ⅲ-ⅴ族半导体纳米线结构稳定性与电子性质的第一性原理研究

ⅲ-ⅴ族半导体纳米线结构稳定性与电子性质的第一性原理研究

ID:35105125

大小:7.76 MB

页数:101页

时间:2019-03-18

ⅲ-ⅴ族半导体纳米线结构稳定性与电子性质的第一性原理研究_第1页
ⅲ-ⅴ族半导体纳米线结构稳定性与电子性质的第一性原理研究_第2页
ⅲ-ⅴ族半导体纳米线结构稳定性与电子性质的第一性原理研究_第3页
ⅲ-ⅴ族半导体纳米线结构稳定性与电子性质的第一性原理研究_第4页
ⅲ-ⅴ族半导体纳米线结构稳定性与电子性质的第一性原理研究_第5页
资源描述:

《ⅲ-ⅴ族半导体纳米线结构稳定性与电子性质的第一性原理研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、屯J中笛討《乂麥CHINAJILIANGUNIVERSITY硕±学位论文MASTE民DISSERTATIONIII-V族半导体纳米线结构稳定性与电子性质的第一性原理研究F-irstPrinciplesS化dvofStmctumlS化bilitvand-ElectronicProertiesofIIIVpSemico打ductorNanowires作者杨晓东导师舒海波副教授学科电子科学与技术中国计量大学二0—.六年六月?独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研巧工作和取得的

2、:成果,除了文中特别加标注和致谢之处外研巧,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研巧成果,也不包含为获得中国计量大学或其他教育化构的一学位或证书而使用过的材料。与我同工作的同志对本研究所做的任何贡献巧己在论文中作了明确的说明并表示了谢意。学位论文作者签名:e签字日期丰喜表宗;年《^月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解中国计量大学有关保留、使用学位论文的规定。特授权中国计量大学可1^:^将学位论玄的舍部或部分内密编入巧丰骄据库进行检索,并采用影巧、缩印或扫描等复制手段保存、汇编W供查间和借论阅文。在同解意密学校后适向国家有关部口或机构送交论

3、文的复印件和磁盘。(保密的学位用本授权说明)学位论文作者签J名:;导师签签|^日字曰期0^月/曰签字曰期:从《年0如曰fFirst-PrinciplesStudyofStructuralStabilityandElectronicPropertiesofIII-VSemiconductorNanowiresByXiaodongYangADissertationSubmittedtoChinaJiliangUniversityInpartialFulfillmentoftheRequirementFortheDegreeofMasterofEngineeringChinaJ

4、iliangUniversityJune,2016中图分类号TU375.3学校代码10356UDC624密级公开硕士学位论文MASTERDISSERTATIONIII-V族半导体纳米线结构稳定性与电子性质的第一性原理研究First-PrinciplesStudyofStructuralStabilityandElectronicPropertiesofIII-VSemiconductorNanowires作者杨晓东导师舒海波副教授申请学位工学硕士培养单位中国计量大学学科专业电子科学与技术研究方向低维半导体纳米材料二〇一六年六月致谢首先深深地感谢我的导师舒海波老师。舒老师为人光明磊落,品

5、德高尚,刚勇和平,专心致志于学术十年有余。舒老师与其他很多老师不同,不会为了猎取一些名声而随意地肯定一些模糊的论证以显示自己的才华,相反,舒老师在学术领域表现得更加小心持重、坚毅有力,常常能够得到一些真实可靠的准确见解。这些都会使得博学的人们赞成舒老师的判断,并且承认他的权威。盖斯术有三要:良师、工夫与天资,其中良师为首。在我的硕士研究生期间,舒老师在我的学术、人格方面都不断地磨练我,把我培养成一个全面发展的、人格健全的知识分子。云:德智之道,一张一弛,不可偏废;礼乐者,德育之事也,书数者,智育之事也。舒老师在对待学生时非常有耐心,在我对科研一无所知的情况下耐心地指导我,正是由于舒老师的悉心

6、教诲,我才能够步入科研殿堂的大门。感谢我的师兄师姐刘阳、吴琼、沈涛和傅重源在我刚进入课题研究阶段给予我的指导;感谢实验室的梁培老师、同窗邢淞以及师弟师妹李丰、胡陈力、曹艳亭和吴燕雄在学习和生活上对我的鼓励和支持。最后我还要感谢我的父母,在攻读硕士期间,无论在精神上还是物质上,都是他们给予了我最坚定的支持,让我能够没有顾虑地完成我的硕士学业。杨晓东2016年6月III-V族半导体纳米线结构稳定性与电子性质的第一性原理研究摘要:III-V族半导体纳米线由于优越的物理化学性质以及与现有的硅基工艺相兼容等特点使得它们在纳米级电子和光电子器件领域极具潜力。由于电子器件的输运性质以及光电器件的光学吸收和

7、激发主要由材料的电子性质所决定,因此要实现III-V族纳米线在各类器件上的应用,理解其基础的结构和电子性质是根本条件。受维度限制和大的表面比等因素的影响,III-V族半导体纳米线展现出许多不同于体相材料的表面形貌和新奇的电子性质。并且在纳米尺度下,III-V族半导体纳米线的结构和电子性质与其尺寸、晶相、晶面和组分密切相关,这使得单纯依赖实验的手段去探索纳米线结构和电子性质变得十分困难。为此,本论文采用全量子密

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。