射频ldmos功率晶体管的特性研究

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3、■：＇■．，．＇■八片．非－：：ＶＭ；締：卸鸯酱絲砖：诗相本人独创性声明及取声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进斤的研究工作得的研究成果。据我所知，除了文中特别加标注和致谢的地方获夕ｈ论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为我得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与一说同工作的同志对本研究所做的任何贡献均己在论文中作了明确的明并表示谢意。＊作者签名：讓坤元论文使曰期：＞／《年ｒ月？。曰用授权本

4、学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文的规定，有权保留并向国家有关部口或机构送交论文的复印件和磁盘，部允许或部论分文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可ｙＡ将学位论文的全等内容编入有关数据库进行检索，可采用影印、缩印或扫描复制手段保存、汇编学位论文。（保密的学位论文在解密后应遵守此规定）作者签名：导师签名：＾Ｉ？日期：的＾年１月日分类号密级注1UDC（题名和副题名）（作者姓名）指导教师（姓名、职称、单位名称）申请学位级别学科专业提交论文日期2016.0

5、4论文答辩日期2016.05.11学位授予单位和日期20166答辩委员会主席评阅人注1：注明《国际十进分类法UDC》的类号。CHARACTERISTICSRESEARCHOFRFLDMOSPOWERTRANSISTORAMasterThesisSubmittedtoUniversityofElectronicScienceandTechnologyofChinaMajor:MicroelectronicsandSolid-StateelectronicsAuthor:LiangKunyuanAdvis

6、or:AssociatePro.DengXiaochuanSchool:SchoolofMicroelectronicsandSolid-Stateelectronics摘要摘要随着移动通信技术的快速发展，射频功率器件的需求日益剧增。这对射频功率器件的性能也提出更高的要求。为了实现应用在移动通讯基站和雷达等领域的射频功率器件国产化，本论文将对硅基射频LDMOS(LateralDoubleDiffusedMetalOxideSemiconductor)功率器件展开研究。本文主要研究S波段射频LDMOS功

7、率场效应晶体管的特性，目的是设计一款工作电压32V，工作频率2.9GHz，功率密度大于0.7W/mm，增益大于10dB的射频LDMOS晶体管。首先，本文采用的器件结构：采用钨sinker结构将器件源极引入到P型重掺杂衬底；利用单层法拉第罩结构，优化漂移区电场并降低栅漏寄生电容。然后根据设计指标，利用器件模拟软件Silvaco仿真器件特性并确定结构参数。为了降低器件的寄生参数和提高击穿电压，本文介绍一些改进结构。本次流片元胞结构参数：栅宽70μm双指栅结构，漂移区长度2.8μm，法拉第罩0.8μm。流片

8、测试结果表明：阈值电压2.1V，击穿电压71V，功率0.8W/mm，截止频率10.2GHz，最高振荡频率28.7GHz。由于射频电路设计者采用器件模型进行仿真设计工作，论文最后部分进行S波段射频LDMOS器件建模。小信号模型在传统场效应晶体管模型的基础上增加了栅极和漏极引线寄生电容，小信号模型的仿真结果与测试结果拟合较好。然后，基于Angelov模型对大信号非线性源漏电流Ids和非线性电容Cgs与Cgd进行模型拟合。关键词：射频LDMOS，功率器件，法拉