cigs薄膜的单靶溅射制备和热处理工艺研究

cigs薄膜的单靶溅射制备和热处理工艺研究

ID:35137616

大小:11.90 MB

页数:69页

时间:2019-03-20

cigs薄膜的单靶溅射制备和热处理工艺研究_第1页
cigs薄膜的单靶溅射制备和热处理工艺研究_第2页
cigs薄膜的单靶溅射制备和热处理工艺研究_第3页
cigs薄膜的单靶溅射制备和热处理工艺研究_第4页
cigs薄膜的单靶溅射制备和热处理工艺研究_第5页
资源描述:

《cigs薄膜的单靶溅射制备和热处理工艺研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、擊娜誦画晒_^ppfw?胃顾i学位论文.^講刪TERDISSERTATION磁fc论文题目=CIGS薄膜的单麵射制热处理工艺研究I胃喔一.位类别: ̄ ̄—学科专业禱二。-王年级:终一—1;;画屬指导教师;赵歷—余洲副贩-,,国内图书分类号:TB34密级:公开国际图书分类号:西南交通大学研究生学位论文CIGS藻膜的単铅瓣射制备和热处理工芝研巧年级二〇—兰级姓名王丹申请挙位级别理学硕±专业凝聚态物理指导教师赵勇教授余洲副研究员二〇—六年五月ClassifiedIndex:TB34U

2、.D.C:SouthwestJiaotonUniversitgyMasterDegreeThesis-PrearationbsinletaretsutterinandStudiespyggpg-贷of化eheattreatmentrocessofCIGSthinImpGrade:2013Candidate:DanWangAcademicDereeAliedfor:MasterofsciencegppSpeciality:CondensedmatterphysicsSupervisor:Profes

3、sorYongZhaoAssociatePro色ssorZhouYuMa.2016y西南交通大学学位论文版孜使用授枝书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定,同意学校保留并向国家有关部口或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被査阅和借阅。本人授权西南交通大学可W将本论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可W采用影印。、缩印或扫描等复印手段保存和汇编本学位论文'本学位论文属于1.保密□,在年解密后适用本授权书;2.不保衝0^使用本授权书。"‘(请在W上方框内巧V)/A学位论文作者签名;指导老师签

4、名:片;,^ ̄ ̄ ̄d\日期:日期:.又^兴分玉_>;乂JT,化西南交通大学硕±学位论文主要工作(贡献)声明本人在硕±学位论文中所做的主要工作或贡献如下:1.研究了热压烧结制备CIGS等化合物光伏陶瓷粗材制备工萃及其相关性能。2.通过单祀漉射不同烧结温度制的範材,在不同衬底温度下沉积薄膜,并研究其光电性能。3.通过在固态Se源中退火,改善了薄膜的光电性能,制备出了性能较优的薄膜。一4、、Se源.对觸材烧结单祀漉射薄膜薄膜在固态中退火进行了研究并得到定的规律。W上研究成果为魄材的制备到漉射制备髙效的CIGS太阳能电池的研究提供了工艺参数和探

5、索。:所呈交的学位论文本人郑重声明,是在导师指导下独立进行研究工作所得的成果。除文中己经注明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集体,均已在文中作了明确说明。一本人完全了解违反上述声明所引起的切法律责任将由本人承担。学位论文作者签名:V曰期:兴《女化西南交通大学硕±研究生学位论文第I页摘要-光吸收系数离达(:〇_方31侣的(:105为黄铜矿结构的直接带隙型半导体,脚/;)95-il〇cm,适合制备薄膜太阳能电池。CIGS的禁带宽度可通过控制Ga的渗入量在 ̄11e,。.04.6

6、7V可调来实现光吸收与太阳光谱匹配CIGS光电转换效率离,光照下无一。性能衰减,是目前最具潜力的太阳能薄膜电池之本文主要对CIGS四元光伏鞭材、单範繊射CIGS薄膜及其薄膜砸化处理进行研究,探索热压烧结CIGS铅材制备工艺与CIGS薄膜制备及膜的砸化处理之间的联系。分别研究了烧结溫度对视材致密度,衬底温度、固态Se源退火对沉积CIGS薄膜光电性能的影响,并探究之间的联系。(1)通过对CIGS鞭材的烧结工艺的探索,制备了致密度%%料上的符合漉射需’"求的飽材,其中630C制备的範材致密对为98.85%。得出了在压为45Mp,粒径75um,‘‘C ̄C烧结时间

7、3h条件下的较优烧结温度范围为620650。(2)对烧结的CIGS觀材在不同衬底温度下沉积CIGS薄膜,发现帮材致密度在92%W上,则相同衬底温度制备薄膜与範材成分基本相同,与範材烧结温度关系不大。随着靴材烧结温度的升离,CIGS薄膜能在更低温度形成(220)择优取向。薄膜的形貌与報材烧结温度密切相关,可能是由于烧结温度使得制备的鞭材内致密度和化学缺陷改变使得晶粒生长行为发生变化。‘(3)

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。