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《卷曲量子阱薄膜中的应变特性研究》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、卷曲量子阱薄膜中的应变特性研究王月1,2，甄红楼2*，刘锋1，陆卫2(1.上海师范大学，上海200234;2.中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海200083)摘要：嵌入非对称耦合量子阱(quantumwells)的纳米薄膜经过化学腐蚀后，在应变工程技术下卷曲成三维的管状结构，不同管径的微管其光学特性存在不同的模式，对应两种应变释放：单轴应变释放和双轴应变释放。为研究应变状态之间的内在联系以及影响应变状态的客观因素，实验上用不同浓度的HF酸腐蚀液对纳米薄膜牺牲层进行腐蚀并卷曲成三维管状结构。对微管荧光光谱的测试结果
2、显示，微管的单轴应变释放和双轴应变释放不仅与衬底有关，还与微管卷曲的起始状态有关，在一定条件下两种应变可以相互转换。关键词：量子阱；应变工程；卷曲微管中图分类号:TN307文献标识码:A引言过去的20年里，应变工程技术在微/纳科技中被广泛的应用于力学[参考文献：[]L.Zhang,L.X.Dong,andB.J.Nelson,Appl.Phys.Lett.92,143110(2008).]，电子学[[]H.J.In,S.Kumar,Y.S.Horn,andG.Barbastathis,Appl.Phys.Lett.88,083104(
3、2006).][[]D.Grimm,C.C.B.Bufon,C.Deneke,P.Atkinson,D.J.Thurmer,F.Schäffel,S.Gorantla,A.Bachmatiuk,andO.G.Schmidt,NanoLett.13,213(2013).][[]G.J.Meyer,N.L.Dias,R.H.Blick,andI.Knezevic,IEEETrans.Nanotechnol.6,446(2007).]以及光学[[]H.Wang,H.L.Zhen,S.L.Li,Y.L.Jing,G.S.Huang,Y.F.M
4、ei,andW.Lu,Sci.Adv.2,1600027(2016).][[]E.Vekris,G.A.Ozin,andV.Kitaev,Adv.Mater.18,2481(2006).][[]R.Songmuang,A.Rastelli,S.Mendach,andO.G.Schmidt,Appl.Phys.Lett.90,091905(2007).]等领域。基于这种技术，二维应变纳米薄膜可以自发的褶皱[[]Z.Chen,G.S.Huang,I.Trase,X.M.Han,andY.F.Mei,Phys.Rev.Appl.5,0170
5、01(2016).][[]P.Cendula,S.Kiravittaya,I.Mönch,J.Schumann,andO.G.Schmidt,NanoLett.11,236(2011).][[]P.Cendula,A.Malachias,C.Deneke,S.Kiravittaya,andO.G.Schmidt,Nanoscale6,14326(2014).]，扭转[[]G.S.Huang,andY.F.Mei.Adv.Mater.43,2517(2012).[[]Y.F.Mei,D.J.Thurmer,C.Deneke,S.Kira
6、vittaya,Y.F.Chen,A.Dadgar,F.Bertram,B.Bastek,A.Krost,J.Christen,T.Reindl,M.Stoffel,E.Coric,andO.G.Schmidt,AcsNano.3,1663(2009).]或者弯曲[[]Y.V.Prinz,V.A.Seleznev,A.V.Prinz,andA.V.Kopylov,Sci.Technol.Adv.Mat.10,034502(2009).][[]P.Cendula,S.Kiravittaya,andO.G.Schmidt,J.Appl.P
7、hys.111,209(2011).][[]P.Cendula,S.Kiravittaya,Y.F.Mei,C.Deneke,andO.G.Schmidt,Phys.Rev.B.79,085429(2009).]成三维微/纳结构，如管状[[]X.Yu,E.Arbabi,L.L.Goddard,X.L.Li,andX.G.Chen,Appl.Phys.Lett.107,031102(2015).][[]O.G.Schmidt,andK.Eberl.Nature410,168(2001).[[]D.Yu,andF.Liu.NanoLett
8、.7,3046(2007).]、螺旋状[[]V.Y.Prinz,V.A.Seleznev,A.K.Gutakovsky,A.V.Chehovskiy,V.V.Preobrazhenskii,M.A.Putyato,T.A
