环形压敏电阻器的研究与制备

环形压敏电阻器的研究与制备

ID:36793524

大小:2.06 MB

页数:72页

时间:2019-05-15

环形压敏电阻器的研究与制备_第1页
环形压敏电阻器的研究与制备_第2页
环形压敏电阻器的研究与制备_第3页
环形压敏电阻器的研究与制备_第4页
环形压敏电阻器的研究与制备_第5页
资源描述:

《环形压敏电阻器的研究与制备》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、西北大学硕士学位论文环形压敏电阻器的研究与制各摘要srTi0。多功能陶瓷压敏电阻器具有可克服znO压敏电阻器不足之处的多种电气功能。它所具有的吸收高频噪声、前沿快脉冲上升噪声及自复位功能,使其在电源输入端、吸收电感性负载开关浪涌电压、保护双向可控开关器件、旁路电容器、微型电机等方面有着广泛的用途。本论文的研究主要包括两部分,第一部分为使用溶胶一凝胶法和固相合成法制备钛酸锶粉体材料。第二部分是在制备的钛酸锶粉体材料的基础上,通过掺杂施主、受主离子对钛酸锶材料进行半导化,制备电容一压敏双功能器件,并对两种方法制备的元件性能分析比较。

2、首先,分别采用溶胶一凝胶法和固相合成法,制备出钛酸锶粉体材料。用溶胶一凝胶法制备钛酸锶粉体材料中研究了搅拌时间、凝胶时间、凝胶温度、煅烧温度等工艺参数对制备钛酸锶粉体材料的影响。用图相合成法制备钛酸锶粉体材料中研究了Ti/sr比、研磨方法对制备钛酸锶粉体材料的影响。然后,在制备的钛酸锶粉体材料的基础上,采用传统的陶瓷工艺制备srTiO。基电容一压敏双功能陶瓷器件。在SrTi03基双功能陶瓷的制备中,最关键的是晶粒生长、晶粒半导化和晶界绝缘化。SrTiO。晶粒生长和半导化受到多种因素的影响,诸如掺杂剂的种类和含量、Ti/Sr比、烧

3、结温度等,这些因素是相互影响、相互作用的。因此,本文对这些影响因素进行了研究。最后,采用xRD、sEM等测试分析手段,对实验样品进行检测分析。关键词:钛酸锶,电容一压敏双功能陶瓷,srTi03基陶瓷,溶胶一凝胶法,固相合成法,掺杂剂西北大学硕士学位论文堑兰堡墼皇堕矍塑竺壅兰剑鱼AbstractMultifunctionSfn03ceramicVaristorhastheadvantagesoverZnOvaIjstorjnmanyelectricfunction.It’shi曲一舶quencenoiseabsorption,ab

4、sorptionofnoisecausedbyrapidriseoff而ntaIldselfresetf妇ctionhavewjdespreadapplicatio刀jnimputofsupply,forabsorptionofinductiVeloadswitchingsu唱ev01tagea11dforprotectionof如,o—waymyristorswitchingdeVice,byp髂scapacitorS,micro—machinesandtlleotllers.Researchoftllistllesisinc

5、ludetwopansmainly,firstpartincludethepreparalionofS—Ti03powdermaterialsbysOl—gelpIDcessands01idphasesynthesisprocess.Thesecondp矗n,onmebaseofs∞nti眦titana_cepowdermaterialspr印ared,Sm03-basedc印acitor-v撕stordoublefIlnctioncer黜icwerefabricatedbymeconventionalcer枷icpmcess.

6、Firstofall,pr印areSrTi03powdermat耐alsbys01喀elprocessandsolidphases”thesisprocess.Stirtime,gelten叩erature,heattreattenlperatureaIldsoonareresearchedinsol—gelprocess.Themethodof舒nd,Ti/srratioareresearchedinsolidph鹤esyIllllesisprocess.Second,onmebaseofstromi啪titaIlatepow

7、dermaterialsprepared,Srll03-baseddoublefunctionceramicweref曲ricatedbvtheconventionalceraIIlicprocess.ForS订103-baseddouble胁ctioncer锄ic,itiswelll(Ilowthatthesuitablegrainsize,thesemiconductingofgrainandtheinsulatingof黟ainboundafyareimportantkeys.ThegmwthaIldsemiconduct

8、ingof伊ainsareinnuencedbya10toffactors,suchasthetype‘a11dcontentsofd叩ants,Ti/Srmtio,sinteringtemperatureandsoon.A1lofmeaboVefactorsa

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。