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时间:2019-03-16
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1、学号:S13010123硕士学位论文GaAs及其合金材料的表面钝化及光谱分析研究生姓名:伍艳丽学科、专业:微电子学与固体电子学二○一六年三月分类号:密级:可公开UDC:编号:GaAs及其合金材料的表面钝化及光谱分析SURFACEPASSIVATIONANDSPECTRALANALYSISOFGAASMATERIALANDITSALLOY学位授予单位及代码:长春理工大学(10186)学科专业名称及代码:微电子学与固体电子学(077403)研究方向:半导体激光器物理与技术申请学位级别:硕士指导教师:魏志鹏教授、房丹讲师研究生:伍艳丽论文起止时间:2014.09-2015.12长春
2、理工大学硕±学位论文原创性声明本人郑重声明:所呈交的硕±学位论文aAs,《G及其合金材料的表面巧化及光谱分析。除文》是本人在指导教师的指导下,独立进行研巧王作所取得的成果中已经注明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已廷发表或撰写过的作品成果。对本文的研充做出重要贡献的个人和集体,均已在文中W明确方式。标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担作者签名 ̄山化年》月j牛日:也将畔长春理工大学学拉论文版权使用授权书"本学位论文作者及指导教师完全了解长:春理工大学硕±学位论文版权使用"、中国优秀博硕±学位论规定,同意长春理工大学
3、保留并向中国科学信息研巧所文全文数据库和CNKI系列数据库皮其它国家有关部口或机构送交学位论文的复。本人授权长春理工大学可W将本学位论印件和电子版,允许论文被查阅和借阅可采用影印、缩印或扫描等复文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,也制手段保存和汇编学位论文。作者签名前W占年月j丰日:A作、"导师巧名|瓜^>4年3月)夺日苗^:;^摘要GaAs是重要的III-V族半导体材料,本文对其进行了湿法硫钝化研究,以提高其光学性质,得出钝化处理20min后,其发光强度为处理前的6倍。同时对钝化效果的稳定性进行了分析,并提出钝化后再沉积Al2O3薄膜的
4、方法,有效解决了湿法硫钝化稳定性差的问题。GaAsSb是重要的GaAs合金材料,本文分别对GaAs0.95Sb0.05和GaAs0.04Sb0.96材料进行了湿法硫钝化研究,以提高其表面发光强度。GaAs0.95Sb0.05材料在钝化处理15min后,其发光强度增大为处理前的2倍。并先后使用(NH4)2S和S2Cl2溶液对GaAs0.04Sb0.96材料的钝化进行了探索性研究,得出S2Cl2溶液的处理效果更好,反应10s后其发光强度相对于未处理的,提高了三个数量级。本文通过GaAs及其合金材料的钝化研究,有效提高了其表面光学性质,这对于其实际应用具有重要意义。关键词:GaAs
5、硫钝化Al2O3薄膜砷化镓合金IABSTRACTGaAsisanimportantmaterialinIII-Vgroupsemiconductormaterials,wedidresearchonthewetsulfurpassivationofGaAsmaterial,aimingatimprovingitsopticalpropertiesandtheresultshowedthatafter20min-treatment,theluminousintensityincreasedto6times.Meantime,wealsostudieditsopticalstab
6、ility,andputforwardamethodthatdepositingAl2O3thinfilmonpassivated-samplestosolvethepoorstabilityofwetsulfurpassivation.GaAsSbisanimportantmaterialinGaAsalloys,wedidresearchonthewetsulfurpassivationofGaAs0.95Sb0.05andGaAs0.04Sb0.96material,aimingatimprovingtheiropticalproperties.After15min-t
7、reatment,theluminousintensityofGaAs0.95Sb0.05materialwasimprovedto2times,comparedwithuntreatedsamples.Atthesametime,weused(NH4)2SandS2Cl2solutionsuccessivelytodoexploratoryresearchonGaAs0.04Sb0.96material,theresultshowedtheeffectofS2Cl2solutionisbetter,a
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