长温度对激光分子束外延A1N薄膜的影响_第4页
生长温度对激光分子束外延A1N薄膜的影响_第5页
资源描述:

《生长温度对激光分子束外延A1N薄膜的影响》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库

1、第39卷第11期硅酸盐学报VO1.39,No.112011年11月JOURNAL0FTHECHINESECERAMICS0CIETYNovember,2011生长温度对激光分子束外延A1N薄膜的影响赵丹,朱俊,李言荣(1.中国电子科技集团第三十八研究所,合肥230088;2.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,#2-i~610054)摘要:采用激光分子束外延法在Al2O,基片上制备AIN薄膜。用反射高能电子衍射、x射线衍射和原子力显微镜研究沉积温度对薄膜微结构的影响,通过光致发光谱和透射光

2、谱对六方AIN薄膜的光学性能进行研究。结果表明:沉积温度为450℃时,沉积的AIN薄膜为非晶态;沉积温度为650℃时,在AI:O3基片上得到c轴单一取向的的六方AlN薄膜,且AINglAI2O3之间的外延匹配关系为AIN[12101//A12O3[1T001,A1N[1Too]HA12O3[12101和A1N(0001)//A1203(OOO1),这种面内相对旋转30。,可以减小AIN薄膜与A1203基片之间的晶格失配度和界面能。此外,650℃沉积的A1N的透射率达到85%,禁带宽度为5,6eV。沉积

3、温度升高到750℃时,AIN薄膜的透射率和光学能隙变小。关键词:氮化铝薄膜;外延生长;氧化铝基片;激光分子束外延法中图分类号:0484.1文献标志~i-5:A文章编号:0454—5648(2011)11—1819—06网络出版时间:2011—102510:49:06DOI:CNKI:I1.2310/TQ.20111025.1049.018网络出版地址:http://www.cnki.net/kcms/detail/11.2310TQ.201110251049.018.htmlEffectofGrowt

4、hTemperatureonAINFilmsDepositedbyLaserMolecularBeamEpitaxyZHA0Dan,ZHUJun,LIYanrong2(1.No.38InstituteofChinaElectricsTechnologyGroupCorporation,Hefei230088;2.StateKeyLaboratoryofElectronicFilmsandIntegratedDevices,UniversityofElectronicScienceandTechnolo

5、gyofChina,Chengdu610054,China)Abstract:A1NfilmsweredepositedonA1,Osubstratebylasermolecularbeamepitaxy.TheefectofdepositingtemperatureonthemicrostructureofA1Nfilmswasinvestigatedbyreflectionhighenergyelectrondifraction.X—raydifraction.andatomicforcemicr

6、o—scope.TheopticalpropertiesofA1Nfilmswerecharacterizedbyphotoluminescenceandtransmittancespectra.TheresultsindicatethatAlNfilmsdepositedat450℃haveanamorphousstructure.TheepitaxialhexagonalAlNfilmsareobtainedwhenthetemperaturewasincreasedto650℃.Theepita

7、xialrelationshipbetweenA1NfilmandA1,OsubstrateisA1N『1210l//A1,0『l100],AIN『110O],/A1203n2101andA1N(0001)//A12O(ooo1)。respectively.The30。in—planerotationbetweenA1NfilmandA1,Osubstratecouldreducethelaticemismatchandtheinterfaceenergy.Inaddition,thetransmis

8、sivityis85%andthebandgaDis5.6eVfortheA1Nfilmsdepositedat650℃.ThetransmissivityandenergvbandofAlNfilmswoulddecreasewhenthedepositiontemperatureincreasesto750℃.Keywords:aluminumnitridefilms;epitaxialgrowing;aluminasubstrate;lasermo

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。