znoznmgo多量子阱的制备及表征

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1、硕士学位论文ZnO/ZnMgO多量子阱的制备及表征PreparationandCharacterizationofZnO/MgZnOMultiple·-quantumWell学号:21102100完成日期:2014.5.1大连理工大学DaliallUniversityofTechnology大连理工大学学位论文独创性声明本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师的指导下进行研究工作所取得的成果。尽我所知,除文中已经注明引用内容和致谢的地方外,本论文不包含其他个人或集体已经发表的研究成果,也不包含其他已申请学位或其他用途使用

2、过的成果。与我一同工作的同志对本研究所做的贡献均已在论文中做了明确的说明并表示了谢意。若有不实之处,本人愿意承担相关法律责任。学位论文题目:圣堕型圣巡gQ垒量王隧数剑圣区塞堑作者签名:.王—陋日期:囱f靼年—』月‘L日大连理工大学硕士学位论文摘要ZnO是一种具有优异光电性能的半导体材料,其在蓝光和紫外光发光器件方面有广泛的应用前景,是光电子研究方面的一个热点。在光电器件中,如果采用异质节、超晶格或量子阱结构,便可以提高器件的性能。在多量子阱中,我们又可以利用其量子限域效应,通过改变阱层宽度来达到调节禁带宽度进而改变发光波长的

3、目的。同时,这样做也可以降低电子与声子以及其他载流子的相互作用,进而显著提高发光效率。本文采用脉冲激光沉积方法,在蓝宝石基片上沉积了ZnO/ZnMgO多量子阱薄膜。利用X射线衍射和光致荧光光谱等分析技术,研究了ZnO/ZnMgO多量子阱的晶体结构和荧光特性。研究结果表明:ZnO/ZnMgO多量子阱薄膜与蓝宝石基片之间具有良好的外延关系,并且随着阱层宽度的减小,薄膜的结晶质量明显改善。所制备的多量子阱薄膜具有较高的荧光量子效率,量子限域效应明显,多量子阱中ZnO紫外荧光峰位蓝移高达188meV。关键词:ZnO/ZnMgO多量子

4、阱薄膜;脉冲激光沉积;结构分析;量子限域效应;Z110仍【lMgO多量子阱的制备及表征PreparationandCharacterizationofZnO/MgZnOMultiple—quantumWeUAbstractRecently,moreattentionhasbeenpaidtoZnO-basedsemiconductorsduetotheirpotentialapplicationsinoptoelectronicdevicesinblueandultravioletspectraoflight.Heteros

5、tructures,supedatticesandmulti-quantumwells(MQW)areusedtoimproveitsperformance.Inthequantumwells,duetothequantumconfinementeffect,thebandgapenergyCanbeadjustedbychangingthethicknessofthewelllayers,andthedensityofexcitonandefficiencyofphotoluminescenceCanbeenhanced.

6、ZnO/ZnMgOmultiple—quantumwells(MQWs)withdifferentwellwidthweredepositedonsapphire(001)assubstratesbyusingpulsedlaserdeposition(PLD)method.X-raydiffraction(XRD),photoluminescencespectra(PL)takenatroomandlowtemperatureswereusedtocharacterizethestructuralandopticalpro

7、pertiesoftheMQWs.TheXRDresultsshowthattheMQWsfilmshavetheexcellentepitaxialrelationshipwiththesubstrates.ItiSfoundthatthecrystallinityoftheMQWsfilmisimprovedwiththedecreaseofthewellwidth.PLmeasurementshowsthatalltheMQWswithdifferentwellwidthexhibithighPLquantumeffi

8、ciencyandtheobservablequantunaconfinementeffect.Themaximumblue-shiftofultravioletpeaksiSfoundtoaboutl88meV.KeyWords:ZnO/ZnMgOMQWs;sapphire;Quantu

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