氧化物薄膜纳米叠层工艺及电阻特性研究

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1、学号：S13010065硕士学位论文氧化物薄膜纳米叠层工艺及电阻特性研究研究生姓名：S13010065学科、专业：物理电子学二○一六年三月分类号：密级：可公开UDC：编号：1氧化物薄膜纳米叠层工艺及电阻特性研究RESEARCHONOXIDEFILMNANOLAMINATIONPROCESSANDRESISTANCECHARACTERISTIC学位授予单位及代码：长春理工大学（10186）学科专业名称及代码：物理电子学（077401）研究方向：光电成像器件与系统申请学位级别：硕士指导教师：端木庆铎研究生：王丹论文起止时间：2014.09—2015.12长春理工大学硕士学位论文原

2、创性声明本人郑重声明：所呈交的硕士学位论文《氧化物薄膜纳米叠层工艺及电阻特性研究》是本人在指导教师的指导下，独立进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。作者签名：年月日长春理工大学学位论文版权使用授权书本学位论文作者及指导教师完全了解“长春理工大学硕士、博士学位论文版权使用规定”，同意长春理工大学保留并向中国科学信息研究所、中国优秀博硕士学位论文全文数据库和CNKI系列数据库及其它国家有关部门或机构送

3、交学位论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权长春理工大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，也可采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编学位论文。作者签名：年月日导师签名：年月日摘要通过改变Zn/Al组分比例，可以得到不同物理特性的AZO薄膜。在这项研究中，采用原子层沉积技术（ALD）来制备ZnO/Al2O3薄膜，通过调整ALD脉冲序列，ZnO/Al2O3薄膜中的ZnO成分比例可在0-100%范围内调节，调整沉积温度与前驱体的通气时间，可以改善ZnO/Al2O3薄膜的包覆性。利用SEM和ICP-AES法对薄膜表面形貌和成分进行分析，并通过对不

4、同温度、不同热处理时间、不同热处理气氛三个因素的调控，来探究退火处理对薄膜电阻特性的影响。结果表明：随着前驱体反应时间的增加和沉积温度的提升，ZnO/Al2O3薄膜的包覆性得到改善。ALD技术制备的ZnO/Al2O3薄膜生长致密均匀，但由于存在ZnO的腐蚀亏损，实验制得的薄膜厚度比设计的厚度值要小。同时发现薄膜的电阻会随着Zn含量的增加而降低，退火处理也对薄膜的电阻影响不大。关键词：ZnO/Al2O3薄膜纳米叠层原子层沉积电阻特性IABSTRACTByvaringtheratiooftheconstituents,compoundfilmscanexhibitvariousp

5、hysicalproperties.Atomiclayerdeposition(ALD)techniquesarebasedonsequential,self-limitingsurfacereactionsandcangrowcompoundfilms.Inthiswork,ZnO/Al2O3alloyfilmswerepreparedusingALDtechniques.ByadjustingtheALDpulsesequence,theZnO/Al2O3alloyfilmcompositionwasvariedfrom0-100%ZnO.Byadjustingthere

6、actiontemperatureandtheventilationtimeofprecursor,theZnO/Al2O3alloyfilmcoveragescalewereimproved.AnalyzingthetopographyandcompositionsofthealloyfilmsusedSEMandICP-AES.Throughthedifferenttemperature,differentheattreatmenttimeandheattreatmentatmosphereregulationofthreefactorstoexploretheinflu

7、enceofannealingtreatmentonmembraneresistancecharacteristics.TheresultsshowthatZnO/Al2O3filmCoveragescalewereimprovedalongwiththeprecursorreactiontimeanddepositiontemperatureincrease.ZnO/Al2O3whichpreparedwithALDtechnologygrowndenseanduniform,ZnOfilmthick