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时间:2019-03-17
《溶液法制备有机薄膜晶体管有源层的研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、分类号密级皆k八硕±学位论文题目:溶液法制备有机薄膜晶体管有源层的研究:民esearchontiif英文并歹lrearaionof0anc也nilml题目pp巧transistoractivelayer研究生:韩先虎专业;微电子学与固体电子学研究方向:新型器件设计与应用导师:钟传杰指导小组成员:钟传杰学位授予日期:2016年1月答辩委员会主席:顾晓峰江南大学地址:无锡市蠢湖大道1800号二〇—五年十二
2、月独創性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除了文中特别加W标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含本人为获得江南大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料一。与我同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。之々少之答《:論务、系、日期:年/月日?关于论文使用巧权的说明本学位论文作者完全了解江南大学有关保留、使用学位论文的规定:江南大学有权保留并向国家有
3、关部口或机构送交论文的复印件和磁盘,允许论文被査阀和借阅,可W将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行栓索,可采用影印、缩巧或巧描等复制手段保荐、汇编学位论文,一致并且本人电子文档的内容和纸质论文的内容相。保密的学位论文在解密后也遵守此规定。签名:無xj、导师签名:V(於Kf曰期:么'皆年月?日m^_摘要近几十年,,有机半导体材料开始受到人们的关注。在这个背景下有机薄膜晶体管OrganicThinFilmTransistors,OTFTs)的研究也
4、随之巧展起来。由于其潜在的优势,(溶液加工的有机薄膜晶体管吸引了相当的重视。有机半导体材料在OTFTs中主要起到载流子传输作用,半导体材料的内在性质与界面性质决定了载流子传输快慢,从而决定OTFT一s的性能。Rubrene作为种小分子有机半导体材料,在载流子迁移率、激子扩散一长度W及发光效率等方面优势突出,是用于制备OTFTs的最有前景的材料之。本文研究的内容主要包括W下几个部分:W采用溶液旋涂法制备PEDOT薄膜,并使用楠圆偏振光谱仪测量PEDOT薄膜的。EDOTene光学参数通
5、过使用P修饰电极,在电极和Rubr薄膜间形成欧姆接触。(巧探索退火温度对Rubrene薄膜特性的影响,薄膜导电特性在退火温度为373K2cm时最佳,在10V偏置电压下,电流密度最大可达0.93A/。(3)选用苯甲酸、氯苯、甲苯和氯仿等溶剂旋涂制备Rubrene薄膜,研究溶剂沸点对Rubrene薄膜特性的影响。使用楠圆偏振光谱分析仪和空间电荷限制电流法分别提取薄膜光学参数和电学参数。结果表明:当使用高沸点的苯甲趟作溶剂时,800nm下薄膜-52x-折射率最大为1.78,粗糖层厚度最小
6、为11.92nm,空穴迁移率最大为1.58l〇cm/(Vs)。一随后,调节转速制备较薄的Rubrene薄膜,进步对其电流传输特性进行分析。发现采用不同溶剂时ene-V,Rubr薄膜具有不同的电流传输特性。随偏置电压的增加,双对数J曲线存在斜率依次为1,2,大于3W及2的不同区域。根据不同区域的传输特性,分析相对应的电流传输理论,并结合公式计算薄膜陷眺密度和空穴迁移率。当采用苯甲醜作-i7352x-溶剂时,薄膜有最小的陷阱密度23x/cm.cm/s。.4l〇和最大的空穴迁移率241l
7、〇V)((4)研究溶剂蒸汽辅助退火温度对薄膜光学特性的影响。实验结果表明:溶剂蒸汽辅助退火温度由300K增加到310K时.e.,800nm下薄膜光学带隙由214V减小到209eV,而薄膜粗禮层厚度从29.2nm降到27.4nm。然而,当处理湿度达到320K后,与处理温度为310K时薄膜相比质量显著劣化。关键词:红巧骄空间电荷限制电流街溶剂蒸汽辅助退火;溶剂沸点;欄偏光谱IAbstractAbstractInrecentdecadesoranicsemli
8、conductormateriashavebeenreceivedreatattention.In,ggthon化xtteseaanicthlm化torsOTFTalsoeenstarted.Withischerrchoforinfiansisshasb,g()ttt-iltltOTFTht化tilttti.isoenaadvanaess
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