中山学院-集成电路工艺基础_2011_a试题卷

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1、--电子科技大学中山学院考试试题卷课程名称:集成电路工艺基础试卷类型：A卷2010—2011学年第2学期期末考试考试方式：闭卷拟题人：文毅日期：2011-6-1审题人：学院：电子信息学院班级：学号：姓名：注意事项：1.答案一律做在答题卷上。2.请写上班级、学号和姓名。题一、单项选择题（共15小题，每题2分，共30分）答1．二氧化硅薄膜在半导体器件生产上的应用有（D）---止禁内线⑴对杂质的掩蔽作用⑵对器件表面的保护和钝化作用⑶用于器件的电绝缘和电隔离⑷作为电容器的介质材料⑸作为MOS场效应晶体管的绝缘栅材料---订A

2、．⑴⑵B.⑴⑵⑶C.⑴⑵⑷⑸D.⑴⑵⑶⑷⑸装2.在SiO2内和Si-SiO2界面中存在的电荷包括（C）⑴可动离子电荷⑵界面陷阱电荷⑶氧化层固定电荷⑷氧化层陷阱电荷A．⑴⑵⑷B.⑴⑶⑷C.⑴⑵⑶⑷D.⑵⑶⑷3.离子注入掺杂纯度高，是因为（B）A.杂质源的纯度高B.注入离子是通过质量分析器选出来的4.Si34薄膜在集成电路中的应用主要有：⑴钝化膜⑵选择氧化⑶电容介质N由于氮化硅氧化速率极低，因此被用作（B）的掩蔽膜；A．⑴B.⑵C.⑶D.⑴⑵5.热氧化过程中Si中杂质在Si-SiO2界面存在分凝现象，下图所示是（B）。--

3、-电子科技大学中山学院试卷第1页，共6页---A．m<1，杂质在SiO2中是慢扩散B.m<1，杂质在SiO2中是快扩散C.m>1，杂质在SiO2中是慢扩散D.m>1，杂质在SiO2中是快扩散6.硅平面制造工艺的硼、磷扩散都属于AA.替位式扩散B.间隙式扩散7.LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃，采用热分解法，反应方程式为：（B）A．SiCl4Si+2Cl2B.SiH4Si+2H2C.Si3N43Si+2N2D.SiH2Cl2Si+Cl2+H28.下面哪些说法是正确的（D）⑴热生长SiO2只能在Si衬底上生长

4、⑵CVDSiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上⑶CVDSiO2，衬底硅不参加反应⑷CVDSiO2，温度低A．⑴⑵B.⑵⑷C.⑴⑵⑷D.⑴⑵⑶⑷9.预扩散是在较____温度下（与主扩散相比），采用____扩散方式，在硅片表面扩散一层数量一定，按_____形式分布的杂质。（C）A．高、恒定表面源、余误差函数B．高、有限表面源、高斯函数C．低、恒定表面源、余误差函数D．低、有限表面源、余误差函数10.下面选项属于预扩散作用有（B）A.调节表面浓度B.控制进入硅表面内部的杂质总量C.控制结深11

5、.不论正胶或负胶，光刻过程中都包括如下步骤：---电子科技大学中山学院试卷第2页，共6页---⑴刻蚀⑵前烘⑶显影⑷去胶⑸涂胶⑹曝光⑺坚膜以下选项排列正确的是：（D）A.⑵⑸⑹⑴⑷⑶⑺B.⑸⑵⑹⑴⑷⑶⑺C.⑸⑵⑹⑶⑺⑷⑴D.⑸⑵⑹⑶⑺⑴⑷12.哪种Si外延方法存在反向腐蚀现象（A）A．氢还原反应B.硅烷热分解13.光刻胶的性能可用如下性能指标表征，其中表征光刻胶对光敏感度的性能指标是（B）A．感光度B.分辨率C.粘附性D.抗蚀性14.下面哪个说法是正确的（D）A.等离子体刻蚀各向异性好；B.反应离子刻蚀属于化学腐蚀过程C

6、.湿法腐蚀各向异性好；D.溅射刻蚀各向异性好15.LOCOS工艺属于（B）A．平坦化工艺B.隔离工艺二、填空题（共10小题，每题2分，共20分）1.某纯净的硅衬底，掺入P元素后其导电类型为N型（N型/P型）。2.有限表面源扩散的杂质分布服从高斯函数分布。3.入射离子的两种能量损失模型为：电子碰撞和核碰撞。4.离子注入后会引起晶格损伤，一般采用热退火工艺来消除损伤。5.物理气相淀积技术中最为基本的两种方法就是蒸发和溅射。6.在LPCVD中，由于hG>>kS，即质量输运系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀

7、积过程主要是表面反应速率控制对（对/错）7.分子束外延是一种在超高真空下的蒸发技术，是利用蒸发源提供的定向分子束或者原子束，撞击到清洁的衬底上生成外延层的工艺过程。8．正胶（正胶/负胶）曝光后显影时感光的胶层溶解了，没有感光的胶层不溶解留下了9.湿法刻蚀适用于粗(粗/细)线条。10.尖楔现象是Al/Si作为互连金属材料的突出缺点。三、简答题（共3小题，每题8分，共24分）1.在《硅集成电路工艺基础》这门课中学习到很多单项工艺。这些单项工艺可以分为哪三大类工艺，它们分别起什么作用？并简单描述每一大类工艺包括什么主要的单项

8、工艺。---电子科技大学中山学院试卷第3页，共6页---图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上光刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻刻蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等离子注入：退火扩散制膜：制作各种材料的薄膜氧化：干氧氧化、湿氧氧化等CVD（化