资源描述：
《PVD设备构造和工艺流程》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、TFT的发展ShanghaiTianmaMicro-ElectronicsCO.,LTDSMD-950验收前报告2007.7.28金光燮PVD设备构造和工艺流程ShanghaiTianmaMicro-ElectronicsCO.,LTDSMD-950验收前报告目录1.设备LAYOUT的介绍.2.溅射设备的构成.3.原理&Process介绍.4.影响Process的因素.5.设备安全教育多真空室设备ShanghaiTianmaMicro-ElectronicsCO.,LTDSMD-950设备LAYOUT的介绍设备LAYOUT各腔体详细介绍:GATE
2、#1GATE#2S/DITOAlMoAlMoMoITO2个1个2个1个3个4个ShanghaiTianmaMicro-ElectronicsCO.,LTDSMD-950设备---------溅射设备构成1.溅射镀膜的设备－SPUTTER溅射镀膜的设备由装卸片腔,传送腔,加热腔,贱射腔组成.装卸片腔:上/下料腔传送腔:包括真空中的基板传送机械人.加热腔:包括多用电热板.贱射腔:包括溅射阴极，电热板.(3个腔体)控制台:对设备进行条件设定和运行控制的操作台.Sputtering设备总共由7个腔体构成.（2个上/下料腔，1个加热腔，3个溅射腔，1个传送
3、腔）装载系统包括投入装置和上料部，完成从专用蓝具取出玻璃基板，搬运并将基板装入专用托架，使托架处于待进入主体状态的任务。卸载系统包括下料部和取出装置，完成将基板安全从专用托架上取出、搬运并装入专用蓝具的任务。ShanghaiTianmaMicro-ElectronicsCO.,LTDPVD---PhysicalvapordepositionShanghaiTianmaMicro-ElectronicsCO.,LTDSystemstructureofSMD-950ShanghaiTianmaMicro-ElectronicsCO.,LTDLoadi
4、ng/UnloadingchamberShanghaiTianmaMicro-ElectronicsCO.,LTDLoading/UnloadingchamberShanghaiTianmaMicro-ElectronicsCO.,LTDHeatingchamberShanghaiTianmaMicro-ElectronicsCO.,LTDHeatingchamberShanghaiTianmaMicro-ElectronicsCO.,LTDTransferchamberShanghaiTianmaMicro-ElectronicsCO.,LTD
5、TransferchamberShanghaiTianmaMicro-ElectronicsCO.,LTDSputteringchamberShanghaiTianmaMicro-ElectronicsCO.,LTDSputteringchamberShanghaiTianmaMicro-ElectronicsCO.,LTDSMD-950设备LAYOUT的介绍ShanghaiTianmaMicro-ElectronicsCO.,LTDSubfloorsystemsofSMD-950ShanghaiTianmaMicro-ElectronicsCO
6、.,LTDSubfloorsystemsofSMD-950ShanghaiTianmaMicro-ElectronicsCO.,LTDSubfloorsystemsofSMD-950ShanghaiTianmaMicro-ElectronicsCO.,LTDSubfloorsystemsofSMD-950ShanghaiTianmaMicro-ElectronicsCO.,LTDＳＭＤ－９５０设备---------Process介绍原理&Process介绍.ShanghaiTianmaMicro-ElectronicsCO.,LTDSPUTTER
7、ING的原理SPUTTERING的原理:具有100~1000eV能量的粒子冲击到靶材时,入射粒子的运动量交换原理,从靶材释放出一定能量的粒子溅射到玻璃基板上面.特点：使用SPUTTERING方法溅射出来的膜,一般膜的付着力强,应力也大.★入射粒子冲击的材料叫做靶材.★释放到空间的原子的能量有1~100eV.ShanghaiTianmaMicro-ElectronicsCO.,LTDRF溅射与DC溅射的特性RF溅射与DC溅射RF溅射 1.通常用13.56MHz的高频电源。 2.SiO2等绝缘膜的溅射也可进行。 3.与DC溅射相比对基板损伤大。 4.
8、加同一效率、与DC相比速度约为一半。 5.没有对向电极也可发生放电。 DC溅射 1.采用数百V的直流电源。 2.不可以溅射绝缘膜。 3.
