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时间:2019-09-14
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1、分类号:TN213单位代码:10183研究生学号:2015514034密级:公开吉林大学硕士学位论文(专业学位)红外透明导电薄膜的制备及其光电性质研究ResearchonPreparationandOptoelectronicPropertiesofInfraredTransparentConductiveFilms作者姓名:王鑫类别:工程硕士领域(方向):集成电路工程指导教师:王一丁教授培养单位:电子科学与工程学院2018年6月红外透明导电薄膜的制备及其光电性质研究——————————————————————————ResearchonPreparation
2、andOptoelectronicPropertiesofInfraredTransparentConductiveFilms作者姓名:王鑫领域(方向):集成电路工程指导教师:王一丁教授类别:工程硕士答辩日期:2018年5月25日未经本论文作者的书面授权,依法收存和保管本论文书面版本、电子版本的任何单位和个人,均不得对本论文的全部或部分内容进行任何形式的复制、修改、发行、出租、改编等有碍作者著作权的商业性使用(但纯学术性使用不在此限)。否则,应承担侵权的法律责任。吉林大学博士(或硕士)学位论文原创性声明本人郑重声明:所呈交学位论文,是本
3、人在指导教师的指导下,独立进行研究工作所取得的成果。除文中己经注明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体己经发表或撰写过的作品成果。对本文的研宄做出重要贡献的个人和集体均己在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。学位论文作者签名:曰期:年(月曰I摘要本论文研究内容来源于:铜铁矿结构CuXO2(X=Y,Sc,Al)红外透明导电薄膜的光电性能和择优取向制备研究,项目编号:11404129,国家自然科学基金委员会项目。红外透明导电薄膜在军事以及民用领域都具有重要的应用价值。民用领域中,可以应用于电子和能源工业
4、、传感技术、光电技术等领域。对于军事领域,可以应用于红外成像、航天器窗口等领域。目前国内外学者已经获得了在近红外波段具有优异光电性能的红外TCO薄膜,但对中红外和远红外TCO薄膜相关研究较少。本论文利用磁控溅射方法研制了三种中红外TCO薄膜,分别为CuCrO2,In2O3掺Hf(IHfO)和In2O3掺W(IWO)薄膜,并研究了它们的光电性能。主要内容有:(1)采用CuO陶瓷靶和Cr靶共溅射方法研制出了CuCrO2薄膜,并且研究了CuO溅射功率、退火温度与薄膜结构和光电性质的关系。发现当退火温度逐步增大时,其结晶性变好,并且在(012)晶面具有择优取向。薄膜的
5、电导率和透过率均随着退火温度的变大而先变大后减小。薄膜的最低电阻率为13.36Ω·cm,此时在2.5-4.5μm波段的平均透过率为66.5%。随着CuO溅射功率逐渐变大时,其结晶性变好,薄膜的透过率和电阻率均呈现一个逐渐下降的趋势。(2)采用射频磁控溅射方法研制了IHfO薄膜和IHfO/Cu/IHfO三层薄膜。发现随着退火温度的增大,IHfO薄膜由非晶态转变成晶态,晶粒尺寸变大。当退火温度逐步增大时,薄膜的电导率和透过率均先变大后减小。在100℃下退火时,薄膜的透过率最高,在2.5~4.5μm波段的平均透过率为77.8%,此时薄膜的电阻率为1.78×10-1Ω
6、·cm。在300℃下退火时,薄膜电阻率最小为9.21×10-3Ω·cm,在2.5~4.5μm波段的平均透过率为70%。随着薄膜增厚,薄膜结晶性变好,薄膜光学透过率逐渐降低。IHfO/Cu/IHfO三层薄膜与单层IHfO薄膜相比较,具有更高的导电性,但红外透过率稍低。Cu层的膜厚与IHfO/Cu/IHfO三层薄膜的光电性能有紧密的联系。Cu层膜厚越大,三层薄膜导电性越好,透过率随之减少。(3)采用射频磁控溅射法研制了IWO薄膜,研究了溅射功率、O2流量与I薄膜光电性质的关系。通过对XRD结果分析可得,当溅射功率逐步变大时,其从非晶态转变成晶态。当O2流量逐步变大
7、时,其导电性降低,但是透过率不断增加。还研制了双层IWO薄膜,其结构为:第一层在无O2下利用磁控溅射法制备IWO薄膜;第二层为在有O2下溅射沉积IWO薄膜。当O2流量逐渐增大时,双层薄膜的透过率增大,导电性降低。此双层薄膜与单层IWO薄膜相比较,在中红外波段的光电性能更优良。当O2流量为0.2sccm时,薄膜的电阻率-3最小为1.131×10Ω·cm,此时在2.5-4.5μm波段平均透过率为74.65%。关键词:红外透明导电薄膜,光电性能,磁控溅射,CuCrO2薄膜,In2O3基薄膜IIAbstractTheresearchtopicofthispaperco
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