资源描述：
《宽带隙半导体材料cdm_2x_4(m=ga,al x=s,se)光电特性理论研究》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、—’■－巧：Ｍ－苦成占ｕ訂二委＇＂￣￣￣￣￣、．一、、、、：．１．＾；＾单位代码＾６．肛蔚［＼＇＇．－＇＇‘寺学号１３０２１８００７２＼龜好或钟托尖蓬硕壬学位论文．．■‘－Ａ，．，、＼＊＞；、＞＼ｖ、ｉＶｖ＇ｖ．＇？；＾＇、，、＾化亩’Ａ璋；＇擊，＼０繁鉛’ｄ＝＝宽带隙半导体材料ＣｌＶｌＸＭＧａＡｌＸＳＳｅ光电特巧２４（，，）理论研究？、’一＊、－、？Ｉ－．、．．、＇一？、…Ｖ，—＇＇学科、专业：
2、凝聚态物理研究方向：半导体光电特性：：申请学位类别：理学硕±＇＇申请人…；张丽丽马、指导教师＾占：马淑红教授滚１’’，‘＾、．．、＇．＇－、、．？＂Ｖ文二０—六年五月讀．‘、甲吉二：．、Ｉ’■、－’－‘。一，、－．‘■、，心：＾、，－■：．．＼；－心一．＼‘－．－、：＇．－、、、＇＇、■？？．＾独创性声明本人郑重声明：所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的。，研究成果尽我所知，除了文中特别加标注和致谢的地
3、方外论文中不包含其他人已所经发表或撰写的研巧成果，也不包含为获得河南师范大学或其他教育机构的学位或证书使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。关作者签名：采丽晚日期：心！Ｌ、＼＇％＼于论支使用授权的说明本人完全了解河南师范大学有关保留、使用学位论文的规定，即；有权保留并向国家有关部口或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文彼查阅和借阅。本人投权河南师范大学可Ｗ将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编导学位师
4、论签义。（保密的学位论文在解密后适用本授权书）作者签名：旅赢巧名；作點＞／／、又．马ＩTHEORETICALSTUDYPHOTOELECTRICPROPERTIESOFWIDE-GAPSEMICONDUCTORMATERIALSCdM2X4(M=Ga,AlX=S,Se)ADissertationSubmittedtotheGraduateSchoolofHenanNormalUniversityinPartialFulfillmentoftheRequirementsfortheDegreeofMasterofMasterofScien
5、ceByZhangLiliSupervisor:Prof.MaShuhongMay,2016摘要随着科技的进步，电子材料尤为引人注目，大大推动了现代科学的发展。半导体材料作为电子材料的代表，它的问世与发展不断的促进人类在各个领域的全面发展，给人们的日常生活带来了很大的便利。半导体的种类繁多，由三元化合物宽带ⅡⅢⅥ隙半导体晶体AB2C4，由于其具有较宽波段可以透光、发光方面的性能非常好、光学强度还很高和感光的性能比较好，在电光学器件、光电子器件、太阳能电池及非线性光学设备等领域都有着广泛的使用从而引起了人们的普遍关注。本篇文章采取了以DFT为基础的
6、第一性原理方法对三元半导体CdM2X4(M=Ga,Al；X=S,Se)进行系统的对比研究。讨论不同晶体的晶格结构、能带、态密度及部分光学性质的变化趋向，并预测了晶体光学性质的各向异性，希望为此类材料在实际中应用提供一些理论性的依照。研究结果显示三元半导体CdM2X4(M=Ga,Al；X=S,Se)四种材料的性质比较类似，都具有缺陷黄铜矿型构造，为直接带隙。四种三元材料的带隙值随着元素X由硫（S）到硒（Se）键能不断减小而逐渐减小，从硫（S）到硒（Se）共价特性不断减弱使材料体变模量变小，而晶格常数及折射率都在变大，同时折射率的波峰有红移现象。光学
7、性质在能量为4eV~10eV的范围内表现为非常突出的各向异性，在能量低于4eV的和高于10eV的区域则不是很明显。CdM2X4(M=Ga,Al；X=S,Se)晶体在红外区域具有良好的透光性。我们还发现，CdM2X4(M=Ga,Al；X=S,Se)晶体的最强反射峰和吸收峰均处于紫外区域，所以他们可被用于制作紫外光屏蔽器或者紫外探测装置。关键词：CdM2X4(M=Ga,Al；X=S,Se)晶体，密度泛函理论，电子结构，光学性质IABSTRACTWiththedevelopmentofscienceandtechnology,thematerialha
8、sbeenconsideredtobetoday'semergingnewtechnologyrevolution,oneoftheim
