金属—绝缘体—金属半导体结构的电学性质研究

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2、人郑重声明：所提交的学位论文是本人在导师的指导下，独立进行研究工作所取得的成果。除文中己经注巧引用的内容外，本论文不含其他个人或集体已经发表或撰写过的研究成果，也不含为获得苏州大学或其他教育机构的学位证书而使用过的材料。对本文的研究作出重要贡献的个人和集体，均己在文中明确方式表明。本人承担本声明的法律责任。论文作者签名：苗日期：．．，．每？＿＿苏州大学学位论文使用授权声明本人完全了解苏州大学关于收集、保存和使用学位论文的规定，艮Ｐ；学位论文著作权归属苏州大学。本学位论文电子档的内容和纸质论文的内容一致

3、。苏州大学有权向国家图书馆、中国社科院文献信息情报中也、中国科学技术信息研究所（含万方数据电子出版社）、中国学术期刊（光盘版）电子杂志社送交本学位论文的复印件和电子文档，允许论文被查阅和借阅，可采用影印、缩印或其他复制手段保存和汇编学位论文，可将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进巧检索。渺密论文口■本学位论文属在＿＿年＿月解密后适用本规定。论非鞭密论文垃文作者签名：日期：＞／／．全．禾私？导师签名：日期：７。瓜吁＇１金属-绝缘体-金属/半导体结构的电学性质研究中文摘要中文摘要电子信息存储器在

4、市场上占有越来越大的份额，越加显示其重要性，而金属-绝缘体-金属（MIM）和金属-氧化物-半导体（MOS）结构是电子信息存储器最常用的结构，本文主要通过以下几方面的研究来促进电子信息存储器的发展。1.研究原子力显微镜（AFM）在电子信息存储器研究中的应用；2.二维介电层在随机阻变存储器（RRAM）中的可靠性；3.金属-氧化物-半导体在原子力显微镜中零压下产生电流的原因。研究表明，环境舱可以有效控制AFM的测试环境，置换舱内气体、降低环境舱内相对湿度、提高AFM的分辨率，对导电原子力显微镜（CAFM）在电子信息技术方面的应用有积极作用。二维介电层

5、的引入开启了RRAM的新篇章，其AFM的可靠性研究发现，二维氮化硼的电学稳定性高于氧化铪，击穿过程是逐层进行的，器件水平的研究表明基于氮化硼的RRAM能够稳定运行，上电极钛与硼相互作用，形成导电细丝。氮化硼RRAM制备方法简单并与CMOS工艺相容，利于大规模生产。在RRAM的研究过程中发现，CAFM测试MOS结构的样品时，零压下可以产生电流，许多研究者有同样的发现，但没有得到公认的解释。本文通过不同功能的CAFM以及对不同的样品进行大量数据研究发现，该电流为CAFM的激光产生的光电流。激光在探针悬臂处泄露使得部分激光照射到探针下方的样品上，电子

6、存储器常用硅衬底，而硅是很好的吸光材料，产生自由电子-空穴对。这个现象可发生在任何可吸收光并具有内建电场的衬底上，因此在实验研究中要考虑这一方面。关键词：环境舱，原子力显微镜，氮化硼，随机阻变存储器，光电流，激光作者：吉艳凤指导老师：MarioLanzaIAbstractElectricalpropertiesofMetal-Insulator-Metal/SemiconductorstructureElectricalpropertiesofMetal-Insulator-Metal/SemiconductorstructureAbstrac

7、tElectronicinformationstorageoccupiesanincreasinglylargeshareinthemarket,showingitsimportance.Metal-insulator-metal(MIM)andmetal-oxide-semiconductor(MOS)arethemostusedstructuresinelectronicinformationstorage.Thispaperstudiesthefollowingresearchtopicstopromotethedevelopmentof

8、theelectronicdevices.1.Theapplicationofatomicforcemicroscope(AFM)inelectron