异质外延生长红荧烯薄膜及性质的研究

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1、学号:S13010073硕士学位论文异质外延生长红荧烯薄膜及性质的研究研究生姓名:都昊学科、专业:物理电子学二○一六年三月分类号:密级:UDC:编号:异质外延生长红荧烯薄膜及性质的研究RESEARCHHETERO-EPITAXIALGROWTHOFRUBRENEFILMSANDNATURE学位授予单位及代码:长春理工大学(10186)学科专业名称及代码:物理电子学(理)(080901)研究方向:光电成像器件与系统申请学位级别:硕士指导教师:宋贵才研究生:都昊论文起止时间:2013.09-2015.12长春理工大学硕士学位论文原创性声

2、明本人郑重声明:所呈交的硕士学位论文《异质外延生长红荧烯薄膜及性质的研究》是本人在指导教师的指导下,独立进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。作者签名:年月日长春理工大学学位论文版权使用授权书本学位论文作者及指导教师完全了解“长春理工大学硕士、博士学位论文版权使用规定”,同意长春理工大学保留并向中国科学信息研究所、中国优秀博硕士学位论文全文数据库和CNKI

3、系列数据库及其它国家有关部门或机构送交学位论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅。本人授权长春理工大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,也可采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编学位论文。作者签名:年月日导师签名:年月日摘要有机薄膜晶体管(OrganicThin-FilmTransistors,OTFT)又称有机场效应管是近几年来快速发展起来的一种有机电子器件,相较于传统的无机场效应晶体管(FET)具有很多的优势,如体积小、高密度、高分辨率、便于集成等,目前已经被广泛的应用到有机太阳能电池、有机发光二极管

4、、有机传感器等领域。本文以n型重掺杂的硅为衬底、SiO2作为绝缘层,采用真空蒸镀的方法在SiO2表面生长一层α-四噻吩(α-4T),选择性能优越的α-4T薄膜器件,再在其表面上面生长一层红荧烯薄膜,分析发现,此时红荧烯薄膜具有高度有序的形态和结晶结构。红荧烯薄膜与在二氧化硅(SiO2)基板结晶的α-4T岛屿形成了完美的异质结构。基于在室温下形成的这种高品质的薄膜,载流子的迁移率达到2.93×10-2cm2/Vs,阈值电压为-17.64V,红荧烯多晶薄膜晶体管的开关比达到105,与红荧烯/SiO2这种室温下的器件相比提高了两个数量级。

5、因此,使用α-4T在低温下作为诱导层来生长红荧烯在高性能柔性显示方面具有很大的前景。关键字:有机薄膜晶体管异质结薄膜红荧烯IABSTRACTTheorganicthinfilmtransistor(OrganicThin-FilmTransistors,OTFT),whichisalsoknownasorganicfieldeffecttransistor,isakindoforganicelectronicdevicedevelopedrapidlyinrecentyears.Ithasmanyadvantagescompared

6、tothetraditionalinorganicfieldeffecttransistor(FET),suchassmallsize,highdensity,highresolution,easeofintegration,andsoon.Andithasbeenwidelyusedtothefieldoforganicsolarcells,organiclight-emittingdiodes,organicsensors,etc.Inthispaper,wechooseaheavilydopedn-typesiliconass

7、ubstrate,chooseSiO2asinsulatinglayer,selectα-fourthiophene(α-4T)thinfilmdevicewithsuperiorperformance,thenalayerofrubrenethinfilmisgrownonitssurfaceusingavacuumdepositionmethod.Analysisindicatingthatrubrenefilmhavingahighlyorderedmorphologyandcrystallinestructure.Rubre

8、nefilmandα-4Tislandsbasedonsilicondioxide(SiO2)crystalformtheperfectheterostructures.Thishigh-qualityfilmformedatroom

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