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时间:2019-05-17
《微纳米尺度下有机_无机忆阻器电荷存储机理研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、单位代码10635学号012015319000170博士学位论文微纳米尺度下有机/无机忆阻器电荷存储机理研究论文作者:周广东指导教师:宋群梁教授学科专业:洁净能源科学研究方向:忆阻器机理提交论文日期:2018年3月12日论文答辩日期:2018年5月13日学位授予单位:西南大学中国重庆2018年5月√√本文中的简写说明1.RAM:随机存储器27.SDRAM:同步动态随机存储器2.ROM:只读存储器28.OTPROM:一次可编程只读存3.HRS:高电阻状态储器4.LRS:低电阻状态29.EEPROM:电可擦可编程只读存5.ITO:铟锡氧化物储器6.FTO:氟掺杂的氧化锡30.HR-TEM:高分
2、辨投射电子显微镜7.EDX:X-射线色散能谱31.A.E:活性金属电极8.XRD:X-射线衍射能谱32.C.E:不活泼金属对电极9.XPS:X-射线光电子能谱33.ECM:电化学忆阻效应10.SEM:扫描电镜34.VCM:化合价态变化忆阻效应11.FE-SEM:场发射扫描电镜35.NAND:叠层闪存储器(与非门)12.TEM:透射电子电镜36.CPU:中央处理器13.SRAM:静态随机存储器37.UV:紫外光谱14.DRAM:动态随机存储器38.FTIR:傅里叶变换红外光谱15.MRAM:磁随机存储器39.NDR:负微分电阻16.FRAM:铁电随机存储器40.SchottkyTunnelin
3、g:肖特基隧穿17.RRAM:阻变随机存储器41.Poole-FrenkelEmission:普尔-弗18.PRAM:相变随机存储器兰克林发射19.RS:阻变(忆阻现象)42.Fowler-NordeimTunneling:福勒20.EggAlbumen:蛋清蛋白-诺尔蒂姆隧穿21.CHE:沟道热电子43.CHI:电化学工作站22.AFM:原子力显微镜44.R.H:空气相对湿度23.ERSM:电子型忆阻器45.ICC:限制电流24.SCLC:空间电荷限制电流46.IV:谷电流25.SET:置位过程47.IP:峰电流26.RESET:复位过程48.BRS:双极型忆阻效应目录摘要........
4、..................................................................................................................IAbstract......................................................................................................................V第一章绪论....................................................
5、............................................................11.1记忆的理解.........................................................................................................11.2传统存储器简介.................................................................................................21.3新一代存储器-忆阻器...
6、.....................................................................................81.3.1忆阻器量纲推导...........................................................................................81.3.2忆阻器的发展历程........................................................................................91.3.3忆阻
7、器功能层材料......................................................................................111.4忆阻效应的机理...............................................................................................131.4.1
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