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时间:2019-05-16
《Ba,1-xSr,xTiO,3系统无铅介质瓷的制备与性能研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、摘要采用传统固相反应法以碳酸钡、碳酸锶和二氧化钛为原料,在1080℃首先合成了(Bao992.xSrxNdo008)Ti03.004粉体,然后加入氧化锑、氧化镁和二氧化锰等掺杂剂,制备了Bal.xSrxTi03基陶瓷,烧成温度为1300℃-1340"12,保温2小时。本文主要研究了SrC03的加入量、氧化锑的掺杂量、碳酸钡和二氧化钛原料纯度以及工艺条件对Bal.。SqTi03基陶瓷性能的影响。采用XRD测试了原料组成,在室温下,利用AutomaticLCRMeter4225测试了lkHz条件下试样的电容量C、介质损耗因数D和电阻率P,并测试了.2
2、0"C--+85"C范围内试样的C,得到了试样介电常数随温度的变化曲线。实验结果表明,(一)Sb203掺杂,Sb3+首先进入A位,引起晶格畸变,可以有效的增加体系室温时的相对介电系数,并降低介质损耗,从而改善了材料的介电性能。随Sb203掺杂量增加,Sb3+开始进入B位,这时虽然材料的介电性能有所下降,但其介电.温度曲线自1.6wt%组成点开始渐渐地趋于平缓。(二)随SrC03加入量的增加,试样的介电常数、损耗均减小,电阻率会增大;介电温度高温变化率会略微减小,低温变化率则显著增大。(三)工业纯原料Ti02.B因其中的杂质影响,对Bal.xSrx
3、Ti03基陶瓷有显著的压峰和展峰作用,其移峰作用并不明显。(四)工业纯原料BaC03.B因其中的杂质影响,对Bal-xSrxTi03基陶瓷有显著的移峰作用,且会产生“双峰作用”。(五)通过调配TiOz-B和BaC03.B比例及Sb203的掺杂量,得到了介电常数大于4000,介质损耗为0.009,高低温变化率均小于10%的无铅介质陶瓷。(六)讨论了多种工艺条件对试样介电性能的影响,主要包括烧结温度、成型压力和一次球磨时间。关键词:钛酸锶钡氧化锑氧化钕介电性能掺杂改性ABSTRACTTheinfluencesofSb203,SrC03andtechn
4、icalparameters011microstructureandpropertieswereinvestigatedinBailumstrontiumtitanatebasedceramicsinthispaper.StructuralanalysisofrawmaterialwasstudiedusingX—raydiffraction.Dielectricpropertiesofthesamplesweremeasuredat1kHzusingAutomaticLCRMeter4425under1kHzconditionatroomtem
5、perature.andCwerealsoobtainedfrom-20"Cto+85℃.Fromthosemeasurements。somepropertiesofthesamples,suchasthevariablerateofthedielectricconstantswithtemperature,wereacquired.Theexperimentalre:suitsstatedthat:(1)Sb3+ionsentertheA.siteofperovskite(AB03)in(Ba0.992.xSrxNdo.oos)Ti03.004
6、ceramicsfirgly,SOthedomainstructurechangeswhichlead£upandtangdown,thusthedielectricpropertiesareimproved.WiththeincreasingofSb203content.Sb升startedtoentertheB—site,aLsaresultthedielectricpropertiesdecreased,whilethechiveofe-TbecamegentlywhenSb’+contentequaled1.6wt%.(2)Dielect
7、ricconstantsc,dielectriclossestandandcoefficientsofdielectric-temperatureofthesamplesunderhilghtemperatureweredownwithSrC03contentincreasing;inthesametime,theresistantratePandcoefficientsofdielectric.temperatureofthesamplesunderlowtemperaturewasup.(3)IndustryrawmaterialTi02-B
8、canrestrainandbroadendielectricconstantintheCuietemperatureeffective
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