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时间:2019-04-30
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1、试题一答案 一、1:4; 2:O2-离子做面心立方密堆积,Na+填全部四面体空隙; 3:=4CNO2-=8[NaO4][ONa8]; 4:O2-电价饱和,因为O2-的电价=(Na+的电价/Na+的配位数)×O2的配位数; 5: 二、1:Al4[Si4O10](OH)8; 2:单网层状结构; 3:一层硅氧层一层水铝石层且沿C轴方向堆积; 4:层内是共价键,层间是氢键; 5:片状微晶解理。 三、1:点缺陷,线缺陷,面缺陷; 2:由低浓度向高浓度的扩散; 3:坯体
2、间颗粒重排,接触处产生键合,大气孔消失,但固-气总表面积变化不大; 4:按硅氧比值分类或按硅氧聚和体的大小分类; 5:表面能的降低,流动传质、扩散传质、气相传质和溶解-沉淀传质; 6:随自由能的变化而发生的相的结构的变化,一级相变、二级相变和三级相变。 四、1:O←→VNa′+VCl˙ 2:AgAg→Agi˙+VAg′ 3:3TiO23TiNb˙+VNb˙+6OO2TiO22TiNb˙+Oi′′+3O0 Nb2-xTi3xO3可能成立Nb2-2xTi2xO3+x 4:NaClN
3、aCa′+ClCl+VCl˙ 五、一是通过表面质点的极化、变形、重排来降低表面能,二是通过吸附来降低表面能。 1:t=195h 2:t=68h 七、当O/Si由2→4时,熔体中负离子团的堆积形式由三维架状转化为孤立的岛状,负离子团的聚合度相应的降至最低。一般情况下,熔体中负离子团的聚合度越高,特别是形成三维架状的空间网络时,这些大的聚合离子团位移、转动、重排都比较困难,故质点不易调整成规则排列的晶体结构,易形成玻璃。熔体中负离子团的对称性越好,转变成晶体越容易,则形成玻璃愈难,反之亦然。 八、晶界上质点排列结构不同于
4、内部,较晶体内疏松,原子排列混乱,存在着许多空位、位错、键变形等缺陷,使之处于应力畸变状态,具有较高能量,质点在晶界迁移所需活化能较晶内为小,扩散系数为大。 九、二次再结晶出现后,由于个别晶粒异常长大,使气孔不能排除,坯体不在致密,加之大晶粒的晶界上有应力存在,使其内部易出现隐裂纹,继续烧结时坯体易膨胀而开裂,使烧结体的机械、电学性能下降。工艺上常采用引入适当的添加剂,以减缓晶界的移动速度,使气孔及时沿晶界排除,从而防止或延缓二次再结晶的发生。 十、 PRSZωA2010455ωB10604585ωC70301010 十
5、一、略试题二答案 一、(1)1、(010)(111)[111][101];(4分) 3、1;Ti4+添八面体空隙,八面体空隙利用率1/4,四八面体空隙全;(3分) 4、否,因为Ti4+和O2-间没有明显的共价键成分。(2分) (2)1、岛状结构;(1分); 2、O2-与一个[SiO4]、三个[MgO6]配位:4/4×1+2/6×3=2=O2-的电价,O2-的电价(2分); 3、结构中有两种配位多面体[SiO4]、[MgO6](2分);[SiO4]呈孤立的岛状,中间被[MgO6]隔开
6、,SiO4]与[MgO6]之间共顶或共棱连接,同层的[MgO6]之间共棱、不同层的[MgO6]之间共顶连接;(4分) 4、不易,因为镁橄榄石的Si/O=1/4,最低,网络连接程度弱,结构中络阴离子团尺寸小,迁移阻力小,熔体的粘度低,冷却过程中结构调整速率很快。(2分) 二、写出下列缺陷反应式(10): 1、O?VNa′+VCl˙ 2、AgAg→AAi+VAg′ 3、3TiO23TiNb˙+VNb′′′+6O0 2TiO22TiNb˙+Oi′′+3O0 Nb2-xTi3xO3可能成立Nb2-2xTi2xO3+x
7、 三、1.(2分)粘度增加; 2.(2分)扩散也可以从低浓度向高浓度进行; 3.(2分)都是晶界移动的结果。正常长大是晶粒平均尺寸增加,反常长大是个别大晶粒尺寸异常增加。 4.(2分)正确 5.(2分)两个固相和一个液相 四、表面上的原子产生相对于正常位置的上、下位移,称为表面弛豫。(2分) NaCl单晶中处于表面层的负离子只受到上下和内侧正离子的作用,而外侧是不饱和的。电子云将被拉向内侧的正离子一方而变形,使该负离子诱导成偶极子。这样就降低了晶体表面的负电场。接着,表面层离子开始重排以使之在能量
8、上趋于稳定。为此,表面的负离子被推向外侧,正离子被拉向内侧从而形成了表面双电层。(4分) 五、 (2分) (2分) 因为<,所以铂丝向Cr2O3方向移动。(
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