基于p3htpeo全聚合物薄膜电双稳特性研究

基于p3htpeo全聚合物薄膜电双稳特性研究

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1、■嗎曙学校代码:10004密级:公开如i猶MPBEIJINGJIAOTONGUNIVERSITYi|^|硕dr专业学位论义1j>基于P3HT/IEO全聚合物薄膜电双稳特性研究Ii|■''^BP指导教师臟峰教授.:零年L*齡B’::^mJ|p■miiijH秦义適乂攀硕:t专业学位论文基于P3肌/PEO全聚合物薄膜电双稳特性研究ElectricalBistabledevicesbasedonP3HT/PEOFilms作者:邓雅丹导师:胡燈峰北京交通大

2、学2016年6月学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解北京交通大学有关保留、使用学位论文的规定。特授权北京交通大学可,1^将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索提供阅览服务,并采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编|^供查阅和借阅。同意学校向国家有关部口或机构送交论文的复印件和磁盘。学校可W为存在馆际合作关系的兄弟高校用户提供文献传递服务和交换服务。(保密的学位论文在解密后适用本授权说明)学位论文作者签名:导师签名%/^年^月曰签字曰期:年月曰签字曰期:II学校代码10004密级::公开北

3、京交通大学硕±专业学位论文基于P3肌/PE0全聚合物薄膜电双稳特性研究ElectricalBistabledevicesbasedon^P3HT/PEOIilms:4126025作者姓名:邓雅丹学号1:导师姓名胡煌峰职称:教授工程硕±专业领域:光学工程学位级别:硕±北京交通大学2016年6月I致谢、指导下完成的本论文的工作是在我的导师胡燈峰教授的悉屯。胡暦峰教授平、易近人、思维活跃、热情耐屯,在我研究生工作期间无论学习、科研还是生活中一都给予了极大的帮助,尤其在每次实验前都会对实验方案

4、给予合理化的意见与建议,同时在实验与测试过程中也给予指导与帮助,。胡煌峰教授宽W待人的风范严肃的科学态度,严谨的治学精神,对我的学习、科研和生活有极大的启发。在、此由衷的感谢胡煌峰教授两年来对我的督促、指导和关屯!感谢课题组的滕枫教授、侯延冰教授、类志东教授、邓振波教授、崔秋红研、究员及光电所所有老师对我科研工作的指导与帮助,在此向各位老师表示衷屯的感谢!在实验室工作期间,课题组的彭博、曹亚鹏、目龙锋、王越、秦亮、李春海、朱丽杰、宁宇、李剑煮、李旭、李熊、林涛、刘统方、辛希格、王尉谦、文颖秀、石礫硕、刘娟、涂晓燕、韩惠珍、王

5、敏、黄新、张帆、齐敬强、刘梦林等同学给予的热情帮助!,在此由衷的向他们表达我的感激之情另外,非常感谢我的父母和哥哥,在我的学习和生活中,他们的支持和鼓励一给了我前进的动力,他们的关也和爱护陪伴我成长的每步,。在此向他们多年、来的辛苦付出表示衷屯感谢!ii北京交通大学硕±学位论文摘要摘要一近年来,在有机光电子器件领域中,有机电双稳器件逐渐成为个重要的研究方向,。无机半导体存储器随着尺寸的减小生产成本呈指数增长再加上光刻技术的限制,逐渐满足不了人们对高存储密度、小尺寸存储器的需求。而有机电双稳器件具备存储密度大,、柔初

6、性好、成本低廉等优点受到了越来越多业界学者的关注,。相较于有机小分子材料的热蒸彼法有机聚合物在制备薄膜的过程中可采用旋涂法,制备工艺简单、成本低廉,而且聚合物材料具备质量轻、组成结构多变、柔初性好等优点,聚合物电双稳器件逐渐成为人们研究的热点。本工作3-己基唾吩通过H种不同的方法制备了基于聚(P3HT)和聚环氧乙烧(PEO)的全有机聚合物电双稳器件,并研究了其特性,王作主要内容如下;1单层全聚合物薄膜电双稳器件的研究。该器件的活性层为通过旋涂法制备()的由P3HT和PEO组成的共混单层薄膜。对器件的横截面进行扫描电子显微镜测量(

7、SEM),并对器件的各项电学性能进行了研究。通过改变P3HT与PEO的浓度配比研究其对电双稳特性的影响,。器件在正向电压区有很好的开关特性写入电3压为25V,最大开关比达到了10。对单层全聚合物电双稳器件的电流电压曲线进行线性巧合,研究了该器件在高导态和低导态的电荷传输机制。(2自发相分离形成双层全聚合物薄膜电双稳器件的研巧。对器件的横截面进)行扫描电子显微镜测量(SEM),发现该器件的活性层在热退火过程中由于自发相分离形成了双层结构。对器件的各项电学性能进行测量与研究,同样器件在正向电压区有很好的开关特性,阔值电压从25V减小到

8、10V,最大开关比同样达到了33一

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