mos_2graphene二维膜层结构的制备及其光电性质研究

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1、分类导０４６９密级ＵＤ编号１０４８６Ｃ或爹＊净／博±学位论文ＭｏＳｓ／Ｇｒａｐｈｅｎｅ二维膜层鍵构的制备及其光电性质研究研究生姓名：王微■名：付德本！教授指导教师姓、职称学科：粒子物现巧原子核物理、专业名称研究方向：二维材料光电性能二〇－六年五月ＡＤｉｓｓｅｒｔａｔｉｏｎＳｕｂｍｉｔｔｅｄｔｏＷｕｈａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ’ｆｏｒ化ｅＤｏｃｔｏｒｓＤｅｒｅｅｉｎＰｈｓｉｃｓｇｙＰｒｅａｒａｔｉｏｎｏｆＭｏｌｂｄｅｎｕｍｐｙ－Ｇｒａ

2、ｈｅｎｅ－ｅｒＤｉｓｕｌｆｉｄｅｂａｓｅｄ２ＤＬａｙｐＳｔｒｕｃｔｕｒｅｓａｎｄＴｈｅｉｒＯｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓＢｙＷｅｉＷａｎｇＳｕｐｅｒｖｉｓｅｄｂｙＰｒｏｆｅｓｓｏｒＤｅｕｎＦｕｊＤｅａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｈｓｉｃｓＷｕｈａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｐｙ，ｙＷｕｈａｎ４３００７２，ＲＲ．ＣｈｉｎａＭａｙ，２０１６论文原创性声明本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师指导下，独立进行研究工作所取得的研巧成果。除文中己经标

3、明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体己经发表或撰写过的研巧成果。对本文的研究做出贡献的个人和集体，均已在文中明确方式标明。本声明的法律结果由本人承担。学位论文作者（签名）：年月曰＾（３言１方｜学位论文使用授权书－（式两份，此份交《中国巧±学位论文全文数据库》期刊社存档）本论文作者完全了解学校关于保存、使用学位论文的管理办法及规定，即学校有权保留并向国家有关部口或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被査阅和借阅，接受社会监督。本人授权武汉大学可Ｗ将本学位论文的部分或全部内容编入学

4、校有关数据库和收录到《中国博±学位论文全文数据库》进行信息服务，也可Ｗ采用影印、缩印或扫描等复制手段保存或汇编本学位论文。□一□两年□兰年从后。本论文提交□当年／年／／，同意发布一若不选填则视为年后同意发布。注：保密学位论文，在巧密后适用于本授权书。作者签名：导师签名扛年矣月＾旧武狭大学研究生学位论文作者信息论文题目＞６化沛解谢利换义如扣玄／＆棘姓名王歡学号说。放扣Ｄ答辩日期么《年会月＾日以丰论文级别硕±口獻系／所物禪种義誠求专业术＾弓漱艦麻詞化如联系电话Ｅｍａ

5、ｉｌ＿通信地址邮编）：（备注：４２本论文创新点＾＾，！＾纳米材料及其复合结构为研究核也，致本论文主要１水热法为研巧手段为于ＭｏＳ及ＭｏＳｒｅｄｕｃｅｄＧｒ邱ｈｅｎｅＯｘｉｄｅ（ＭｏＳｓ／ｒＧＯ）纳米复合材料的制备与ａ／：表征，主要创新点包括、臥及其光电性能两方面的工作一ＭＭｏＳｃＺｒＧＯ纳米、水热法制备ｚｙＸ及超声震荡辅助的水热法制备＆复合材料：？ＷＮａ＾ＭｏＯ２战０和ＴＡＡ（谢ａＣＳＮＨ。）为前驱体，在高温高压下发生水热反应，制备Ｈ维类球体结构的ＭｏＳｚ；之后通过

6、有计划地加入不同比率的类石墨締（化）结构的胶状氧化石墨稀当比率下得到？２Ｓ（ＧＯ）纳，在适１层Ｍｏ；晶米片，并Ｗ超声震荡为辅助技术一一Ｓ／ｒＧＯ纳米复合结构材料体形成自组装的低维层状Ｍｏｚ；并提出自组装的低维层状ＭｏＳ／ｒＧＯ纳米复合结构的自组装生长机理。ａ这些自组装低维层状ＭｏＳｓ／ｒＧＯ纳米复合结构材料具有应庙于先进的宽频辖射的光学和光电学领域的前景。二、Ａｕ／ＭｏＳ（纳米球）／Ａｕ结构光电性能研究；，白光激发情况下，ＭｏＳ球的光敏在黑暗中或者，基于不同极化电压对ｚ纳米忆阻器光电性能进行研究。

7、具有平面Ａｕ电极结构的ＭｏＳ纳米球光敏忆阻器表现出光敏阻变恃性。该新ａ—（率在黑暗或者白光激发下，电场中纳米球颖器件被纳米球的极化）所调制的极化（率）引起阻变现象。极化电荷允许改变光敏忆阻器的开关电压使该忆阻器具有多阶操作。在极化电压６Ｖ时，ＭｏＳ：纳米球的光敏化阻器在黑暗中盈示出平滑的阻变特２—．７ｅＶ１．８ｅＶ）该光敏化阻器，性，白光；然而激发下（光谱最大能量范围－？￣０Ｔ／ＲＥＳＥＴ电压为２０Ｎ／０ＦＦ电１该光的Ｓ巨．９／４．２Ｖ，并且流比为；并分析敏忆阻器在不同电阻态的电导率

8、阐明电阻转换特性的传导机制—在黑暗或者白光激发下，电场中的电荷形成／中断具有高导电性的灯丝纤维调制电阻态。另夕ｈ，该新颖结构显示可重写的非易失性电阻开关特性并在多周期之后仍然表现出良好的机械耐力。利用简便廉价的方法制备的该光敏忆阻器具有作为新的多