LED芯片的发展趋势

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1、1.4LED芯片的发展趋势LED芯片的发展趋势一、大功率芯片二、高效率芯片三、我国芯片发展情况一、LED芯片大功率在LED按输入功率分类中，瓦级LED芯片的尺寸为1×1mm，小功率LED芯片为8×8mil=200×200µm。是不是会得出这样的结论：LED的芯片尺寸越大，输入的电功率越大，输出光通量越大。研究表明：当芯片尺寸大于1.666×1.666mm时，发光不会与芯片面积成正比，而是随着芯片面积的增加，发光强度减小。一、发展趋势之大功率一、LED芯片大功率未来大功率LED的获得方法不可能由大尺寸面积的单芯片LED完成由多个芯片

2、组合做成高亮度LED光源。一、发展趋势之大功率二、高效率LED芯片发光效率的理论推算200lm/W二、发展趋势之高效率目前的效率水平以白光LED为例2000年：10lm/W市场：70~100lm/W二、发展趋势之高效率2008年Osram新款白光LED发光效率又创新高在350mA的工作电流下，峰值亮度达到了155lm，发光效率为136lm/W。研究人员使用了一种新型1平方毫米LED发光元件。这种LED原型的色温为5000K，色座标为（0.349，0.393）(x，y)。欧司朗表示这种LED还可以工作于1.4A电流下，亮度可达到50

3、0lm，潜在应用包括投影仪、汽车车灯以及其他需要高亮度照明场合，届时仅靠单颗LED就能满足人们的需要。目前，欧司朗准备将这项技术迅速从实验室带入市场。二、发展趋势之高效率提高发光效率的方法内量子效率：电子跃迁产生光子的效率。基本可以达到80％甚至90％以上。外量子效率：远没有上面的高，也就是光子产生了，却无法有效提取，被LED吸收产生为热能导致结温升高。从芯片的外延片的结构中考虑，如衬底的结构、芯片表面处理、芯片大小、封装方法等方面改善。二、发展趋势之高效率提高外量子效率简介衬底剥离技术表面粗化技术制备基于二维光子晶体的微结构倒装

4、芯片技术芯片表面处理技术全方位反射膜发展大功率大尺寸芯片提高侧向出光的利用效率二、发展趋势之高效率三、我国芯片发展情况“十一五”半导体照明战略目标示意图我国LED芯片国产化趋势变化三、我国芯片发展情况国内外白光LED芯片指标对比三、我国芯片发展情况小结LED的发展趋势一是高功率，通过增加单个芯片的尺寸面积达到，或是组合使用大功率单个LED芯片。二是高效率，在内部量子效率无法提高的情况下，尽可能提高外量子效率，是产生的光子有效地辐射出来。三、我国芯片发展情况