纳米结构Ag-TCNQ电双稳薄膜的制备及分析

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1、真空电子技术研究与设计!"#$$%&’&#()*+,#-纳米结构!"#$%&’电双稳薄膜的制备及分析王伟军，张群!，吉小松，严学俭，章壮健，华中一（复旦大学材料科学系，上海())*++）!"#$%"%&’()%)*+)%,-.’.(/0,#1&"’1%,2’.&%3,#+4567898%)(4"%’):’,;.,!&-,./#012，34!&-’12!，567/89#:92"，;!&71.#0/82，34!&-3<182"#0/82，4=!3<92"#>/（!"#$%&’"(&)*+$&"%,$-./0,"(0"，123

2、$(4(,5"%.,&6，/7$(87$,())*++，97,($）+3.&"%1&：?@.ABC/A8@D/:B8D@.!"#$%&’BJ8A11F.J8H9C8B/9282IH9:B#822.8@/2"/28BF9:H<.C.KL<>:/A8@82IA<.F/A8@HC9H.CB/.:9EB<.E/@F:G.C..J8@18B.I82I/2J.:B/"8B.ID>8J8C/.B>F.82:9EJ/:/D@.@

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4、8@/T.ID>Q$PK<#-=("*.：!"#$%&’；?@.ABC/A8@D/:B8D@.HC9H.CB>；&829"C8/2E/@F；!22.8@/2"摘要：采用真空蒸发和大气环境下后热处理的方法制备了纳米量级颗粒均匀的!"#$%&’薄膜。通过可见光范围透射谱、7射线衍射、原子力显微镜、傅里叶红外光谱以及7光电子谱等分析研究了薄膜的物理和化学性质，发现热处理可促使!"和$%&’发生充分的络合反应并减小薄膜的颗粒度，在此基础上利用Q$P实现了局域电双稳态的转变和纳米存储点的写入。关键词：!"#$%&’；电双稳特性；纳

5、米颗粒薄膜；热处理中图分类号：U*V*KW文献标识码：!文章编号：W))(#VX+（Y())+）)(#)))+Z#)*经过数十年的发展，Q/，-.等传统无机材料制为了利用P#$%&’薄膜实现超高密度存储，需造的微电子器件即将达到极限尺寸。目前，各种新要解决以下几方面问题：薄膜表面颗粒应均匀细小，兴的有机材料由于具有独特的光、电特性，引起了研达到纳米量级；表面平整度好；薄膜各处电双稳态转究者的极大兴趣。其中，由金属P（如!"、%1）和有变的阈值电压比较一致［+，*］。此外，薄膜制备的工机材料四氰基对苯醌二甲烷（Z，Z，V，

6、V#B.BC8A>829]1/2#艺应较为简单。本文采用真空蒸发法制备了!"和9I/F.B<82.：$%&’）形成的金属有机络合物具有电学$%&’双层薄膜，并且引进热处理方法形成!"#$%&’双稳态特性［W，(］，所以P#$%&’薄膜在超高密度存储薄膜，对!"#$%&’薄膜从可见光透射率、颗粒度、化器和纳米开关器件方面具有潜在的应用前景。在学状态及双稳态阈值电压等方面进行分析表征，揭P#$%&’薄膜两端施加几伏的电压，当产生的强电示了适当的热处理条件会对薄膜的各项性质产生有场达到某一阈值时，薄膜可由高阻态转为低阻态；如益

7、的影响，利用Q$P实现了电双稳态转变和存储点再通过某种能量激励（如反向电场或电流脉冲），又的写入。可使薄膜从低阻态恢复到高阻态。在没有外加刺激>实验时，两种状态均能稳定存在。对于电双稳态转变的采用真空蒸发的方法制备!"#$%&’薄膜，基板机理，一般认为是由于P_和$%&’#之间实现了电荷处于室温，本底压强为（W‘(）aW)+L8。蒸镀过程转移［(］。采用自制的石英晶体测厚仪监控膜厚，薄膜厚度约为()‘Y)2F。然后，将制备的薄膜在大气环境下置收稿日期：())(#)V#W[于恒温器中进行热处理，温度控制在W))‘W*)b

8、，作者简介：王伟军（WXZX），男，硕士生。处理时间为WY‘+)F/2。!通迅联系人，?F8/@：T<82"]12^E1I82K.I1KA2可见光范围的透射曲线由自制的透射谱仪测"#"""""""#"(#"))"+年""!""""&9"K("#真空电子技术研究与设计!"#$$%&’&#()*+,#-量。使用!射线