inasingaasgaas双势垒量子点—量子阱光电特性的研究

《inasingaasgaas双势垒量子点—量子阱光电特性的研究》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、２０１６届研究生硕ｄｂ学位论文分类号：１０２６９：学校代码７密级：学号：５１１３１２１３０１禱黎露嗦緩爲錢ＥａｓｔＣｈｉｎａＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ损±导恆巧交ＭＡＳＴＥＦＴＳＤＩＳＳＥＲＴＡＴＩＯＮ论文题目：ＩｎＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ双势垒量子￣点－量子阱光电特性的研究院系：信息科学技术学院电子工程系专业：微电子学与固体电子学研究方向：半导体器件与物理指导教师：郭方敏教授学位申请人：王伟伟‘？ｒ２０１６年４月一？早－．．

2、－．心－：；弓—．：ｒ户．，．２０１６届研巧生硕：ｔ学位论文学校代码：１０２６９学号：５１１３１２１３０１７場）蔡泉啼接乂爹ＥａｓｔＣｈｉｎａＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ硕±学位论文ＭＡ’ＳＴＥＲＳＤＩＳＳＥＲＴＡＴＩＯＮ论文题目：Ｉｎ乂ｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ双势垒量子点－量子耕光电特性的研究院系：信息科学巧术学院电子工程系专业：微电子学与固体电子学研巧方向：半导体器件物理指导教师：郭方敏教授：王伟伟学位申请人２０１６年４月完成Ｄｉｓｓｅｒｔａｔ

3、ｉｏｎｆｏｒｍａｓｔｅｒｄｅｒｅｅｉｎ２０１６ＳｔｕｄｅｎｔＩＤ．：５１１３１２１３０１７ｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｃｏｄｅ；１０％９ｙＥａｓｔＣｈｉｎａＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙＴｉｔｌｅ：ＰｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃｃｈａｒａｄｅｒｉｓｔｉｃｓｓｔｕｄｙｏｆＩｎＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ－－－ｑｕａｎｔｕｍｄｏｔｓｉｎａｗｅｉｉ＼Ｄｅａｒｔｍｅｎｔ：ＳｃｈｏｏｌｏｆＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙｐＭａｏｒ－：Ｍｉｃｒｏｅｌ

4、ｅｃｔｒｏｎｉｃｓａｎｄＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓｊＲｅｓｅａｒｃｈｄｉｒｅｃｔｉｏｎ：ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＤｅｖｉｃｅＰｈｙｓｉｃｓＳｕｅｒｖｉｓｏｒ：ＰｒｏｆｅｓｓｏｒＧｕｏＦａｎｇｍｉｎｐＣａｎｄｉｄａｔｅ：ａｎｇＷｅｉｗｅｉＷＡｒｉｌ２０１６ｐ，＊？平夺呼若＾梦爹往泉若句悼声巧－郑重声明：本人呈交的学位论文《ＩｎＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ双势垒量子点量子阱光电特性的研究》，是在华东师范大学攻读博±（请勾选）学位期间，在导师的指导下进行的

5、研巧工作及取得的研究成果。除咬中己经注明引用的内容外，本论文不包含其他个人己经发表或撰写过的研巧成果。对本文的研巧做出重要贡献的个人和集体，均己在文中作了明确说明并表示谢意。：■作者签名王隹命曰期：年月２：曰又７作７＾平夺吁若々麥參住忠主著巧来巧声嘴／ＩｎＧａｓ－《ＩｎＡｓＡ／ＧａＡｓ双势垒量子点量子阱光电特性的研巧》系本人在华东师范大学攻读学位期间在导师指导下完成的博±（请勾选）学位论文，本论文的著作权归本人所有。本人同意华东师范大学根据相关规定保留和使用此学位论文，并向主管部口和学校指定的相关机构

6、送交学位论文的印刷版和电子版；允许学位论文进入华东师范大学图书馆及数据库被查阅、借阅；同意学校将学位论文加入全国博±、硕±学位论文共建单位数据库进行检索，，将学位论文的标题和摘要汇编出版采用影印、缩印或者其它方式合理复制学位论文。本学位论文属于（请勾选）＂＂＂＂＊（）１．经华东师范大学相关部口审查核定的内部或涉密学位论文，于年月日解密，解密后适用上述授权。，２．不保密，适用上述授权。导师签名松本人签名＜．＿主余夺＿如、兴／（年？月曰气＂＂＊涉密学位论文应是己经华东师范大学学位评定委

7、员会办公室或保密委员会审定过的学位论文＂＂（需附获批的《华东师范大学研巧生申请学位论文涉密审批表》方为有效），未经上，默认为公开学位论文述部口审定的学位论文均为公开学位论文。此声明栏不填写的，均适用上述授权）。王伟伟硕±学位论文答辩委员会成员名单姓名职称单位备注主席ｆ备、為参气，、－泰漆象教Ｍ攝今近妨条家絮炎争ｆ、１■扬皆研尔华东师范大学硕±学位论文摘要与传统的晶态体材料相比，半导体结构具有许多新颖的物理性质，蕴藏着丰富的物理效应。基于这些物理性质和物理效应，可Ｗ设计

8、与制作高性能电子输运器件和光电子器件。建模仿真有助于了解光电器件新颖的物理特性，对器件的研制与改进起到了非常重要的作用，而器件的实际测试验证则是必不可少的重要环节。－，双势鱼量子点量子阱的基