600v trench fs igbt的设计

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1、4击种成*葦UNVERSITYOF巨LECTRONICSCI巨NC巨ANDTECHNOLOGYOFCHINAI硕it学位论文MASTERTHESIS':../y\wY:'焉^巧w辦^mBBBM^■1论文题目600VTrenchFSIGBT的设计学科专业微电子学与固体电子学M学号20U21030257作者姓名奎逛1-指导教师任敏副教授分类号密级注1UDC学位论文600VTrenchFSIGBT的

2、设计(题名和副题名)李丹(作者姓名)指导教师任敏副教授电子科技大学成都申请学位级别硕士学科专业微电子学与固体电子学提交论文日期2016.03论文答辩日期2016.05学位授予单位和日期电子科技大学2016年6月答辩委员会主席评阅人注1:注明《国际十进分类法UDC》的类号。DESIGNOF600VTRENCHFSIGBTAMasterThesisSubmittedtoUniversityofElectronicScienceandTechnologyofChinaMajor:Microeletron

3、icsandSolidStateElectronicsAuthor:DanLiSupervisor:A.P.MinRenSchool:SchoolofMicroelectronicsandSolid-StateElectronics独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加标注和致谢的地方夕h论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同

4、工作的同志对本研究所做的任何贡献均己在论文中作了明确的说明并表示谢意。I作者签名:日期:年J:月日论文使用授权本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文的规定,有权保留并向国家有关部口或机构送交论文的复印件和磁。盘,允许论文被查阅和借阅本人授权电子科技大学可将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可W采用影印、缩印或扫描等复制手段保存。、汇编学位论文(保密的学位论文在解密后应遵守此规定)作者签名=芽A导师签名:_日期;

5、年J;月日摘要摘要Trench-FS型结构的IGBT是IGBT器件发展到目前最先进的结构,它的正向导通压降-正向阻断耐压、导通损耗-开关损耗之间具有良好的折中关系。Trench结构提高了元胞密度,同等电流能力的Trench-FS型IGBT的制造成本也较其他结构低,因此被广泛地应用于工业领域和消费领域。市面上的TrenchFSIGBT产品都是国外的大公司推出的,国内的IGBT商业化尚处于Planar结构的IGBT,对Trench-FS结构的IGBT的研制还处于摸索阶段,结合国内工艺线自主研发Tr

6、enchFSIGBT产品具有十分重要的意义。基于此,本论文在现有工艺条件下,设计一款耐压能力为600V、导通压降小于2V、阈值电压在5V到6V之间的TrenchFSIGBT。论文的主要工作内容如下:1.结合国内半导体制造平台的基本工艺条件及所要设计的器件结构,设计一套600V耐压的TrenchFSIGBT器件的工艺流程。通过工艺仿真软件Tsupreme4对外延、场氧、栅氧、刻槽等工艺进行仿真调整,确定基本工艺方案。2.在基本工艺方案的基础上,通过Tsupreme4和二维器件仿真软件Medici对器

7、件元胞结构参数、终端结构参数进行仿真优化。最后确定的元胞结构仿真结果为BV=750V、Vce=1.68V、Vth=5.5V、t(d)off=100ns、toff=74ns。终端采用场板结合场限环的结构,由于终端区不贡献电流,终端区面积应在保证耐压能力和可靠性的前提下尽量小,优化后的终端结构宽度为254μm,仿真结果为BV=811V。3.根据对TrenchFSIGBT器件工艺流程和结构的仿真优化结果,完成包括有源区、Pad区、终端区的版图设计。考虑到芯片电流的均匀性采用插指结构。结合40A的额定电流

8、要求及终端结构设计,最终设计的版图面积为4.9×4.9mm2。4.利用L-edit软件对所设计的版图进行绘制。本文的研究成果对国内TrenchFSIGBT的产品化具有一定的参考和推动作用,在优化工艺流程和结构设计的基础上,可研制出满足电学特性要求的高性能的600VTrenchFSIGBT产品。关键词:功率器件,Trench,电场阻止层,IGBTIABSTRACTABSTRACTTrench-FSstructureisthemostadvancedstructureoftheIGBT

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