晶硅异质结太阳电池产业化发展

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1、法律声明：本讲义只作交流学习之用，内容仅供参考，转载需经原作者同意并注明出处，本组委会保留一切法律追诉的权利，此活动的最终解释权归亚洲光伏创新论坛所有。晶硅异质结太阳电池产业化发展Industrialdevelopmentincrystallinesiliconheterojunctionsolarcells沈文忠上海交通大学太阳能研究所Tel&Fax:86-21-54747552E-mail:wzshen@sjtu.edu.cn法律声明：本讲义只作交流学习之用，内容仅供参考，转载需经原作者同意并注明出处，本组委会保留一切法律追诉的权利，此活动

2、的最终解释权归亚洲光伏创新论坛所有。主要光伏技术方向~20%>22%法律声明：本讲义只作交流学习之用，内容仅供参考，转载需经原作者同意并注明出处，本组委会保留一切法律追诉的权利，此活动的最终解释权归亚洲光伏创新论坛所有。HJ法律声明：本讲义只作交流学习之用，内容仅供参考，转载需经原作者同意并注明出处，本组委会保留一切法律追诉的权利，此活动的最终解释权归亚洲光伏创新论坛所有。Japan：2015年晶硅电池发展趋势Diamondwireformono-Si100%Diamondwireformc-Si70%金刚线切割技术应用（多晶MACE技术）C

3、ostreduction30%Slurrybasedmc-SiDiamondwiremono-SiSlurrybasedmono-SiDiamondwiremc-SiOthersSource:ITRPV-SemiRoadmap2014法律声明：本讲义只作交流学习之用，内容仅供参考，转载需经原作者同意并注明出处，本组委会保留一切法律追诉的权利，此活动的最终解释权归亚洲光伏创新论坛所有。Applicationindiamondwirep-mc-Si(156x156mm2)Cells法律声明：本讲义只作交流学习之用，内容仅供参考，转载需经原作者同意并

4、注明出处，本组委会保留一切法律追诉的权利，此活动的最终解释权归亚洲光伏创新论坛所有。Applicationindiamondwirep-mc-Si(156x156mm2)CellsNowave.18.5%>0.4%absincreaseinefficiency,PassivationoptimizationforbetterUoc.法律声明：本讲义只作交流学习之用，内容仅供参考，转载需经原作者同意并注明出处，本组委会保留一切法律追诉的权利，此活动的最终解释权归亚洲光伏创新论坛所有。2015年晶硅电池发展趋势单晶回归，特别是n型电池（传统结构、

5、双面结构、高效结构）Source:ITRPV-SemiRoadmap2012法律声明：本讲义只作交流学习之用，内容仅供参考，转载需经原作者同意并注明出处，本组委会保留一切法律追诉的权利，此活动的最终解释权归亚洲光伏创新论坛所有。SHJ技术●晶体硅电池：工艺成熟、稳定性好、转换效率17-19%、市场份额80-85%高效晶体硅电池是当前研发热点，很多企业提出了新计划在现有工艺生产线上转换效率很难获得突破性的提高●非晶硅薄膜电池：制造用料省，工艺温度低，弱光性能强，温度特性好等优点但是效率低6-10%，有光致衰减效应法律声明：本讲义只作交流学习之用，

6、内容仅供参考，转载需经原作者同意并注明出处，本组委会保留一切法律追诉的权利，此活动的最终解释权归亚洲光伏创新论坛所有。非晶硅/晶体硅异质结太阳电池发展史：1968年，罗马尼亚的Grigorovici等在单晶硅衬底上首次报导实现了非晶硅/晶体硅异质结，采用热蒸发沉积非晶硅，因此非晶硅中不含氢，制备的非晶硅薄缺陷密度较高。1974年，随着PECVD技术的发展，德国的Fuhs等首次实现了氢化非晶硅/晶体硅（a-Si:H/c-Si）异质结器件。1991年，日本三洋（Sanyo）首次将本征非晶硅薄膜用于非晶硅/晶体硅异质结太阳电池，在p型非晶硅和n

7、型单晶硅之间插入一层本征非晶硅（i-a-Si:H），钝化异质结界面，电池效率达到18.1%，为当时低温（<200oC）形成p-n结太阳电池的最高效率。将该电池命名为HIT（HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer）电池。2013年，三洋（现松下）经过不断发展，HIT电池效率提升到24.7%，电池面积101.8cm2。法律声明：本讲义只作交流学习之用，内容仅供参考，转载需经原作者同意并注明出处，本组委会保留一切法律追诉的权利，此活动的最终解释权归亚洲光伏创新论坛所有。HIT—newhighefficiencyc

8、ellsThedevelopmentofstructureEarlierstructure:Nowdaysstructure:FrontHIT----