ttl门电路简单小结

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1、以基集b和发射极e之间的发射结作为输入回路。以集电极c和发射极e之间的回路作为输出回路。VON为开启电压。硅三极管的开启电压VON为0.5~0.7V，锗三极管的开启电压VON为0.2~0.3V。VBE为输入电压，iB为输入电流。VCE为输出电压，iC为输出电流。集电极电流iC不仅受VCE影响，还受基极电流iB影响。输出特性曲线分三个区：1、曲线右边的水平部分为放大区（线性区），特点是：iC随iB成正比变化，几乎不受VCE变化的影响。2、靠近纵轴部分为饱和区，特点是：iC不随iB贝塔的比例增加，而是趋向饱和。硅三极管饱和区的VCE值约为0.6~0.7V，深度饱和状态下的饱和

2、压降在0.2V以下。3、iB的一条输出特性曲线以下的区域为截至区。截止区特点是iC几乎为0.双极型三极管的基本开关电路当VI=0，或者VIVON时，三极管导通状态，输出电压为低电平VOL.硅三极管的深度饱和压降为0.3V，VCE（sat）饱和导通压降。RCE（sat）饱和导通内阻。锗三极管的深度饱和压降为0.1V综上述，保证当VI=VIL时VBEIBS，三极管工作在深度饱和状态，相当于开关接通,在开关电路

3、的输出端VO=VOL输出低电平。则Y=Aˊ则三极管的c-e间就相当于一个受VI控制的开关。晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置,且集电节反向偏置.PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄.(幻灯片第114张和115张不明白).稳压管的稳压区是其工作在反向击穿.β=⊿iC/⊿iB,β是交流电流的放大系数。α=β/(1+β)当三极管截止时,发射结反偏,iC=0,相当于开关断开;当三极管饱和时,发射结正偏,VCE=VCE（sat）≈0.相当于开关闭合.1.3图3.5.10TTL反相器的电压传输特性TTL反相器的电压的传输特性压传输特性1、A~B段：截止区：VI<0.6V,

4、VB1<1.3VT1导通，T2，T5截止，T4导通→VOH=VCC—VR2—VBE4—VD2=3.4V。2、B~C段：线性区：0.7VVO↓3、C~D段：转折区:4、D~E段：饱和区：VI继续↑，而VO不变，VO=VOL。TTL门店里的输入端噪声容限参数VOH（min)=2.4V,VOL（max)=0.4V,VIH（min)=2.0V,VIL（max)=0.8V,VNH=0.4V,VNL=0.4VTTL门电路的输入特性:图3.5.13TTL反相器的静态输入特性IIS输入高电平输入低电平D1导通输出特性:

5、高电平输出:输出为VO＝VOH时，T4、D2导通，T5截止.74系列最大为IOH（max）＝－0.4mA.低电平输出:输出为VO＝VOL时，T4、D2截止，T5导通.VOL基本呈线性关系.扇出系数计算:扇出系数就是一个门电路驱动同类型门电路的个数。也就是表示门电路的带负载能力。当输出低电平时:设有N1个非门,则有当输出为高电平时,设可带N2个非门,则有则取N=min{N1,N2}TTl反相器输入端的负载特性曲线：故一般对于TTL门电路，若输入端通过电阻接地，当RP≤0.7KΩ时，构成低电平输入方式；当RP≥1.5KΩ时，构成高电平输入方式。其他类型的TTL与非门图3.5.

6、29TTL与非门电路TTL与非门电路若输入端接低电平时，输入电流的计算和反相器相同。输入端接高电平，T1的两个发射结反偏，故输入电流为单个输入端高电平输入电流的2倍。输出为高电平时，可以带N1个同类逻辑门，则2N1*IIH≤IOH。输出为低电平时，可以带N2个逻辑门，则N2*IIL≤IOLN为驱动个数或非门与或非门异或门图3.5.34异或门电路AB（A＋B）′Y=A⊕B注释：与门和或门是在与非门和或非门的基础上加了一级反相器构成。ＯＣ门ＯＣ门的与非门电路图和符号示意图与非门符号ＯＣ门的与或非门Ｙ＝（ＡＢ＋ＣＤ）＇外界负载电阻ＲＬ的计算ａ：驱动输出为高电平时　　　　　　　其

7、中n－驱动管的个数，m－负载管输入端的个数，IＯＨ－每个OC门T5管截止时的漏电流；IＩＨ－负载门每个输入端的高电平输入电流。ｂ：驱动输出为低电平时m¢－负载管短路电流的个数；IＯＬ－OC门T5管导通时的电流；IＩＬ－负载门每个输入端的短路输入电流。ＴＴL门电路上拉电阻计算ＲＬ（min）ＴＴＬ门电路中，当输入端并联时：（一个负载门可能有ｎ个输入端）当电路为与非门时，低电平输入，ｍ＇＝负载门的个数，而不是输入端的个数。高电平输入时ｍ＇＝输入端的个数。当电路为或非门时，低电平输入，高电平输入ｍ＇＝输入端的个数。ＯＣ门（又称集电极开