gaas及其合金材料的表面钝化及光谱分析

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1、学号：S13010123硕士学位论文GaAs及其合金材料的表面钝化及光谱分析研究生姓名：伍艳丽学科、专业：微电子学与固体电子学二○一六年三月分类号：密级：可公开UDC：编号：GaAs及其合金材料的表面钝化及光谱分析SURFACEPASSIVATIONANDSPECTRALANALYSISOFGAASMATERIALANDITSALLOY学位授予单位及代码：长春理工大学(10186)学科专业名称及代码：微电子学与固体电子学(077403)研究方向：半导体激光器物理与技术申请学位级别：硕士指导教师：魏志鹏教授、房丹讲师研究生：伍艳丽论文起止时间：2014.09-2015.12长春

2、理工大学硕±学位论文原创性声明本人郑重声明：所呈交的硕±学位论文ａＡｓ，《Ｇ及其合金材料的表面巧化及光谱分析。除文》是本人在指导教师的指导下，独立进行研巧王作所取得的成果中已经注明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已廷发表或撰写过的作品成果。对本文的研充做出重要贡献的个人和集体，均已在文中Ｗ明确方式。标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担作者签名￣山化年》月ｊ牛日：也将畔长春理工大学学拉论文版权使用授权书＂本学位论文作者及指导教师完全了解长：春理工大学硕±学位论文版权使用＂、中国优秀博硕±学位论规定，同意长春理工大学

3、保留并向中国科学信息研巧所文全文数据库和ＣＮＫＩ系列数据库皮其它国家有关部口或机构送交学位论文的复。本人授权长春理工大学可Ｗ将本学位论印件和电子版，允许论文被查阅和借阅可采用影印、缩印或扫描等复文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，也制手段保存和汇编学位论文。作者签名前Ｗ占年月ｊ丰日：Ａ作、＂导师巧名｜瓜＾＞４年３月）夺日苗＾：；＾摘要GaAs是重要的III-V族半导体材料，本文对其进行了湿法硫钝化研究，以提高其光学性质，得出钝化处理20min后，其发光强度为处理前的6倍。同时对钝化效果的稳定性进行了分析，并提出钝化后再沉积Al2O3薄膜的

4、方法，有效解决了湿法硫钝化稳定性差的问题。GaAsSb是重要的GaAs合金材料，本文分别对GaAs0.95Sb0.05和GaAs0.04Sb0.96材料进行了湿法硫钝化研究，以提高其表面发光强度。GaAs0.95Sb0.05材料在钝化处理15min后，其发光强度增大为处理前的2倍。并先后使用(NH4)2S和S2Cl2溶液对GaAs0.04Sb0.96材料的钝化进行了探索性研究，得出S2Cl2溶液的处理效果更好，反应10s后其发光强度相对于未处理的，提高了三个数量级。本文通过GaAs及其合金材料的钝化研究，有效提高了其表面光学性质，这对于其实际应用具有重要意义。关键词：GaAs

5、硫钝化Al2O3薄膜砷化镓合金IABSTRACTGaAsisanimportantmaterialinIII-Vgroupsemiconductormaterials,wedidresearchonthewetsulfurpassivationofGaAsmaterial,aimingatimprovingitsopticalpropertiesandtheresultshowedthatafter20min-treatment,theluminousintensityincreasedto6times.Meantime,wealsostudieditsopticalstab

6、ility,andputforwardamethodthatdepositingAl2O3thinfilmonpassivated-samplestosolvethepoorstabilityofwetsulfurpassivation.GaAsSbisanimportantmaterialinGaAsalloys,wedidresearchonthewetsulfurpassivationofGaAs0.95Sb0.05andGaAs0.04Sb0.96material,aimingatimprovingtheiropticalproperties.After15min-t

7、reatment,theluminousintensityofGaAs0.95Sb0.05materialwasimprovedto2times,comparedwithuntreatedsamples.Atthesametime,weused(NH4)2SandS2Cl2solutionsuccessivelytodoexploratoryresearchonGaAs0.04Sb0.96material,theresultshowedtheeffectofS2Cl2solutionisbetter,a