单层snse过渡金属界面及掺杂snse薄膜的电子结构

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5、尽我所知，除了文中特别加标注和致谢的地方外包含其他人已经发表或撰写的研究成果，也不包含为获得河南师范大学或其他教育机构的学位或证书所使用过的材料一。与我同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。，，作者签名：主心據曰期：石。八玉如关于论文使用授权的说明本人完全了解河南师范大学有关保留、使用学位论义的规定，目Ｐ：有权保留。并向国家有关部口或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅本人授权河南师范大学可＾？将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检、、索，可从采用影印缩印或扫描

6、等复制手段保存汇编学位论文。（保巧的学位论文在解密后适用本授权书）３、。／／ｒ、口作者签名：导师签名）导THEELECTRONICSTRUCTURESOFTHEINTERFACEOFMONOLAYERSNSEANDTRANSTIONMETALSDOPEDSNSEFILMADissertationSubmittedtotheGraduateSchoolofHenanNormalUniversityinPartialFulfillmentoftheRequirementsfortheDegreeofMasterofScienceByWang

7、XiaolongSupervisor:Prof.DaiXianqiApril2016摘要硒化锡作为一种化学性质稳定，含量丰富的半导体材料，具有多重激子效应，其直接带隙和间接带隙满足光学带隙的要求，被广泛的用于存储开关、太阳能电池、传感器和光探测器等光学电子器件的研究中。也正是硒化锡的这一特性使人们忽视了它在金属半导体结和稀磁半导体方面的潜在性能。本文运用第一性原理计算方法研究过渡金属Ag、Au、Ta与单层SnSe的界面性质和掺杂SnSe的电子结构和磁学性质，其主要内容如下：1)过渡金属Ag、Au、Ta与单层SnSe形成金属半导体结计算结果表明相比于自

8、由单层SnSe，形成结后SnSe的结构受到较小地影响。过渡金属与SnSe在界面处产生较强的相互作用，导致Sn