高效率量子点发光二极管的制备及表征

高效率量子点发光二极管的制备及表征

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6、体量子点具有尺寸大小可调,发光峰窄、色纯度高以及荧光量子产率(FluorescenceQuantumYield,QY)高等特性。基于胶体量子点的发光二极管(Quantumdotlight-emittingdiodes,QLED)具有制备工艺简单,色纯度高,启亮电压低,稳定性好,寿命长及可以通过改变量子点的大小来改变器件的发光波长等优点,非常适合下一代广色域平板显示和新型的高显色指数的照明领域的应用。经过许多研究人员多年的努力,在量子点的合成方面,核壳结构量子点的QY可以达到85%以上。在发光器件制备方面,QLED的光电性能也有很大的提高,外量子效率(Extern

7、alQuantumEfficiency,EQE)从最初不到0.01%提高到20.5%,发光亮度可达几万坎德拉每平方米,寿命可达十万小时以上,其光电性能接近有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode,OLED)的光电性能。但是要进行商业应用还有很长路要走,还要继续对QLED进行更全面的研究,理清其发光机理,改善制备工艺,进一步提高器件的光电性能。因此,对QLED的性能研究具有重大意义。本论文主要研究高效率QLED的制备和表征,分别从正向器件和倒置器件两大板块对QLED进行研究,具体如下:1、对于正向器件,我们首先制备ITO/poly(3,4

8、-ethylenedio

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