高电荷态离子Arq，Pbq在Si，Cu，W靶表面上的原子溅射研究

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3、，俄歇电子发射，电子溅射，表面原予溅射等。在实验和理论上都得到了很多有价值的结果。高电荷态离子具有很大的势能，它与固体表面碰撞时有可能溅射出比自身数目大得多的原子。因而有可能在低动能入射，不损伤固体内部结构的情况下，在材料表面实现纳米蚀刻。所以高电荷态离子在固体靶表面引起靶原子溅射一直倍受关注．我们在中国科学院近代物理研究所ECR源实验平台进行了高电荷态离子Arq+(Ek=20--320keV，q--8，11，13，15，16)，Fbq+(Ek=80-720keV，q=20，24，30，32，35，36)轰击洁净的Si，Ql，W固体靶实

4、验。对靶材料采取一系列的化学，物理处理方式使其洁净。实验中，我们从不同的入射角度(15。．75。)测量了电中性和带正电溅射粒子的相对产额(99．9％为靶原子)。测量了以下入射离子在靶上的相对溅射产额：(a)入射离子A，，Ek=160keV,q=8，11，13，15，16(b)入射离子Afm，FA=96，112，128，144，160，176，208，240，288，320keV(c)入射离子At*，Ek=20keV(d)入射离子pbq+，Ek--400kcV，q=20，24，30，32，35，36(c)入射离子Pb瓣，Ek=216，25

5、2，288，324，360，432，504，576，648，720keV(f)入射离子Pb“，F．,=80kcV实验结果表明：在上述实验条件下，(1)，Arq,'-，pbq+轰击Si，Cu，W靶，靶表面没有发生爆炸而导致原子溅射；其中Arq+轰击Si，Cu，W靶，没有明显的势能溅射效应。(2)，存在0．3伽M

6、高电荷态离子，相对溅射产额，速度共振区，核能损4兰州人学硕十论文AbstractIthasbroughtalotofinteresttodosomeresearchoninteractionofslowhighlychargedions(SHCI)withsolidsurface，duringlast20years，suchastheneutralizationprocessofprojectile，x—m弘Augerelectron，andsurfaceatomsputtering．Manyusefulconclusionshaveb

7、eengotbothinexperimentandtheoryway．Foritshugepotentialenergy,SHCImayremovequantityofatomsfromsolidsurface．So，SHClwithlowkineticenergycouldleadtonanoscalemodificationinsolidsurface,yetnotcausinganydistortionintheSolid．SurfaceatomsputteringcausedbySHCIisavaluableresearchat

8、present．ExperimentaboutSHCI加旷(FA=20-320keV，q=8，11，13，15，16)，Pbq+(F-,=80-720kev，q=20，24，30，32．35．36)inte