重掺杂c-Si前场的背结a-SiHc-Si异质结双面太阳电池

重掺杂c-Si前场的背结a-SiHc-Si异质结双面太阳电池

ID:37067901

大小:4.42 MB

页数:57页

时间:2019-05-17

重掺杂c-Si前场的背结a-SiHc-Si异质结双面太阳电池_第1页
重掺杂c-Si前场的背结a-SiHc-Si异质结双面太阳电池_第2页
重掺杂c-Si前场的背结a-SiHc-Si异质结双面太阳电池_第3页
重掺杂c-Si前场的背结a-SiHc-Si异质结双面太阳电池_第4页
重掺杂c-Si前场的背结a-SiHc-Si异质结双面太阳电池_第5页
资源描述:

《重掺杂c-Si前场的背结a-SiHc-Si异质结双面太阳电池》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、:分类号:密级■UDC::学号南昌大学硕士研究生学位论文---重掺杂cSi前场的背结aSi:H/cSi异质结双面太阳电池B--Heav-ifacialaSi:H/cSiHeterounctionSolarCellWithDoedjypc--SiFrontSurfaceFieldandRearJunction田罡煜培养单位(院、系):材料科学与工程学院指导教师姓名、职称:黄海宾副教授申请学位的学科门类:工学学科专业名称:材料科学与工程论文答辩日期:2018年5月3

2、1日答辩委员会主席:评阅人:2018年月日摘要摘要对于HIT太阳电池,a-Si:H具有非常高的吸收系数和短的迁移距离,在光照时会产生大量的吸光损耗。如果可以降低这部分吸光损耗,则HIT太阳电池的转换效率可以相对提升5%左右。为此,本课题组提出了Aggrids/SiNx:H/n+-c-Si/n-c-Si/i-a-Si:H/p+-a-Si:H/ITO/Aggrids结构的晶体硅异质结太阳电池来解决这一问题,本结构并可节省超过半数的ITO材料。因为基于heterojunctionofamorphoussiliconandcr

3、ystallinesilicon结构和diffusion技术,所以简称HAC-D太阳电池。并根据其制备工艺的需要设计了一条可行的制备技术路线。本文主要对HAC-D太阳电池进行了模拟分析和实验制备,以及在此基础上结合双p+-a-Si:H层发射极的设计进一步改进HAC-D太阳电池性能。主要结论如下:(1)模拟结果表明,HAC-D太阳电池不仅保留了HIT结构的高开路电压、低温度系数和较好的弱光性能等优良的特点,而且减小了a-Si:H和ITO层的寄生吸光损耗,其短路电流密度J-2sc高出约0.7mA·cm。HAC-D太阳电池的最高转换效率绝对

4、值超过HIT太阳电池1.5%左右,可达28.55%。(2)初步实验中HAC-D太阳电池的最高短路电流密度J-2sc为40.3mA·cm,比HIT太阳电池的最高纪录39.5mA·cm-2还要多出0.8mA·cm-2。(3)双层发射极HAC-D太阳电池的梯度掺杂设计有效的降低了接触电阻,提高了填充因子FF约0.6%;其最高的转换效率为19.94%优于单层发射极样品的19.53%。关键词:n型晶体硅太阳电池;a-Si:H背结;c-Si前场;短路电流IABSTRACTABSTRACTForHITsolarcell,theopticalabso

5、rptionlossattheilluminedfrontofthecellisacriticalissuebecausea-Si:Hpossessesaveryhighabsorptioncoefficientandlowtransferdistance.Arelativeefficiencyincreaseofover5%ispossiblefortheHITbifacialsolarcelliftheopticalabsorptionlosscouldbereduced.Forthispurpose,tomaintainthea

6、dvantageofbifacialpowergenerationandreducetheopticalabsorptionloss,anovelsiliconheterojunctionstructureofAggrids/SiNx:H/n+-c-Si/n-c-Si/i-a-Si:H/p+-a-Si:H/ITO/AggridswasdesignedwhichcouldalsosavemorethanhalfITOmaterials.Forthestructureisonthebasicofheterojunctionofamorph

7、oussiliconandcrystallinesiliconanddiffusetechnology,soitiscalledHAC-Dsolarcell,anditsfabricationrecipebasedonanindustrialprocessisproposed.Inthiswork,theperformanceoftheHAC-Dsolarcellswasstudiedbynumericalsimulationandexperiment.Adouble-layeremitterstructureisusedtoimpr

8、oveitsperformance.Themainresultsareasfollows:(1)TheresultofsimulationshowsthattheHAC-Dsolarcellretainedthehigh

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。