陶瓷元件贱金属电极全印制制备工程化技术研究

《陶瓷元件贱金属电极全印制制备工程化技术研究》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、■丢才４成＊葦矣３ＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹＯＦＥＬ巨ＣＴＲＯＮＩＣＳＣＩ巨ＮＣＥＡＮＤＴ巨ＣＨＮＯＬＯＧＹ０ＦＣＨｉＮＡ硕±学位论文ＭＡＳＴＥＲＴＨＥＳＩＳ働：霸论支题目陶瓷元俾雕金属电极全印制削备工程化技术妍究每拽学科专业信息材料与元器件学号２０１３２１０３０５０９作者姓名熊埼＂指导教师码哲圣教授独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加Ｗ

2、标注和致谢的地方夕ｈ论文中不包含其他人己经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。作者签名：日期：年＾月日＾论义使用授权本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文的规定，有权保留并向国家有关部口或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可Ｗ采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编

3、学位论文。（保密的学位论文在解密后应遵守此规定）＾作者签名；命导师签名；店炒可日期：公７八年（月日＾分类号密级注1UDC（题名和副题名）（作者姓名）指导教师（姓名、职称、单位名称）申请学位级别学科专业提交论文日期2016.03.18论文答辩日期2016.05.12学位授予单位和日期20166答辩委员会主席评阅人注1：注明《国际十进分类法UDC》的类号。RESEARCHONMANUFACTURINGTECHNOLOGYOFCERAMICELEMENTWITHBASEMETALELECTRODEBASEDONPRINTFULLE

4、LECTORNICTECHNOLOGYAMasterThesisSubmittedtoUniversityofElectronicScienceandTechnologyofChinaMajor:ElectronicInformationMaterialsandComponentsAuthor:QiXiongSupervisor:Prof.ZheshengFengSchool:SchoolofMicroelectronicsandSolid-StateElectronics摘要摘要陶瓷元件具有耐高温、耐腐蚀和优良的电、磁性能等优点，在电子工业中

5、应用广泛。其表面金属化（引出电极制备）关系到元件电性能与稳定性，是陶瓷元件制备的关键技术之一。目前陶瓷元件电极的制备方法主要有直接敷铜法、烧渗法、喷涂法和物理气相沉积法等，这些方法存在流程复杂、贵金属用量大和成本较高等问题。针对上述不足，本文基于全印制工艺，研究了陶瓷元件贱金属电极被覆技术，并对其工程化技术进行了研究，主要研究内容如下：（1）研究了陶瓷元件贱金属电极的全印制制备技术：实验优化了陶瓷基板的清洗、除油和粗化等预处理工艺；开发了一种工艺简单，活化效果良好，可运用于工业化生产的可喷印触发层制备技术，并优化了可喷印触发层油墨组分体系；优化

6、了以甲醛为还原剂的化学镀铜液体系，走通了全印制陶瓷元件贱金属电极制备工艺。（2）通过数值模拟的方法对工程化技术的生产条件进行了研究：采用Gambit软件对工程化设备滚筒进行了几何建模，使用流体力学软件FLUENT对滚筒内液固两相流进行了二维和三维的数值模拟。将滚筒转速以及陶瓷基板和锆球体积比分别设置为FLUENT的边界条件和初始条件，通过观测不同生产条件下滚筒内部固相颗粒的分布规律，确定了优化后的生产条件为：滚筒的转速为40rpm以及陶瓷基板与锆球的体积比为1:2。（3）结合陶瓷元件贱金属电极的全印制制备技术和数值模拟中得到工程化技术的生产条件

7、进行了批量化实验。通过对镀覆贱金属电极后陶瓷元件的取样分析，验证了数值模拟所得结果的可靠性以及陶瓷元件贱金属电极全印制制备工程化技术的可行性。关键词：全印制技术，触发层制备技术，数值模拟，工程化技术IABSTRACTABSTRACTCeramicelementhastheadvantagesofhightemperatureresistance,corrosionresistance,andexcellentelectrical,magneticproperties,whichiswidelyusedintheareaofelectronici

8、ndustry.Thesurfacemetallizationwhichleadstotheelectrodepreparationisrelated