LED漏电原因分析

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时间:2019-05-14

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1、.LED漏电的问题,有很多人都遇到过。有的是在生产检测时就发现,有的是在客户使用时发现。漏电出现的时机也各有不同。有些是在LED封装完成后的测试时就有;有些是在仓库放置一段时间后出现;有些是在老化一段时间后出现;有些是在客户焊接后出现;有些是在客户使用一段时间后出现。而对漏电问题的具体发生原因,一直困扰着封装厂的工程师。LED漏电的原因在引言部分,罗列了一些人给出的造成LED漏电的原因。根据本人多年处理LED问题及使用LED的经验,本人认为,在目前,最可能导致LED发生漏电的主要原因排序应该如下:(1)芯片受到沾污(——最主要、高发问题)(2

2、)银胶过高(3)打线偏焊(4)应力(5)使用不当(6)晶片本身漏电(7)工艺不当,使得芯片开裂(8)静电(9)其它原因本人将静电问题几乎排到了最后,几乎颠覆了行业乃至专家的认识。为什么把静电问题排在了最后,后面再谈详细原因。对LED漏电原因的分析:芯片受到沾污引起漏电..LED芯片是非常小的,灰尘等易对它产生遮蔽作用,最重要的是灰尘、水汽、各种杂质离子会附着与芯片表面,不仅会在表面对芯片内部产生作用,还会扩散进入芯片内部产生作用。比如,铜离子、钠离子都很容易扩散进入半导体材料中,非常微小的数量就可以使半导体器件的性能严重恶化。对于半导体器件的

3、制造,通常都要求有净化等级非常高的洁净厂房。可以考察一下LED封装厂,上千家之中有几家的厂房能有什么样的洁净等级?绝大多数都是能与大气直接相通的房间,根本谈不上净化。虽然有人会说,“我们的厂房没有灰尘,很洁净”,可是,洁净程度不是用眼睛来看的!眼睛是根本看不到芯片生产和封装要求的洁净程度的,必须是用专门的仪器来检测。不仅仅要求厂房要达到要求的洁净度,对涉及到芯片裸露的工序,工作人员要穿净化工作服,戴工作帽,戴口罩,工作人员不许涂化妆品等。这些个严苛生产条件,目前对LED封装厂来讲,不是想不到,就是不愿做。不愿做的原因非常简单,成本上的增加无法

4、接受——竞争太激烈。封装厂房达不到要求的洁净程度,那么,LED的质量问题就来了。早期的LED芯片以及现在很多厂家的芯片,都没有在芯片的侧面做保护层。现在国外一些芯片厂商已经开始在芯片的侧面做保护层了。但是,现在的保护层一般是采用二氧化硅材料,而且厚度很薄,保护能力是有限的。在洁净度很差的封装厂,仍然会由于沾污造成漏电现象。下面我们来做分析。芯片侧面没有做钝化很多芯片由于各种因素,没有对芯片的侧面做钝化保护,使得芯片划片后,PN结在侧面裸露于空气中。如图1所示。..以前未作侧面钝化的圆片,划片方法见图2和图3.从图4对实际芯片包装的照片上就可以

5、证明芯片侧面是不做钝化的。因为从照片上可以看到,芯片侧面极不规整。为什么这样芯片还可以出厂呢?因为,在芯片厂里,侧面即使没有保护层,由于厂房的洁净度高,加之裸露时间不长,侧面还没有受到沾污,所以测量是没有漏电的,就将它们出厂了。..为什么这样的状况就会造成漏电呢?下面就要从微观结构上来讲讲了。..图5是一个晶体表面处的微观结构示意图。表面处原子外层电子数不饱和,存在悬挂键。这些悬挂键形成表面态能级,引起漏电【3】【4】。而且,这些悬挂键非常有活性,很容易吸附其它分子、原子和离子。所吸附的杂质发生电离,直接就形成了电流通道。这个电流通道相当于给

6、PN结并联了一个电阻。这种表面沾污造成的漏电及短期失效问题,早已被半导体元器件制造行业认识,并通过制作保护层来加以解决。芯片侧面有保护层..现在有些LED芯片厂在芯片侧面也做上了二氧化硅保护层。但是,即使是PN结端面上有二氧化硅保护层,由于制造方面的原因,在二氧化硅中可能会有可移动的离子存在。在封装厂的不洁净环境中,还会收到沾污。所以,没有良好的二氧化硅生产工艺,没有达到洁净等级的封装厂房,LED封装后出现漏电的几率仍然是很高的。二氧化硅层中的可移动离子移动到半导体材料表面,可能使P型材料表面产生耗尽层,严重的发生反型,从而发生漏电。在通常的

7、硅半导体器件制造中,为了解决二氧化硅的问题,一般会在芯片功能制造完毕后,再增加一层钝化层。现在常用的是氮化硅材料。这样会大大提高半导体器件的稳定性和可靠性【5】【6】。这些不是本文讨论的内容,提及它只是提醒大家,在LED中,虽然有二氧化硅保护层,但后期不注意保洁,还是会有漏电问题的。对于二氧化硅中含可移动离子及沾污对漏电的更详细的分析,读者可以参考有关半导体的资料,如半导体物理、晶体管原理、半导体器件制造工艺等书籍。沾污漏电的表现晶体管的漏电,可能是PN结制造不良产生,也可能是沾污造成。通常,PN结不良或受损产生漏电是不可恢复的,具有正、反向

8、漏电状况基本相同的特征,而且常表现为完全穿通。沾污造成的漏电,观察其伏安特性,通常有多种表现,如:正、反向漏电的伏安特性曲线不同;反向击穿电压蠕变;正向伏安曲线蠕变

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