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1、上海交通大学硕士学位论文提升高压PMOS漏极击穿电压的工艺改进方法姓名：朱天志申请学位级别：硕士专业：电子与通信工程指导教师：冯洁20080501上海交通大学工程硕士学位论文中文摘要的；而像闪存(Flash)这类集成电路成品,这类产品的内部基本单元的擦写操作通常需要用10V以上的高压，这就需要我们设计一个具有很高的漏极击穿电压的金属氧化物半导体晶体管器件来实现这种外围擦写电路。所以我们在正确地理解金属氧化物半导体晶体管器件的漏极击穿机制的基础上，如何设计一个具有合适的漏极击穿电压的金属氧化物半导体晶体管器件来满足实际电路的应用需求就显得非常重要。本论文针
2、对我们公司的某个集成电路(Flash)产品的实际电路中需要用到漏极击穿电压为-12V的高压PMOS的应用需求，重点讲述了在现行的源漏轻掺杂扩散结构中的三种漏极击穿机制及其界定方法，并且实现了一种可以在工业上大批量生产中应用的提升漏极击穿电压的工艺改进方法：通过增加源漏轻掺杂扩散离子注入剂量，改变离子注入的角度并取消离子注入后快速热处理来提升器件的漏极击穿电压，并分析了其机制。另外，本论文还研究了工艺改进对的高压器件的其他电性性能的影响，最后本论文还重新评估了工艺改进后该高压PMOS器件的可靠性。关键词：高压PMOS,源漏轻掺杂扩散结构，漏极击穿电压,器件
3、可靠性。II上海交通大学工程硕士学位论文英文摘要PROCESSIMPROVEMENTTOENHANCEHVPMOSDRAINBREAKDOWNVOLTAGEABSTRACTCMOSprocesstechnology,whichisbasedontheMOSFETdevice,isthemainstreamintoday’sintegratedcircuitstechnologyandnowover80%IntegratedCircuitsproductaredesignedandfabricatedbyCMOSprocesstechnology.Toda
4、y,CMOSprocesstechnologyhavealreadyevolutedtosub_microeraandeventodeepsub-microeraCMOSprocesstechnology.Inthesub_mircoanddeepsub_microCMOStechnologyera,weshouldconsiderthethresholdvoltage,saturationdrivingcurrent,leakagecurrentofMOSFETmeetingtheapplicationrequirementofdetailcircui
5、tinthedesign,andmoreweshouldconsideranotherkeylimitedfactor:thedrainbreakdownofMOSFET,whichisusuallycalledgate-controlleddrainbreakdownforitsbreakdownvoltageishighlyeffectedbygatevoltage.SowhenwedesignadetailcircuitintheintegratedcircuitswithsomeMOSFET,weneednotonlyensuretheMOSFE
6、T’sbasicelectricalparameters:suchasthresholdvoltage,saturationdrivingcurrentandleakagecurrentfitourrequirement.Butalsoensureasuitabledrainbreakdownvoltage.Forexample,whenwedesigntheI/OsignalESDprotectioncircuitandpower-inpadESDprotectioncircuitfortheintegratedcircuits,weshoulddes
7、ignaMOSFETwithsuitabledrainbreakdownforthekeyprotectionelementstomakethemturnonattherightconditiontimelyanduniformly,sowecanprotectthedevicesinthecorecircuitsofintegratedcircuits;AnotherVI上海交通大学工程硕士学位论文英文摘要exampleintheFLASHmemory,weneedhighoperationvoltageover10Vforbasicflashcell
8、writinganderasingoperation,soweneeddesig
