综合测试题五答案

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1、《多晶硅生产技术》综合测试题五答案一、填空题（每空1分，共30分）1、在半导体工艺生产过程中，各种产品对水的纯度要求各有不同。人们通常将水分为纯水和超纯水两种。2、离子交换树脂是一种高分子化合物，是由树脂的骨架和活性棊团两部分组成的,主要是由苯乙烯和二乙烯苯的共聚体而组成骨架，这种树脂的骨架可用R表示，在树脂的骨架上导入一些活性基团后，即成离子交换树脂。3、如果导入的是酸性基团，这些酸性基团上的H*离子可以和溶液中的阳离子发生交换作用，所以叫做阳离子交换树脂。阳离子交换树脂与水交换后流出的水呈酸性。4、点燃氢

2、气与氧气的混合物，可以爆炸化合生成水,同时释放岀大量的热。5、氢气在多晶硅厂中一般是通过电解水法生产。在电解水过程中，由电解槽阴极生成的氢气导入氢气总管，送到氢气处理工序。目前广泛使用的碱性电解槽结构主要有两种：单极式电解槽和双极式电解槽。6、氯气泄漏时，现场负责人应立即组织抢修，撤离无关人员，抢救中毒者。抢修、救护人员必须佩带有效防护而具。7、合成氯化氢的主要设备有合成炉、缓冲罐、冷却器、氯化氢缓冲罐、除雾器、氢气阻火器和真空泵。8、硅粉和氯化氢按下列反应生成SiHChSi（固）+3HC1（气）2g20P》

3、siHCh_（气）+出（气）+Q此反应为放热反应，当温度超过350°C时，将生成大量的SiCUo合成三氯氢硅在沸腾床中进行。9、多品硅质量的好坏，往往取决于原料三氯氢硅的纯度。目前，生产厂家对三氯氢硅的提纯主要是采用精鏗法。10、汽化是物质由液态转变为气态的相变过程，有蒸发和沸腾两种形式。11、气液两相达到平衡时气体叫做饱和蒸气。饱和蒸气具有的压强叫做饱和蒸气压。12、在混合溶液中，以某纯物质的沸点为界，高于此沸点的物质为高沸物。13、通常，将原料液进入的那层板称为加料板，加料板以上的塔段称为精傳段,加料板以

4、下的塔段（包括加料板）称为捉憾段。14、精懈装置主要包扌舌精徭塔、再沸器和冷凝器。15、在精镭操作中，下层塔板上的液体涌至上层塔板，破坏了塔的正常操作，这种现象叫液泛。16、经提纯和净化的SiHCl3和出，按一定比例进入还原炉，在1080°C〜1100°C温度下,SiHCh被H2还原，生成的硅沉积在发热体缺上。17、三氯氢硅氢还原岗位所需的原料有：氢气、三氯氢硅、硅芯、石墨等。18、在还原过程中，当原料混合气中混有水汽或氧时，则会发生水解及氧化，生成一层Si02氧化层附在硅棒上，当被氧化的硅棒上又继续沉积硅时

5、，就形成“氧化夹层”。19、要求每根硅芯属同一导电类型。20、在拉制硅芯开炉时先逋水，后通电、并经常检查冷却水流畅情况。二、选择题（每题3分，共30分）1、超纯水的电阻率为：（D）A、lOkQcmB、60kQcmC、lOMQcmD、18MQ・cm。2、阴离子交换树脂失效后用（A）溶液进行再生，A、NaOHB、HC1C、H2O3、常用的氢气净化方法中（B）是比较经济已被广泛应用的一种方法。A、耙合金扩散法B、催化脱氧及吸附干燥法。C、氧化法D、还原法4、HC1气体检测除了要检测含量以外，还要检测（B）A.碘过量

6、Bs氯过量C、澳过量D、氯化氢过量5、合成三氯氢硅的设备是（D）A、合成炉B>流化床C、还原炉D、6、在精馆操作中，精憾段操作线方程为（B），1/，WA、+l=Lz_wxm-「―WX'V沸腾炉°、ym+iRR1口、yn+i=Xn+XDn1R+1nR+1Dq1y=xx卩q-1q-1D、7、加入精慵塔的原料液温度等于泡点。rti于原料液的温度与进料板上液体的温度相近，因此原料液全部进人提镭段，而两段的上升蒸气流量相等，这种进料热状态属于（B）A、冷液体进料；B、饱和液体进料；C、气液混合物进料；D、饱和蒸气进料；

7、E、过热蒸气进料8、在精憾操作中，下层塔板上的液体涌至上层塔板，破坏了塔的正常操作，这种现象叫（C）A、漏液B、鼓泡C、液泛D、淹塔。9、还原尾气中的H2、HCKSiHCh、SiCl4等成份经鼓泡、氯硅烷喷淋洗涤、加压并冷却到一定的温度，其中O几乎可以被全部冷凝下来。A、H2和SiHCbB、SiHCb和SiChC、HC1和SiCbD、H2WHC110、冷氢化就是将（B）在一定温度、压力及摩尔配比下，使四氯化硅部分转化为三氯氢硅的方法。A、SiCl4和出B、SiCb、Si和电C、SiCl4和SiD、SiH2Cl

8、2>Si和出三、判断题（正确的打■错误的打X。每小题2分，共20分）1、当设备、管道发生氢气泄露而引起爆炸、燃烧时，必须迅速判明氢气來源处，然后关掉氢气阀门。（X）2、精饰塔为了能够连续稳定操作，保证组分分离效果，一般选择在塔底加料。（X）3、一旦发生操作人员吸入大量三氯氢硅时，应立即将患者移到空气新鲜处并请医生治疗；三氯盘硅溅入眼内、皮肤上，先用水洗，后按医生吩咐治疗。（丁）4、液体的饱和蒸气压与