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时间:2019-03-28
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1、《电子电路基础》在线练习(练习专用)单项选择题1、OTL功率放大电路如图示,D1、D2的作用是()。(2分)A.充当T3的集电极负载B.消除交越失真C.增大输出功率D.减少三极管的穿透电流我的答案:B得分:2分参考答案:B2、测得某放大电路正常工作的晶体管三电极直流电位分别为1.7V,1.9V,-6.5V,则可判断该管属于()。(2分)A.锗NPN型B.锗PNP型C.硅NPN型D.硅PNP型我的答案:B得分:2分参考答案:B3、在桥式整流电路中,若整流桥中有一个二极管开路,则输出()(2分)A.输出电压只有半周波形B.输出电
2、压仍为全波波形C.输出电压无波形,且变压器或整流管可能烧坏D.对电路无实质性影响我的答案:A得分:2分参考答案:A4、在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为2.8V、3.5V、6V,则这只三极管属于()(2分)A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型我的答案:B得分:2分参考答案:B5、半导体中的少数载流子产生的原因是()(2分)A.外电场B.内电场C.掺杂D.热激发我的答案:D得分:2分参考答案:D6、稳压二极管在正常稳压工作时是处于()工作区间。(2分)A.正向导通B.反向击穿C.反向截止D.正向死区
3、我的答案:B得分:2分参考答案:B7、在本征半导体中掺入3价元素就成为()型半导体。(2分)A.P型半导体B.N型半导体C.PN结D.纯净半导体我的答案:A得分:2分参考答案:A8、测得某放大电路中三极管三管脚对地电位分别是2V、2.3V、5V,则三极管的三个电极分别是()。(2分)A.(E、C、B)B.(E、B、C)C.(B、C、E)D.(B、E、C)我的答案:B得分:2分参考答案:B9、 PNP型晶体管工作在放大区时,三个电极直流电位关系为() (2分)A.UC4、5、2分)A.晶体缺陷B.温度C.杂质浓度D.掺杂工艺我的答案:未作答得分:0分参考答案:C14、在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为6V、11.8V、12V,则这只三极管属于()(2分)A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型我的答案:未作答得分:0分参考答案:C15、测某放大电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V,则三极管的三个电极分别是( )。(2分)A.(E、C、B)B.(C、B、E)C.(B、C、E)D.(B、E、C)我的答案:未作答得分:0分参考答案:C16、测得三极管发射结正偏6、,集电结正偏,此时该三极管处于( )(2分)A.放大状态B.截止状态C.饱和状态D.击穿状态我的答案:未作答得分:0分参考答案:C17、整流滤波后输出直流电压不稳定的主要因数是()。(2分)A.温度的变化B.负载电流的变化C.电网电压的波动D.电网电压的波动和负载电流的变化两个方面我的答案:未作答得分:0分参考答案:D18、在本征半导体中掺入5价元素就成为()型半导体。(2分)A.P型半导体B.N型半导体C.PN结D.纯净半导体我的答案:未作答得分:0分参考答案:B19、影响多级放大器低频特性的原因是()。(2分)A.极间7、耦合电容B.三极管放大倍数C.三极管结电容D.温度我的答案:未作答得分:0分参考答案:A20、测得三极管发射结反偏,集电结反偏,此时该三极管处于( )(2分)A.放大状态B.截止状态C.饱和状态D.击穿状态我的答案:未作答得分:0分参考答案:B填空题21、使用三端稳压器时,为减小输出电压纹波,应在稳压器调整端与地之间接入一个 的电容。(2分)我的答案未作答得分:待批阅参考答案10uF22、空穴为多数载流子的杂质半导体称为 半导体。(2分)我的答案未作答得分:待批阅参考答案P型23、桥8、式、含有电容滤波的整流电路,其输出电压的平均值是变压器输出电压U2的 倍。(2分)我的答案未作答得分:待批阅参考答案1.1~1.224、三极管放大电路三种组态中, 组态功率增益最大。(2分)我的答案未作答得分:待批阅参考答案共发射极25、
4、5、2分)A.晶体缺陷B.温度C.杂质浓度D.掺杂工艺我的答案:未作答得分:0分参考答案:C14、在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为6V、11.8V、12V,则这只三极管属于()(2分)A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型我的答案:未作答得分:0分参考答案:C15、测某放大电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V,则三极管的三个电极分别是( )。(2分)A.(E、C、B)B.(C、B、E)C.(B、C、E)D.(B、E、C)我的答案:未作答得分:0分参考答案:C16、测得三极管发射结正偏6、,集电结正偏,此时该三极管处于( )(2分)A.放大状态B.截止状态C.饱和状态D.击穿状态我的答案:未作答得分:0分参考答案:C17、整流滤波后输出直流电压不稳定的主要因数是()。(2分)A.温度的变化B.负载电流的变化C.电网电压的波动D.电网电压的波动和负载电流的变化两个方面我的答案:未作答得分:0分参考答案:D18、在本征半导体中掺入5价元素就成为()型半导体。(2分)A.P型半导体B.N型半导体C.PN结D.纯净半导体我的答案:未作答得分:0分参考答案:B19、影响多级放大器低频特性的原因是()。(2分)A.极间7、耦合电容B.三极管放大倍数C.三极管结电容D.温度我的答案:未作答得分:0分参考答案:A20、测得三极管发射结反偏,集电结反偏,此时该三极管处于( )(2分)A.放大状态B.截止状态C.饱和状态D.击穿状态我的答案:未作答得分:0分参考答案:B填空题21、使用三端稳压器时,为减小输出电压纹波,应在稳压器调整端与地之间接入一个 的电容。(2分)我的答案未作答得分:待批阅参考答案10uF22、空穴为多数载流子的杂质半导体称为 半导体。(2分)我的答案未作答得分:待批阅参考答案P型23、桥8、式、含有电容滤波的整流电路,其输出电压的平均值是变压器输出电压U2的 倍。(2分)我的答案未作答得分:待批阅参考答案1.1~1.224、三极管放大电路三种组态中, 组态功率增益最大。(2分)我的答案未作答得分:待批阅参考答案共发射极25、
5、2分)A.晶体缺陷B.温度C.杂质浓度D.掺杂工艺我的答案:未作答得分:0分参考答案:C14、在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为6V、11.8V、12V,则这只三极管属于()(2分)A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型我的答案:未作答得分:0分参考答案:C15、测某放大电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V,则三极管的三个电极分别是( )。(2分)A.(E、C、B)B.(C、B、E)C.(B、C、E)D.(B、E、C)我的答案:未作答得分:0分参考答案:C16、测得三极管发射结正偏
6、,集电结正偏,此时该三极管处于( )(2分)A.放大状态B.截止状态C.饱和状态D.击穿状态我的答案:未作答得分:0分参考答案:C17、整流滤波后输出直流电压不稳定的主要因数是()。(2分)A.温度的变化B.负载电流的变化C.电网电压的波动D.电网电压的波动和负载电流的变化两个方面我的答案:未作答得分:0分参考答案:D18、在本征半导体中掺入5价元素就成为()型半导体。(2分)A.P型半导体B.N型半导体C.PN结D.纯净半导体我的答案:未作答得分:0分参考答案:B19、影响多级放大器低频特性的原因是()。(2分)A.极间
7、耦合电容B.三极管放大倍数C.三极管结电容D.温度我的答案:未作答得分:0分参考答案:A20、测得三极管发射结反偏,集电结反偏,此时该三极管处于( )(2分)A.放大状态B.截止状态C.饱和状态D.击穿状态我的答案:未作答得分:0分参考答案:B填空题21、使用三端稳压器时,为减小输出电压纹波,应在稳压器调整端与地之间接入一个 的电容。(2分)我的答案未作答得分:待批阅参考答案10uF22、空穴为多数载流子的杂质半导体称为 半导体。(2分)我的答案未作答得分:待批阅参考答案P型23、桥
8、式、含有电容滤波的整流电路,其输出电压的平均值是变压器输出电压U2的 倍。(2分)我的答案未作答得分:待批阅参考答案1.1~1.224、三极管放大电路三种组态中, 组态功率增益最大。(2分)我的答案未作答得分:待批阅参考答案共发射极25、
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