模拟电子技术基础课后答案----

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1、第三部分习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。2、当PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。3、在N型半导体中，自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子。二．判断题1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。（×）2、在N型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P型半导体。（√）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，

2、扩散电流小。（×）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（×）5、PN结在无光照无外加电压时，结电流为零。（√）6、温度升高时，PN结的反向饱和电流将减小。（×）7、PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（×）习题2客观检测题一、填空题1、半导体二极管当正偏时，势垒区变窄，扩散电流大于漂移电流。2、在常温下，硅二极管的门限电压约0.6V，导通后在较大电流下的正向压降约0.7V；锗二极管的门限电压约0.1V，导通后在较大电流下的正向压降约0.2V。3、利用硅PN结在某种掺杂条件下反向击穿特性陡直的特点而制成的二极管，称为（稳压）二极管。请写出这种

3、管子四种主要参数，分别是最大整流电流、反向击穿电压、反向电流和极间电容。二、判断题1、二极管加正向电压时，其正向电流是由（a）。a.多数载流子扩散形成b.多数载流子漂移形成c.少数载流子漂移形成d.少数载流子扩散形成2、PN结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压，（c）。a.其反向电流增大b.其反向电流减小c.其反向电流基本不变d.其正向电流增大3、稳压二极管是利用PN结的（d）。a.单向导电性b.反偏截止特性c.电容特性d.反向击穿特性4、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（c）。a.10μAb.15μ

4、Ac.20μAd.40μA5、有A、B两个二极管。它们的反向饱和电流分别为5mA和，在外加相同的正向电压时的电流分别为20mA和8mA，你认为哪一个管的性能较好？答：B好，因为B的单向导电性好；当反向偏置时，反向饱和电流很小，二极管相当于断路，其反向偏置电阻无穷大。。主观检测题1.写出题图2.1.2所示各电路的输出电压值，设二极管均为理想二极管。解：VO1≈2V（二极管正向导通），VO2＝0（二极管反向截止），VO3≈－2V（二极管正向导通），VO4≈2V（二极管反向截止），VO5≈2V（二极管正向导通），VO6≈－2V（二极管反向截止）。题图2.1.23重复题2.1.2，设二极管均为恒

5、压降模型，且导通电压VD＝0.7V。解：UO1≈1.3V（二极管正向导通），UO2＝0（二极管反向截止），UO3≈－1.3V（二极管正向导通），UO4≈2V（二极管反向截止），UO5≈1.3V（二极管正向导通），UO6≈－2V（二极管反向截止）。(a)(c)(b)题图2.1.44设题图2.1.4中的二极管均为理想的（正向可视为短路，反向可视为开路），试判断其中的二极管是导通还是截止，并求出、两端电压。解：题图2.1.4所示的电路图中，图（a）所示电路，二极管D导通，VAO=－6V，图（b）所示电路，二极管D1导通，D2截止，VAO=－0V，图（c）所示电路，二极管D1导通，D2截止，VA

6、O=－0V。2.2.1现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为5V和8V，正向导通电压为0.7V。试问：（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：（1）两只稳压管串联时可得1.4V、5.7V、8.7V和13V等四种稳压值。（2）两只稳压管并联时可得0.7V、5V等三种稳压值。2.2.2已知稳压管的稳压值VZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求题图2.2.2所示电路中VO1和VO2各为多少伏。题图2.2.2解：（1）当VI＝10V时，若VO1＝VZ＝6V，则稳压管的电流为，大于其最小稳定电流，所以稳压管击穿。故。

7、（2）当VI＝10V时，若VO2＝VZ＝6V，则稳压管的电流为，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故。2.2.3电路如题图2.2.3（a）（b）所示，稳压管的稳定电压VZ＝3V，R的取值合适，vi的波形如图（c）所示。试分别画出vO1和vO2的波形。题图2.2.3解：波形如图2.2.3所示。题图2.2.3所示的电路中，对于图（a）所示的电路，当时，稳压管DZ反向击穿，vo＝vi−3V，当时，稳压管DZ未击穿，vo＝0V。图2.2