模拟电子技术基础课后答案

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1、第一章半导体基础知识自测题一、（1）√（2）×（3）√（4）×（5）√（6）×二、（1）A（2）C（3）C（4）B（5）AC三、UO1≈1.3VUO2＝0UO3≈－1.3VUO4≈2VUO5≈2.3VUO6≈－2V四、UO1＝6VUO2＝5V五、根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。六、1、UO＝UCE＝2V。2、临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3

2、：可变电阻区。习题1.1（1）AC（2）A（3）C（4）A1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。1.3ui和uo的波形如图所示。481.4ui和uo的波形如图所示。1.5uo的波形如图所示。1.6ID＝（V－UD）/R＝2.6mA，rD≈UT/ID＝10Ω，Id＝Ui/rD≈1mA。1.7（1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。（2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。1.8IZM＝PZM/UZ＝25mA，R＝UZ/IDZ＝0.24～1.2kΩ

3、。1.9（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故当UI＝15V时，由于上述同样的原因，UO＝5V。当UI＝35V时，UO＝UZ＝5V。（2）29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。1.10（1）S闭合。（2）481.11波形如图所示。1.1260℃时ICBO≈32μA。1.13选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，其温度稳定性好。1.141.15晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如表管号T1T2T3T4T5T6上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNP

4、NPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe1.16当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。当VBB＝1V时，T处于放大状态。因为当VBB＝3V时，T处于饱和状态。因为1.17取UCES＝UBE，若管子饱和，则1.18当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。当uI＝－5V时，晶体管饱和，uO＝0.1V。因为481.19（a）可能（b）可能（c）不能（d）不能，T会损坏。（e）可能1.20根据方程逐点求出确定的uGS下的iD，可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中，将各条曲线上uGD＝UGS（off）的点连接起来，便

5、为予夹断线。1.211.22过uDS为某一确定值（如15V）作垂线，读出它与各条输出特性的交点的iD值；建立iD＝f（uGS）坐标系，根据前面所得坐标值描点连线，便可得转移特性。1.23uI＝4V时T夹断，uI＝8V时T工作在恒流区，uI＝12V时T工作在可变电阻区。1.24（a）可能（b）不能（c）不能（d）可能第二章基本放大电路自测题一、（1）×（2）√（3）×（4）×（5）√（6）×（7）×二、（a）不能。因为输入信号被VBB短路。（b）可能（c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。（d）不能。晶体管将因发射

6、结电压过大而损坏。（e）不能。因为输入信号被C2短路。（f）不能。因为输出信号被VCC短路，恒为零。（g）可能。（h）不合理。因为G-S间电压将大于零。（i）不能。因为T截止。三、（1）（2）四、（1）A（2）C（3）B（4）B五、（1）C，DE（2）B（3）ACD（4）ABDE（5）C（6）BCE，AD六、48习题2.1ebc大大中大cbc小大大小bec大小小大2.2（a）将－VCC改为＋VCC。（b）在＋VCC与基极之间加Rb。（c）将VBB反接，且加输入耦合电容。（d）在VBB支路加Rb，在－VCC与集电极之间加Rc。2.3图P2.3所示各电路

7、的交流通路；将电容开路即为直流通路，图略。2.4空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V。带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V。2.5（1）×（2）×（3）×（4）√（5）×（6）×（7）×（8）√（9）√（10）×（11）×（12）√2.6（1）6.4V（2）12V（3）0.5V（4）12V（5）12V2.7482.8（a）饱和失真，增大Rb，减小Rc。（b）截止失真，减小Rb。（c）同时出现饱和失真和截止失真，增大VCC。2.9（a）截止失

8、真（b）饱和失真（c）同时出现饱和失真和截止失真2.10（1）（2）2.11空载时，2.12②①②①③③②①