电子电路基础练习1

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1、电子电路基础练习题一、填空题1．PN结加正偏电压时,P区接电位,N区接电位,此时电流（大小高低）。2．常温下，硅二极管的开启电压（即：死区电压）约V，导通电压约V；锗二极管的开启电压（即：死区电压）约V，导通电压约_V。3．双极型三极管中有__种载流子导电,是_控制器件.4．场效应三极管中有____种载流子导电,是____控制器件.5．双极型半导体三极管工作在放大状态时,发射结_偏置,集电结__偏置.对于NPN管，此时各引脚电位大小关系是Uc_UB__UE;而对于PNP管，此时各引脚电位大小关系是UC_UB_UE。6．温度升高时,三极管

2、的电流放大系数变_,在相同IB的情况下,UBE将变__，ICBO变。7．单管放大电路中欲获较高的电压放大倍数且反相输出，应当选用__组态放大器；欲获较高的输入电阻，应当选用__组态放大器；欲获较宽的通頻带，应当选用__组态放大器。（限答双极型三极管单管放大电路组态名称）。9.欲放大直流信号,应采用___耦合方式.10.多级放大电路级间耦合有耦合、耦合和耦合三种方式。11.二变量真值表中，输入有0则输出为1，输入全1则输出为0，其逻辑关系是。12.十进制数14的等值二进制数是，8421BCD码是。13.有一个逻辑函数F=A⊕B,其与或表达

3、式为，与非-与非表达式为，或与表达式为，与或非表达式为。14.数字电路按照功能可以分为两类，一类是逻辑电路，另一类是逻辑电路。15.晶体三极管作开关用时，在大信号作用下，稳态时工作在区和区，过渡状态工作在区。16.使用TTL集成门电路时，为实现线与逻辑功能应选用门电路，为实现总线系统应选用门电路。17.TTL门电路输出高电平的典型值是伏，输出低电平的典型值是伏。18.TTL与门多余输入端应该接，TTL或门多余输入端应该接。19.TTL与非门的灌电流负载发生在输出电平情况下，拉电流负载发生在输出电平情况下。20.欲将10KHZ的矩形波变换

4、成1KHZ的矩形波可使用电路。21.欲将10KHZ的正弦波变换成同频率的矩形波可使用电路。22.理想集成放大器的开环电压放大倍数Aod=_,差模输入电阻rid=___,输出电阻ro=_，共模抑制比KCMR=___.(限用,0符号)23.PN结正向偏置时__扩散形成较大的正向电流，反向偏置时__漂移形成较小的反向电流。24.数字逻辑电路中某一时刻的输出状态仅由该时刻电路的输入信号决定，称其为___逻辑电路。若输出状态还与输入信号作用前的本身状态有关，称其为___逻辑电路。25.测出两个单管共射电路幅频响应曲线如图：从中可知（a）Au=倍，

5、fL=Hz，fH=Hz(b)的Au=倍，fL=Hz，fH=Hz（b）电路的信号耦合方式一定是耦合。二、单项选择题1．在本征半导体中，电子浓度____空穴浓度；在P型半导体中，电子浓度__空穴浓度；在N型半导体中，电子浓度_空穴浓度；A小于B大于C等于D无法判断2．当PN结外加正向电压时，扩散电流____漂移电流，耗尽层____；当PN结外加反向电压时，扩散电流____漂移电流，耗尽层___。A小于B大于C等于D变宽E变窄F不变3．采用差动放大电路是为__而设置的。A稳定放大倍数B提高输入电阻C克服温漂D扩展频带4．集成运放工作在线性区时

6、，两个输入端的电压u+和u-满足关系式，这叫而两个输入端的电流I+和I-满足关系式，这叫。Au+=u-．Bu+>>u-C虚短（路）D虚断（路）EI+=I-=0FI+

7、大C.减小D.无法判断9.单相桥式整流电路中，流过每个二极管的平均电流是负载电流的倍。A.0.25B.0.5C.1.0D.1.510.工作在放大状态的三极管，测得三个管脚的电位分别为:1脚-3.2V,2脚-3V,3脚,-6V。由此可以判定三极管为。A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管D.PNP型锗管11．正逻辑系统约定电平用逻辑“1”表示A.高B.低C.0D.任意12.当输入变量A、B的取值相同时，输出F=0，取值不同时F=1，则输出与输入间的逻辑关系是A.异或B.同或C.与非D.与或非13．在杂质半导体中，多子浓度主要取决

8、于____，而少子浓度则与___有关系。A温度B掺杂工艺C杂质浓度D晶体缺陷14．集成运放内电路大多采用____耦合方式.为降低温漂，它的输入级采用______式放大电路的形式，为了提高带负载的能力，它的输