基于溶液法制备的zro_2介电层有机薄膜晶体管性能研究

《基于溶液法制备的zro_2介电层有机薄膜晶体管性能研究》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、Ｈ－朵各种成Ａ著Ｖｃ－■＇－ＯＵＮＩＶ巨ＲＳＩＴＹＯＦ巨ＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＣＩＥＮＣＥＡＮＤＴＥＣＨＮＬＯＧＹＯＦＣＨＩＮＡ？Ｖ．；、１专业学位硕±学位论文ＭＡＳＴＥＲＴＨＥＳＩＳＦＯＲＰＲＯＦＥＳＳＩＯＮＡＬＤＥＧＲＥＥ＂．．．．■．＇Ｉ；；论文题目基于溶液法制备的Ｚｒ〇２介电层有机薄膜＇１：晶体管性能硏究３、一专业学位类别工程硕壬学号．２０１３２２０５０巧８＿作者姓名王雨娟指导教师钟建教授分类号密级

2、注孤〔｜＿学位论文基于溶液法制备的立〇２介电层有机薄膜晶体管性能妍究（题名和副题名）王丽婚（作者姓名）？指导教师钟建教授￣电子科技大学成都（姓名、职称、单位名称）申请学位级别硕击专业学位类别工程硕壬工程领域名光学工程提交论文日期２０１６．０４论文答辩日期２０１６．０５学位授予单位和日期电子科技大学２０１６年０６月答辩委员会主席巧舱新转＿评阅人抑索副热辕．菊表到骑树制衫綠听應翻髓．杂１副注１：注明《国际十进分类法ＵＤＣ》的类号。CALDERΌNTECH

3、NIQUEBASEDINTEGRALEQUATIONMETHODSINCOMPUTATIONALELECTROMAGNETICSAMasterThesisSubmittedtoUniversityofElectronicScienceandTechnologyofChinaMajor:MasterofEngineeringAuthor:WangLijuanAdvisor:Prof.ZhongJianSchool:SchoolofOptoelectronicInformation独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取

4、得的研究成果。据我所知，除了文中特别加标注和致谢的地方夕ｈ论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均己在论文中作了明确的说明并表示谢意。？作者签名；手疏搞日期：於１右年月２日论文使用授权本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文的规定，有权保留并向国家有关部口或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅レ。本人授权电子科技大学可ッ将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索

5、、，可采用影印缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。（保密的学位论文在解密后应遵守此规定）＾；：１而４含导师答名作者游名：曰期年各月Ｚ曰摘要摘要尽管有机薄膜晶体管的研究取得了长足进展，但是目前仍然还有许多限制有机薄膜晶体管应用的因素。现阶段研究的很多有机薄膜晶体管都需要非常高的工作电压，高工作电压不仅产生很大的功耗，浪费能源，而且在很大程度上限制了有机薄膜晶体管的应用领域。通过降低绝缘层的厚度或者使用相对介电常数较高的绝缘层材料就能得到具有很高电容的绝缘层。本文主要研究高介电常数的ZrO2材料对有机薄膜晶体管性能的影响，具体的研究

6、内容包括：（1）为实现低电压驱动OTFT(OrganicThin-FilmTransistors)器件，首先研究基于溶液法制备ZrO2介电层不同退火温度对OTFT器件性能的影响，退火温度分别为200℃、250℃、300℃和350℃。通过对薄膜进行I-V、C-F及相关电学参数分析，实验结果表明，绝缘层经350℃高温退火的器件具有最优的性能。当退火温度2为350℃，器件的载流子迁移率为0.231cm/V·s，提高了6倍，器件的阈值电压为-0.25V，比200℃提高61%。通过分析可知，器件性能提升的主要原因是，绝缘层退火温度的升高，使无机绝缘材料ZrCl4转

7、化为ZrO2更完全，薄膜介电性能提升，并且表面粗糙度降低。并五苯在高质量的绝缘层表面成膜质量更好，绝缘层/半导体层的界面电荷陷阱密度降低，因此器件性能达到最优。(2)研究不同ZrO2介电层厚度对于OTFT器件性能的影响。ZrO2介电层厚度通过改变旋涂的第二层的ZrCl4溶液的浓度来控制，退火温度根据上一章研究的退火温度300℃来进行退火，测得绝缘层的厚度分别为58nm、82nm、107nm和135nm，通过对薄膜进行C-F及相关电学参数分析，实验结果表明，绝缘层厚度为58nm时器件具有最优的性能。当绝缘层厚度为58nm时，OTFT器件载流子迁移率为20.

8、169cm/V·s，提高了81.7%，器件的阈值电压为-0.1V。通过对相关参数